高度多孔的碳酸镁及其生产方法技术

本发明专利技术涉及一种高度多孔的碳酸镁和其生产方法。根据本发明专利技术的方法提供了一种通过在基于溶胶‑凝胶的生产方法中的粉末形成步骤中控制CO2的聚集来控制所述高度多孔的碳酸镁的平均孔径的方式。所述方法使得有可能使所述平均孔径适应于待被负载到高度多孔的碳酸镁中的第二材料，例如药物化合物。根据本发明专利技术的高度多孔的碳酸镁包含具有10nm‑30nm范围内的平均尺寸的中孔。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】高度多孔的碳酸镁及其生产方法
本专利技术涉及一种高度多孔的碳酸镁和其生产方法。所述方法使得有可能控制所述高度多孔的碳酸镁的平均孔径。所述方法还使得能够有可能使所述平均孔径适应于待被负载到所述高度多孔的碳酸镁中的第二材料，例如药物化合物。
技术介绍
一类重要的纳米材料是由微孔材料和中孔材料构成的。最公知的微孔材料中的一些是沸石并且已经付出了很大的努力来开发这些用于气体分离和催化的结晶框架材料。特别是，发现一些沸石上的孔径是可调节的。孔径(或孔窗)可以通过进行不同类型的合成后处理，如阳离子交换、热/真空处理或脱水来控制。虽然沸石的窄孔使得它们在与小分子相关的应用中是非常理想的，但是目前正在开发许多不同类型的中孔材料以用于涉及更大分子的应用，包括二氧化硅、氧化铝、二氧化钛以及碳。在这些当中，中孔二氧化硅材料是得到最充分研究的并且这样的材料的形成是被充分理解的并且就例如色谱法的工业实施来说，它们已经达到了最远。对反应机制和最终结构的很好理解对于中孔材料朝向工业应用的发展来说是必要的。中孔二氧化硅的合成涉及表面活性剂液晶结构的复制和二氧化硅前体的聚合。去除有机表面活性剂产生了由硬二氧化硅框架支本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种包含中孔的高度多孔的碳酸镁，其特征在于所述中孔的平均孔径在10nm至30nm的范围内，并且所述材料具有大于120m2/g的表面积和大于0.5cm3/g的总孔体积，所述表面积和所述总孔体积从氮吸附等温线来确定。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.04.04 SE 1650452-41.一种包含中孔的高度多孔的碳酸镁，其特征在于所述中孔的平均孔径在10nm至30nm的范围内，并且所述材料具有大于120m2/g的表面积和大于0.5cm3/g的总孔体积，所述表面积和所述总孔体积从氮吸附等温线来确定。2.根据权利要求1所述的高度多孔的碳酸镁，其中所述表面积大于150m2/g，并且甚至更优选地大于200m2/g。3.根据权利要求1所述的高度多孔的碳酸镁，其中所述中孔的平均孔径在13nm至22nm的范围内。4.一种组合的药物化合物和药物载体，其特征在于所述药物载体是负载有所述药物化合物的根据权利要求1或3所述的高度多孔的碳酸镁。5.根据权利要求4所述的高度多孔的碳酸镁，其中所述药物化合物是难溶的或BSC第II类药物。6.根据权利要求5所述的高度多孔的碳酸镁，其中所述药物化合物是伊曲康唑。7.一种组合的美容化合物和载体，其特征在于所述载体是负载有所述美容化合物的根据权利要求1或3所述的高度多孔的碳酸镁。8.一种美容化合物，所述美容化合物包含根据权利要求1或3所述的高度多孔的碳酸镁，并且其中提供所述高度多孔的碳酸镁以从皮肤吸收过量的脂肪。9.一种医药化合物，所述医药化合物包含根据权利要求1或3所述的高度多孔的碳酸镁，并且其中提供所述高度多孔的碳酸镁以吸收过量的身体产物，如脓液和/或疮痂。10.根据权利要求1所述的高度多孔的碳酸镁，其特征在于所述包含中孔的高度多孔的碳酸镁适用于携带一种化合物或多种化合物，并且所述中孔已经被给予与待被负载到所述高度多孔的碳酸镁中的一种化合物或多种化合物的特征性的临界限制尺寸相关的特定平均孔径，所述临界限制尺寸经预先确定以减少所述一种化合物或多种化合物的无定形向结晶的转变，由此所述高度多孔的碳酸镁将作为防止结晶的载体。11.一种从氧化镁MgO生产高度多孔的碳酸镁的方法，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：奥切安·张，张鹏，西蒙·古斯塔夫松，萨拉·弗吕克斯特兰德安斯特伦，马里亚·斯特勒默，
申请(专利权)人：破坏性材料公司，
类型：发明
国别省市：瑞典,SE