化学传感器制造技术

本发明专利技术公开了一种可以获得高检测精度的化学传感器。化学传感器(100)的特征在于，具有软磁膜(2)、磁阻效应元件(3)、配置于软磁膜(2)上的第一膜(10)、配置于磁阻效应元件(3)上的第二膜(20)，软磁膜(2)配置为，从与软磁膜(2)的膜面垂直的方向观察，其至少一部分不与磁阻效应元件(3)重叠，磁阻效应元件(3)配置为，从与软磁膜(2)的膜面垂直的方向观察，其至少一部分不与软磁膜(2)重叠，第二膜(20)相对于某特定液体的溶解度比第一膜(10)大。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】化学传感器
本专利技术涉及化学传感器，其用于检测试样中的被检测物质。
技术介绍
近年来，以疾病的鉴定、预防、诊断为目的，检测存在于受试体中的蛋白质、细菌、病毒、核酸等生物标志物的浓度或者有无的装置(生物传感器)的开发正在推进(例如参照专利文献1)。申请人在日本特愿2015－220728的申请中，作为用于检测试样中的生物体分子的生物传感器，提出有一种生物传感器100x，其特征在于，如图14的剖视图所示，具备磁阻效应元件3x、与磁阻效应元件3x相邻配置的软磁薄膜2x、覆盖软磁薄膜2x的表面的保护膜4x，在保护膜4x的外表面具备识别被检测物质的亲和性物质。另外，申请人在同申请中，作为使用具有这种磁阻效应元件的生物传感器的生物体分子的检测方法，提出有一种检测方法，其包括：将试样中的生物体分子经由亲和性物质累积于保护膜上的工序；经由生物体分子使磁珠累积于保护膜上的工序；在与软磁薄膜交叉的方向上施加磁场以向磁阻效应元件施加检测磁场并检测磁阻效应元件的电阻值的工序。据此，由于磁阻效应元件的电阻值和累积于保护膜上的磁珠的个数存在相关性，所以能够检测出试样中的生物体分子的数量。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特表2014－506999号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题专利技术人发现如下问题，在使用所述生物传感器(化学传感器)的生物体分子(被检测物质)的检测中，存在即使累积于保护膜上的磁珠的个数相同，磁阻效应元件的电阻值也会因保护膜上的磁珠的配置而发生变动，不能获得高检测精度。更详细而言，发现下述问题，一个磁珠配置于磁阻效应元件上时的磁阻效应元件的电阻值(或电阻值的变化)与配置于软磁性体薄膜上时的磁阻效应元件的电阻值(或电阻值的变化)不同，其结果是，当磁珠被配置于磁阻效应元件上和软磁性体薄膜上这两方时，即使累积于保护膜上的磁珠的个数相同，磁阻效应元件的电阻值也会因磁珠的配置而发生变动，不能获得高检测精度。本专利技术的目的在于，提供一种化学传感器，其能够获得高检测精度。用于解决问题的方案用于实现上述目的的本专利技术提供一种化学传感器，其特征在于，具有：软磁膜；磁阻效应元件；第一膜，所述第一膜配置于所述软磁膜上；第二膜，所述第二膜配置于所述磁阻效应元件上，所述软磁膜配置为，从与所述软磁膜的膜面垂直的方向观察，其至少一部分不与所述磁阻效应元件重叠，所述磁阻效应元件配置为，，从与所述软磁膜的膜面垂直的方向观察，其至少一部分不与所述软磁膜重叠，所述第二膜相对于某特定液体的溶解度比所述第一膜大。根据上述特征的化学传感器，通过使第二膜的溶解度比第一膜的溶解度大的液体与第一膜和第二膜接触，能够使第二膜优先溶解。在第一膜的与软磁膜对置的区域上配置磁珠时，即使磁珠配置在第二膜上即磁阻效应元件上，通过使第二膜优先溶解，也能够在维持配置于第一膜的与软磁膜对置的区域上的磁珠的同时，去除配置于第二膜上即磁阻效应元件上的磁珠。