CdSQDs@CdIn2S4/CdWO4材料的制备制造技术

技术编号:19916286 阅读:33 留言:0更新日期:2018-12-28 23:33
本发明专利技术公开了CdS QDs@CdIn2S4/CdWO4光催化剂的合成方法,属于化工行业技术领域。采用硫脲(CH4N2S),钨酸钠(Na2WO4),硝酸铟(In(NO3)3),醋酸镉(Cd(CH3COO)2)四种化学试剂原料混合放入二次蒸馏水中超声均匀,搅拌均匀后,通过微波反应器微波辐射反应后,得到CdIn2S4/CdWO4。加入使用醋酸镉(Cd(CH3COO)2),硫脲(CH4N2S),巯基丙酸(C3H6O2S)合成的CdS QDs前驱体溶液后,再通过二次微波辐射,烘干得到最终产物CdS QDs@CdIn2S4/CdWO4复合光催化剂。对其晶型结构、微观结构、光催化活性进行了测定,产品性能在降解有机污染物甲基橙和光解水制氢的光催化方面有很大提高。采用微波辅助法,具有反应迅速、产物晶相较好、操作方法简单实用等特点,试样和批量生产性能稳定可靠。

【技术实现步骤摘要】
CdSQDs@CdIn2S4/CdWO4材料的制备
本专利技术涉及CdSQDs@CdIn2S4/CdWO4光催化剂的合成方法,属于化工行业

技术介绍
传统能源消耗及其引起的相关环境问题,引发了人们对可再生和清洁能源的迫切需求。目前,许多半导体光催化剂已经应用于光解水制氢中,但是它们又各自的缺点却限制了其在实际中的应用。通常情况下,量子点具有可以利用热电子或用单一高能光子产生多个电荷载流子的特性,从而提高材料的光催化性能。而近年来,金属硫化物和钨酸盐因它们独特的光学和电学性质而备受关注,并且它们由于其合适的带隙和催化功能而在光催化中得到了研究。硫化镉(CdS)作为一个典型的Ⅱ-Ⅳ型半导体纳米结构可以进行可见光催化剂降解,同时CdS也是用于光解水制氢最有希望的材料之一,因为其在可见光下具有高活性,窄带隙(Eg=2.4eV)和用于将质子还原成H2的充分的负带边电位。CdWO4可以被高于其带隙的光能激发以诱导富能电子(e-)-空穴(h+)对,使得能通过光催化,使污染物降解成无毒的二氧化碳成分。而半导体材料CdIn2S4由于带隙较窄(1.7eV),导带位置(-0.76eV)更负而成为本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.CdS QDs@CdIn2S4/CdWO4光催化剂的合成方法,其特征是:称取醋酸镉(Cd(CH3COO)2),质量为0.5531±0.001 g,钨酸钠(Na2WO4),质量为0.5877±0.001 g,硝酸铟(In(NO3)3),质量为0.2551±0.001 g,硫脲(CH4N2S),质量为0.1218±0.001 g,将上述称量的药品溶解于30 mL二次蒸馏水,超声10 min后,搅拌30 min,得到均一透明的溶液,将溶液倒入100 mL聚四氟乙烯内衬的微波反应器中,进行反应温度为160±2 ℃,反应时间为90±3 min的微波水热反应。反应结束后,将沉淀物用去离子水和无水乙醇分...

【技术特征摘要】
1.CdSQDs@CdIn2S4/CdWO4光催化剂的合成方法,其特征是:称取醋酸镉(Cd(CH3COO)2),质量为0.5531±0.001g,钨酸钠(Na2WO4),质量为0.5877±0.001g,硝酸铟(In(NO3)3),质量为0.2551±0.001g,硫脲(CH4N2S),质量为0.1218±0.001g,将上述称量的药品溶解于30mL二次蒸馏水,超声10min后,搅拌30min,得到均一透明的溶液,将溶液倒入100mL聚四氟乙烯内衬的微波反应器中,进行反应温度为160±2℃,反应时间为90±3min的微波水热反应。反应结束后,将沉淀物用去离子水和无水乙醇分别反复洗涤4-5次,放入烘干箱,设定烘干温度60±2℃,干燥时间12+0.1h,取出得到产物CdIn2S4/CdWO4。称取醋酸镉(Cd(CH3COO)2),质量为0.0092±0.001g,硫脲(CH4N2S),质量为0.0030±0.001g,将二者溶解于10mL二次蒸馏水,逐滴加入巯基丙酸(C3H6O2S),体积为0.375±0.001mL,得到乳白色溶液,随后滴加1mol•L−1NaOH,至溶液透明,将溶液与产物混合,超声10min,将溶液倒入100mL聚四氟乙烯内衬的微波反应器中,进行反应温度为100±2℃,反应时间为60±3min的微波水热反应,,放入烘干箱,设定烘干温度60±2℃,干燥时间12+0.1...

【专利技术属性】
技术研发人员:李莉刘雁南王润田宇
申请(专利权)人:齐齐哈尔大学
类型:发明
国别省市:黑龙江,23

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