A target material processing method includes: providing a target material and a cutter for cutting the target material; providing a coolant to spray the coolant to the cutting part of the target material when the cutter cuts the target material; and controlling the injection pressure of the coolant at 100Kg/cm.
【技术实现步骤摘要】
靶材加工方法
本专利技术涉及半导体
，具体涉及一种靶材加工方法。
技术介绍
在半导体溅镀工艺中，靶材作为溅射源(高速荷能粒子轰击的目标材料)需要其具有特定的形状，以使其能够被固定至溅镀设备满足溅镀的要求。另外，用于溅射的靶材也要求其具有较小的表面粗糙度，以满足规定的精度要求。因此，在将靶材加工成最终成品之前，通常需要对靶材进行切削，以使靶材具有特定的形状和较高的精度，满足溅镀的要求。但是，在对靶材进行切削的过程中，靶材表面上会产生切屑，切屑不容易从靶材表面掉落，当较多的切屑堆积在靶材表面时，一方面，会损伤靶材的表面，导致产品不合格；另一方面，切屑还会缠绕在用于切削的刀具上，有可能损坏刀具。因此，在靶材加工过程中，如何避免在靶材表面堆积较多的切屑，是现有技术亟待解决的技术问题。
技术实现思路
本专利技术解决的问题是使用刀具对靶材进行切削的过程中，靶材表面会堆积切屑，损伤靶材表面、损坏刀具。为解决上述问题，本专利技术提供一种靶材加工方法，包括：提供靶材和刀具，所述刀具用于切削所述靶材；提供冷却液，当所述刀具切削所述靶材时，使所述冷却液喷向所述靶材的切削部位；所述冷却...
【技术保护点】
1.一种靶材加工方法，其特征在于，包括：提供靶材和刀具，所述刀具用于切削所述靶材；提供冷却液，当所述刀具切削所述靶材时，使所述冷却液喷向所述靶材的切削部位；所述冷却液的喷射压力控制在100Kg/cm2‑150Kg/cm2之间。
【技术特征摘要】
1.一种靶材加工方法，其特征在于，包括：提供靶材和刀具，所述刀具用于切削所述靶材；提供冷却液，当所述刀具切削所述靶材时，使所述冷却液喷向所述靶材的切削部位；所述冷却液的喷射压力控制在100Kg/cm2-150Kg/cm2之间。2.如权利要求1所述的靶材加工方法，其特征在于，所述冷却液为多股，多股冷却液共同喷向所述切削部位。3.如权利要求2所述的靶材加工方法，其特征在于，多股所述冷却液分别从多个喷嘴中喷出，所述喷嘴的当量直径在1mm-2mm之间。4.如权利要求3所述的靶材加工方法，其特征在于，所述喷嘴固定设置于所述刀具，且所述喷嘴的开口朝向所述刀具的刀尖。5.如权利要求3所述的靶材加工方法，其特征在于，所述喷嘴的开口到所述刀尖的距离控制在1...
【专利技术属性】
技术研发人员：姚力军，潘杰，相原俊夫，王学泽，鲍伟江，
申请(专利权)人：宁波江丰电子材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33
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