由此，因为能够在将磁珠配置于软磁膜上且实质上不配置于磁阻效应元件上的状态下进行被检测物质的检测，所以本专利技术的化学传感器能够获得高检测精度。进而，本专利技术的化学传感器的特征在于，所述第一膜配置于所述软磁膜和所述磁阻效应元件上，所述第二膜配置于所述第一膜上。进而，本专利技术的化学传感器的特征在于，所述特定液体是碱性液体。进而，本专利技术的化学传感器的特征在于，所述特定的液体酸性液体。进而，本专利技术的化学传感器的特征在于，所述第一膜的材料为选自由碳、类金刚石碳及树脂所构成的组中的至少一种。进而，本专利技术的化学传感器的特征在于，所述第一膜的材料为选自由硅、钛、锆、铟、钽、铁、钴、镍、铜、镉、铋、金、银、铑、钌、钯及它们的组合的合金所构成的组中的至少一种。进而，本专利技术的化学传感器的特征在于，所述第一膜的材料为选自由硅、钛、锆、铟、钽、铁、钴、镍、铜、镉、铋及它们的组合所构成的组中的至少一种的氧化物。进而，本专利技术的化学传感器的特征在于，所述第一膜的材料为选自由硅、钛、锆、铟、钽、铌、钼、钨、金、银、铑、钌、钯及它们的组合的合金所构成的组中的至少一种。进而，本专利技术的化学传感器的特征在于，所述第一膜的材料为选自由硅、钛、锆、铟、钽、铌、钼、钨及它们的组合所构成的组中的至少一种的氧化物。进而，本专利技术的化学传感器的特征在于，所述第二膜的材料为选自由铝、锌、镓、锡、铅、铌、钼、钨及它们的组合的合金所构成的组中的至少一种。进而，本专利技术的化学传感器的特征在于，所述第二膜的材料为选自由铝、锌、镓、锡、铅、铌、钼、钨及它们的组合所构成的组中的至少一种的氧化物。进而，本专利技术的化学传感器的特征在于，所述第二膜的材料为选自由铝、锌、镓、锡、铅、铁、钴、镍、铜、镉、铋及它们的组合的合金所构成的组中的至少一种。进而，本专利技术的化学传感器的特征在于，所述第二膜的材料为选自由铝、锌、镓、锡、铅、铁、钴、镍、铜、镉、铋及它们的组合所构成的组中的至少一种的氧化物。另外，用于实现上述目的的本专利技术提供一种化学传感器，其特征在于，具有：软磁膜；磁阻效应元件；第一膜，其配置于所述软磁膜上；第二膜，其配置于所述磁阻效应元件上，所述软磁膜配置为，从与所述软磁膜的膜面垂直的方向观察，其至少一部分不与所述磁阻效应元件重叠，所述磁阻效应元件配置为，从与所述软磁膜的膜面垂直的方向观察，其至少一部分不与所述软磁膜重叠，所述第一膜的材料为选自由硅、钛、锆、铟、钽、铁、钴、镍、铜、镉、铋、金、银、铑、钌、钯及它们的组合的合金所构成的组中的至少一种、选自由硅、钛、锆、铟、钽、铁、钴、镍、铜、镉、铋及它们的组合所构成的组中的至少一种的氧化物、或选自由碳、类金刚石碳及树脂所构成的组中的至少一种，所述第二膜的材料为选自由铝、锌、镓、锡、铅、铌、钼、钨及它们的组合的合金所构成的组中的至少一种、或选自由铝、锌、镓、锡、铅、铌、钼、钨及它们的组合所构成的组中的至少一种的氧化物。根据上述特征的化学传感器，相对于碱性液体，第一膜的材料不易溶解，第二膜的材料容易溶解，因此，通过使碱性液体与第一膜和第二膜接触，能够使第二膜优先溶解。在第一膜的与软磁膜对置的区域上配置磁珠时，即使磁珠被配置在第二膜上即磁阻效应元件上，通过使第二膜优先溶解，也能够在维持配置于第一膜的与软磁膜对置的区域上的磁珠的同时，去除配置于第二膜上即磁阻效应元件上的磁珠。由此，因为能够在将磁珠配置于软磁膜上且实质上不配置于磁阻效应元件上的状态下进行被检测物质的检测，所以本专利技术的化学传感器能够获得高检测精度。