中空二氧化硅粒子及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种可简便地获得碱金属含量被降低了的中空二氧化硅粒子的中空二氧化硅粒子的制造方法。本发明专利技术涉及一种中空二氧化硅粒子的制造方法，其包括下述工序(1)及(2)。(1)将于有机碱水溶液中溶解了二氧化硅的二氧化硅溶解液进行喷雾干燥，获得中空二氧化硅前体的工序。(2)将上述中空二氧化硅前体进行烧成，获得中空二氧化硅粒子的工序。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】中空二氧化硅粒子及其制造方法
本专利技术涉及一种中空二氧化硅粒子及其制造方法。
技术介绍
就具备形成内部空间的外壳部、且外壳部由包含二氧化硅的成分构成的中空二氧化硅粒子而言，由于具有低折射率、低介电常数、低导热率、低密度等特性，因此可期待作为抗反射材料、低介电材料、隔热材料、低密度填料的应用，备受关注。作为中空二氧化硅粒子的制造方法，已知有如下方法(模板法)：使二氧化硅之前体聚集、缩合于成为粒子内部空间的模板粒子(乳化油滴)的表面，在模板粒子的表面形成由包含二氧化硅的成分构成的外壳部后，去除模板粒子而制造中空二氧化硅粒子(例如专利文献1及2)。进而，作为其它的中空二氧化硅粒子的制造方法，已知有如下方法：将硅酸钠(水玻璃)等碱金属硅酸盐的水溶液进行喷雾干燥而制作二氧化硅前体粒子，对上述二氧化硅前体粒子进行酸处理而去除该前体粒子中的碱金属，制造中空二氧化硅粒子(例如专利文献3及4)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2009-203115号公报专利文献2：日本特开2011-126761号公报专利文献3：WO2013/121703专利文献4：日本特开2015-155373号公报专利技本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种中空二氧化硅粒子的制造方法，其包括下述工序(1)及(2)：(1)将于有机碱水溶液中溶解了二氧化硅的二氧化硅溶解液进行喷雾干燥，获得中空二氧化硅前体的工序；以及(2)将所述中空二氧化硅前体进行烧成，获得中空二氧化硅粒子的工序。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.04.20 JP 2016-0844371.一种中空二氧化硅粒子的制造方法，其包括下述工序(1)及(2)：(1)将于有机碱水溶液中溶解了二氧化硅的二氧化硅溶解液进行喷雾干燥，获得中空二氧化硅前体的工序；以及(2)将所述中空二氧化硅前体进行烧成，获得中空二氧化硅粒子的工序。2.根据权利要求1所述的中空二氧化硅粒子的制造方法，其中，所述工序(1)包括下述溶解工序：将二氧化硅混合于有机碱水溶液中，使二氧化硅溶解于有机碱水溶液而制备二氧化硅溶解液。3.根据权利要求1或2所述的中空二氧化硅粒子的制造方法，其中，所述有机碱为季铵盐。4.根据权利要求3所述的中空二氧化硅粒子的制造方法，其中，所述季铵盐是选自四甲基氢氧化铵、四乙基氢氧化铵、二甲基双(2-羟基乙基)氢氧化铵以及三甲基乙基氢氧化铵中的至少1种。5.根据权利要求1～4中任一项所述的中空二氧化硅粒子的制造方法，其中，所述二氧化硅溶解液中的二氧化硅浓度为2质量％以上且30质量％以下。6.根据权利要求1～5中任一项所述的中空二氧化硅粒子的制造方法，其中，所述二氧化硅溶解液中的二氧化硅相对于有机碱的摩尔比、即二氧化硅/有机碱为0.5以上。7.根据权利要求1～6中任一项所述的中空二氧化硅粒子的制造方法，其中，在所述工序(1)与所述工序(2)之间，还包括将通过喷雾干燥所获得的中空二氧化硅前体进行空气分级并选择性地回收的空气分级工序。8.根据权利要求1～7中任一项所述的中空二氧化硅粒子的制造方法，其中所述工序(2)中的烧成温度为700℃以上。9.一种中空二氧化硅粒子，其具备形成内部空间的外壳部，且所述外壳部由包含二氧化硅的成分构成，并且所述外壳部具有闭气孔，在观察所...

【专利技术属性】
技术研发人员：星田浩树，
申请(专利权)人：花王株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP