一种击穿测试结构、显示面板和击穿测试方法技术

本发明专利技术提供了一种击穿测试结构、显示面板和击穿测试方法。所述结构包括：基底；有源层，所述有源层设置在所述基底上；栅绝缘层，所述栅绝缘层设置在所述有源层上，所述栅绝缘层与所述有源层边沿对应的区域为爬坡区，位于所述爬坡区内部的区域为平面区；栅极层，所述栅极层设置在所述栅绝缘层上，包括相接的第一栅部和第二栅部，所述第一栅部覆盖所述平面区，所述第二栅部覆盖所述爬坡区，所述第一栅部和/或第二栅部为镂空图案以露出所述栅绝缘层。通过本发明专利技术实施例，在测试栅绝缘层的击穿电压时，可以根据击穿位置确定平面区和爬坡区哪一个被击穿，以及哪一个先被击穿，并且可以根据击穿现象准确得知栅绝缘层的膜层状况。

A Breakdown Testing Structure, Display Panel and Breakdown Testing Method

The invention provides a breakdown test structure, a display panel and a breakdown test method. The structure comprises a base, an active layer, the active layer arranged on the base, a gate insulating layer, the gate insulating layer arranged on the active layer, the area corresponding to the edge of the gate insulating layer and the active layer is a climbing area, and the area located in the interior of the climbing area is a plane area, and a gate layer, the gate insulating layer arranged on the gate insulating layer, including the first connected layer. The first grating covers the plane area, the second grating covers the climbing area, and the first and/or second gratings are hollow patterns to expose the insulating layer of the grating. According to the embodiment of the present invention, when testing the breakdown voltage of the insulating layer of the gate, it is possible to determine which of the planar and climbing areas is broken down and which is first broken down according to the breakdown position, and the film condition of the insulating layer of the gate can be accurately known according to the breakdown phenomenon.

【技术实现步骤摘要】
一种击穿测试结构、显示面板和击穿测试方法
本专利技术涉及显示
，特别是涉及一种击穿测试结构、显示面板和击穿测试方法。
技术介绍
近几年，随着OLED(OrganicLight-EmittingDiode，有机发光二极管)产品的发展，OLED产品的制程越来越复杂，前层工艺的好坏将直接影响后续的制程，甚至影响到整个工艺流程。在这种发展趋势下，量测每一层的工艺就显得越来越重要。图1a和图1b示出了目前测试GI(GateInsulation，栅绝缘层)击穿电压的结构，图1a为TFT(ThinFilmTransistor，薄膜场效应晶体管)的平面图，图1b为图1a虚线处的剖面图，在源/漏极11和栅极13上施加电压，得到栅绝缘层12的击穿电压。但是，在栅绝缘层12击穿时，不能确定是平面区121被击穿还是爬坡区122被击穿，因此栅绝缘层膜层状况的测试结果不准确。
技术实现思路
本专利技术提供一种击穿测试结构、显示面板和击穿测试方法，以解决现有测试结构对膜层状况的测试结果不准确的问题。为了解决上述问题，本专利技术公开了一种击穿测试结构，所述结构包括：基底有源层，所述有源层设置在所述基底上；栅绝缘层，所述栅绝缘层设置在所述有源层上，所述栅绝缘层与所述有源层边沿对应的区域为爬坡区，位于所述爬坡区内部的区域为平面区；栅极层，所述栅极层设置在所述栅绝缘层上，包括相接的第一栅部和第二栅部，所述第一栅部覆盖所述平面区，所述第二栅部覆盖所述爬坡区，所述第一栅部和/或第二栅部为镂空图案以露出所述栅绝缘层。可选地，所述镂空图案为梳状图形。可选地，第一信号传输线，与所述有源层同层设置，并与所述有源层相连；第二信号传输线，与所述栅极层同层设置，并与所述第二栅部相连；所述第一信号传输线和所述第二信号传输线均具有端部，并且所述第一信号传输线的端部和所述第二信号传输线的端部均露出上表面。可选地，所述有源层和所述第一信号传输线均为掺杂有P型杂质的多晶硅层；所述第一信号传输线中的P型杂质浓度，高于被所述栅极层覆盖的所述有源层中的P型杂质浓度。可选地，所述栅绝缘层为氧化硅层；所述栅极层为金属层。本专利技术实施例又提供了一种显示面板，所述显示面板包括如上述的击穿测试结构。本专利技术实施例还提供了一种击穿测试方法，应用于上述的击穿测试结构，所述击穿测试结构包括基底、有源层、栅绝缘层和栅极层，所述栅绝缘层包括爬坡区和平面区，所述栅极层包括第一栅部和第二栅部，所述第一栅部和/或所述第二栅部为镂空图案，所述方法包括：在所述有源层和所述栅极层上施加电压，其中，所述电压逐渐增大；在所述栅绝缘层被击穿时，确定击穿电压；根据所述击穿位置位于所述第一栅部，确定所述平面区被击穿；根据所述击穿位置位于所述第二栅部，确定所述爬坡区被击穿。可选地，所述镂空图案为梳状图形。可选地，所述击穿测试结构还包括第一信号传输线和第二信号传输线，所述第一信号传输线与所述有源层相连，所述第二信号传输线与所述第二栅部相连，所述第一信号传输线和所述第二信号传输线均具有端部；所述方法还包括：在所述第一信号传输线的端部和所述第二信号传输线的端部施加电压。与现有技术相比，本专利技术包括以下优点：击穿测试结构包括基底、有源层、栅绝缘层和栅极层；栅绝缘层与有源层边沿对应的区域为爬坡区，位于爬坡区内部的区域为平面区；栅极层包括第一栅部和第二栅部，第一栅部覆盖平面区，第二栅部覆盖爬坡区，第一栅部和/或第二栅部为镂空图案以露出栅绝缘层。由于第一栅部和/或第二栅部为镂空图案，因此根据第一栅部和第二栅部可以确定栅绝缘层的爬坡区和平面区，进而在测试栅绝缘层的击穿电压时，可以根据击穿位置确定平面区和爬坡区哪一个被击穿，以及哪一个先被击穿，并且可以根据击穿现象准确得知栅绝缘层的膜层状况。附图说明图1a示出了
技术介绍
的击穿测试结构的平面图；图1b示出了
技术介绍
的击穿测试结构的剖面图；图2a示出了本专利技术实施例一的一种击穿测试结构的平面图之一；图2b示出了本专利技术实施例一的一种击穿测试结构的剖面图；图3示出了本专利技术实施例一的一种击穿测试结构的平面图之二；图4a示出了本专利技术实施例一的有源层和栅极层的分层平面图；图4b示出了本专利技术实施例一的有源层和栅极层的叠层平面图；图5示出了本专利技术实施例三的一种击穿测试方法的步骤流程图。具体实施方式为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步详细的说明。实施例一参照图2a所示的本专利技术实施例提供的一种击穿测试结构的平面图，以及图2b所示的击穿测试结构的剖面图，所述结构包括：基底20；有源层21，所述有源层21设置在所述基底20上；栅绝缘层22，所述栅绝缘层22设置在所述有源层21上，所述栅绝缘层22与所述有源层21边沿对应的区域为爬坡区222，位于所述爬坡区内部的区域为平面区221；栅极层23，所述栅极层23设置在所述栅绝缘层22上，参照图3所示的击穿测试结构的平面图，包括相接的第一栅部231和第二栅部232，所述第一栅部231覆盖所述平面区221，所述第二栅部232覆盖所述爬坡区222，所述第一栅部231和/或第二栅部232为镂空图案以露出所述栅绝缘层22。本实施例中，图2a为击穿测试结构的平面图，图2b为图2a虚线处的剖面图，参照图2b，有源层21设置在基底20上，栅绝缘层22设置在有源层21上，栅极层23设置在栅绝缘层22上。栅绝缘层22覆盖在有源层21边沿的区域为爬坡区222，覆盖在有源层21上，爬坡区222内部的区域为平面区221。参照图3，栅极层23包括相接的第一栅部231和第二栅部232，第一栅部231、第二栅部232可以均为镂空图案；或者是第一栅部231为非镂空图案，第二栅部232为镂空图案；还可以是第一栅部231为镂空图案，第二栅部232为非镂空图案，其中，镂空图案露出部分栅绝缘层22。可以根据第一栅部231和第二栅部232确定栅绝缘层22的平面区221和爬坡区222，进而在测试栅绝缘层22的击穿电压时，可以根据第一栅部231和第二栅部232确定击穿位置是平面区还是爬坡区，以及平面区和爬坡区哪一个先被击穿。可选地，所述镂空图案为梳状图形。本实施例中，非镂空图案可以是长方形，如图3所示，或者是正方形、圆形，本专利技术实施例对此不作详细限定，可以根据实际情况进行设置。镂空图案可以是梳状图形，梳状图形由多个并行排列的条形结构组成。图3中，当栅绝缘层22的膜厚均匀时，梳齿处的击穿比较均匀；当栅绝缘层22的膜厚不均匀时，部分梳齿处被击穿，部分梳齿处未被击穿。也就是说，可以根据梳齿处的击穿现象确定栅绝缘层22的膜层状况。可选地，参照图4a所示的有源层和栅极层的分层平面图，以及4b所示的有源层和栅极层的叠层平面图；第一信号传输线24，与所述有源层21同层设置，并与所述有源层21相连；第二信号传输线25，与所述栅极层23同层设置，并与所述第二栅部232相连；所述第一信号传输线24和所述第二信号传输线25均具有端部，并且所述第一信号传输线24的端部241和所述第二信号传输线25的端部251均露出上表面。本实施例中，第一信号传输线24与有源层21同层设置，并与有源层21相连；第二信号传输线25与栅极层23同层设置，并与第二栅部232相连。第一信号传输线24的端部241本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种击穿测试结构，其特征在于，所述结构包括：基底；有源层，所述有源层设置在所述基底上；栅绝缘层，所述栅绝缘层设置在所述有源层上，所述栅绝缘层与所述有源层边沿对应的区域为爬坡区，位于所述爬坡区内部的区域为平面区；栅极层，所述栅极层设置在所述栅绝缘层上，包括相接的第一栅部和第二栅部，所述第一栅部覆盖所述平面区，所述第二栅部覆盖所述爬坡区，所述第一栅部和/或所述第二栅部为镂空图案以露出所述栅绝缘层。