另外，用于实现上述目的的本专利技术提供一种化学传感器，其特征在于，具有：软磁膜；磁阻效应元件；第一膜，其配置于所述软磁膜上；第二膜，其配置于所述磁阻效应元件上，所述软磁膜配置为，从与所述软磁膜的膜面垂直的方向观察，其至少一部分不与所述磁阻效应元件重叠，所述磁阻效应元件配置为，从与所述软磁膜的膜面垂直的方向观察，其至少一部分不与所述软磁膜重叠，所述第一膜的材料为选自由硅、钛、锆、铟、钽、铌、钼、钨、金、银、铑、钌、钯及它们的组合的合金所构成的组中的至少一种、选自由硅、钛、锆、铟、钽、铌、钼、钨及它们的组合所构成的组中的至少一种的氧化物、或选自由碳、类金刚石碳及树脂所构成的组中的至少一种，所述第二膜的材料为选自由铝、锌、镓、锡、铅、铁、钴、镍、铜、镉、铋及它们的组合的合金所构成本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种化学传感器，其特征在于，具有：软磁膜；磁阻效应元件；第一膜，其配置于所述软磁膜上；第二膜，其配置于所述磁阻效应元件上，所述软磁膜配置为，从与所述软磁膜的膜面垂直的方向观察，其至少一部分不与所述磁阻效应元件重叠，所述磁阻效应元件配置为，从与所述软磁膜的膜面垂直的方向观察，其至少一部分不与所述软磁膜重叠，所述第二膜相对于某特定液体的溶解度比所述第一膜大。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.03.28 JP 2016-0634901.一种化学传感器，其特征在于，具有：软磁膜；磁阻效应元件；第一膜，其配置于所述软磁膜上；第二膜，其配置于所述磁阻效应元件上，所述软磁膜配置为，从与所述软磁膜的膜面垂直的方向观察，其至少一部分不与所述磁阻效应元件重叠，所述磁阻效应元件配置为，从与所述软磁膜的膜面垂直的方向观察，其至少一部分不与所述软磁膜重叠，所述第二膜相对于某特定液体的溶解度比所述第一膜大。2.根据权利要求1所述的化学传感器，其特征在于，所述第一膜配置于所述软磁膜和所述磁阻效应元件上，所述第二膜配置于所述第一膜上。3.根据权利要求1或2所述的化学传感器，其特征在于，所述特定液体是碱性液体。4.根据权利要求1或2所述的化学传感器，其特征在于，所述特定液体是酸性液体。5.根据权利要求1～4中任一项所述的化学传感器，其特征在于，所述第一膜的材料为选自由碳、类金刚石碳及树脂所构成的组中的至少一种。6.根据权利要求3所述的化学传感器，其特征在于，所述第一膜的材料为选自由硅、钛、锆、铟、钽、铁、钴、镍、铜、镉、铋、金、银、铑、钌、钯及它们的组合的合金所构成的组中的至少一种。7.根据权利要求3所述的化学传感器，其特征在于，所述第一膜的材料为选自由硅、钛、锆、铟、钽、铁、钴、镍、铜、镉、铋及它们的组合所构成的组中的至少一种的氧化物。8.根据权利要求4所述的化学传感器，其特征在于，所述第一膜的材料为选自由硅、钛、锆、铟、钽、铌、钼、钨、金、银、铑、钌、钯及它们的组合的合金所构成的组中的至少一种。9.根据权利要求4所述的化学传感器，其特征在于，所述第一膜的材料为选自由硅、钛、锆、铟、钽、铌、钼、钨及它们的组合所构成的组中的至少一种的氧化物。10.根据权利要求3、5、6或7所述的化学传感器，其特征在于，所述第二膜的材料为选自由铝、锌、镓、锡、铅、铌、钼、钨及它们的组合的合金所构成的组中的至少一种。11.根据权利要求3、5、6或7所述的化学传感器，其特征在于，所述第二膜的材料为选自由铝、锌、镓、锡、铅、铌、钼、钨及它们的组合所构成的组中的至少一种的氧化物。12.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：坪池祥生，原谷进，北川寿美子，菊川隆，柚贺春希，
申请(专利权)人：TDK株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP