一种过热保护装置、电机及其过热保护方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种过热保护装置、电机及其过热保护方法，该装置包括：温度监测单元、导热介质单元和控制单元；所述温度监测单元，通过所述导热介质单元，连接至待保护电机的功率器件；其中，所述温度监测单元，用于通过所述导热介质单元传送的所述功率器件的温度，监测得到所述功率器件的当前温度；所述控制单元，用于在所述当前温度达到设定的保护温度的情况下，发出用于关断所述功率器件的触发信号，以使所述待保护电机的控制器基于所述触发信号关断所述功率器件。本发明专利技术的方案，可以解决在MOS附近放置热敏电阻进行MOS温度监测的监测准确性差的问题，达到提升检测准确性的效果。

【技术实现步骤摘要】
一种过热保护装置、电机及其过热保护方法
本专利技术属于电子电路
，具体涉及一种过热保护装置、电机及其过热保护方法，尤其涉及一种精确监测MOS温度的装置、具有该装置的电机、以及该电机的过热保护方法。
技术介绍
对于低压无刷直流电机，功率器件的选型通常以分立MOS为主，分立MOS以其开关响应速度快、开关损耗小、导通电阻小等特点得到广泛应用。因应用于低压、大电流场合，MOS的发热会较为严重，温度过高会导致可通过电流较小、损耗较大，严重时会发生烧毁其(即MOS管)。因此MOS在使用时需进行温度监测，在温度达到一定值时将其关断，以保护MOS的可靠运行。目前，常用的温度监测方式为在MOS附近放置热敏电阻，由于热敏电阻具有随温度变化阻值变化的特性，所以监测热敏电阻的阻值即可监测当前工作温度，在达到极限温度时，将MOS关断，停止工作。此种方法在使用时，热敏电阻应尽量靠近MOS放置，以便热敏电阻感测的温度更接近MOS的实时工作温度。但热敏电阻所感测的温度，是由MOS发热后，通过空气辐射得到的，因此，热敏电阻实际感测的温度与MOS实际的温度有一定温差，尤其是当通过MOS的电流突然增大时，MOS的温本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种过热保护装置，其特征在于，包括：温度监测单元(10)、导热介质单元(20)和控制单元(30)；所述温度监测单元(10)，通过所述导热介质单元(20)，连接至待保护电机的功率器件；其中，所述温度监测单元(10)，用于通过所述导热介质单元(20)传送的所述功率器件的温度，监测得到所述功率器件的当前温度；所述控制单元(30)，用于在所述当前温度达到设定的保护温度的情况下，发出用于关断所述功率器件的触发信号，以使所述待保护电机的控制器基于所述触发信号关断所述功率器件。

【技术特征摘要】
1.一种过热保护装置，其特征在于，包括：温度监测单元(10)、导热介质单元(20)和控制单元(30)；所述温度监测单元(10)，通过所述导热介质单元(20)，连接至待保护电机的功率器件；其中，所述温度监测单元(10)，用于通过所述导热介质单元(20)传送的所述功率器件的温度，监测得到所述功率器件的当前温度；所述控制单元(30)，用于在所述当前温度达到设定的保护温度的情况下，发出用于关断所述功率器件的触发信号，以使所述待保护电机的控制器基于所述触发信号关断所述功率器件。2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述温度监测单元(10)，包括：热敏电阻和分压电阻；所述控制单元(30)，包括：三极管；其中，所述热敏电阻和所述分压电阻串联设置；所述热敏电阻和所述分压电阻的公共端，连接至所述三极管的基极；所述三极管的集电极，用于在所述当前温度达到设定的保护温度而使所述三极管导通的情况下，输出低电平信号，作为所述触发信号。3.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，所述控制单元(30)，还包括：限流电阻；所述限流电阻，连接在所述三极管的集电极与设定的直流电源之间，用于在所述当前温度未达到设定的保护温度的情况下，输出高电平信号至所述待保护电机的控制器时起到限流作用。4.根据权利要求1-3之一所述的装置，其特征在于，所述功率器件，包括：MOS器件；所述导热介质单元(20)，包括：同一网络的铜箔，或同一散热器。5.根据权利要求4所述的装置，其特征在于，所述铜箔，包括：PCB板的铜箔；当所述温度监测单元(10)包括热敏电阻时，所述热敏电阻和所述MOS器件，贴装于同一PCB...

【专利技术属性】
技术研发人员：王颜章，张晓菲，敖文彬，吴文贤，
申请(专利权)人：珠海格力电器股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44