【技术特征摘要】
1.一种击穿测试结构，其特征在于，所述结构包括：基底；有源层，所述有源层设置在所述基底上；栅绝缘层，所述栅绝缘层设置在所述有源层上，所述栅绝缘层与所述有源层边沿对应的区域为爬坡区，位于所述爬坡区内部的区域为平面区；栅极层，所述栅极层设置在所述栅绝缘层上，包括相接的第一栅部和第二栅部，所述第一栅部覆盖所述平面区，所述第二栅部覆盖所述爬坡区，所述第一栅部和/或所述第二栅部为镂空图案以露出所述栅绝缘层。2.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，所述镂空图案为梳状图形。3.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，第一信号传输线，与所述有源层同层设置，并与所述有源层相连；第二信号传输线，与所述栅极层同层设置，并与所述第二栅部相连；所述第一信号传输线和所述第二信号传输线均具有端部，并且所述第一信号传输线的端部和所述第二信号传输线的端部均露出上表面。4.根据权利要求3所述的结构，其特征在于，所述有源层和所述第一信号传输线均为掺杂有P型杂质的多晶硅层；所述第一信号传输线中的P型杂质浓度，高于被所述栅极层覆盖的所述有源层中的P型杂质浓度。5.根据权利要求1所述的结构，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘振定，左博文，安亚斌，蔺聪，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，绵阳京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11