接合用铜糊料、接合体的制造方法及半导体装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术的接合用铜糊料是含有铜粒子、含铜以外的金属元素的第二粒子以及分散介质的接合用铜糊料，铜粒子含有体积平均粒径为0.12μm以上且0.8μm以下的亚微米铜粒子和体积平均粒径为2μm以上且50μm以下的微米铜粒子，亚微米铜粒子的含量及微米铜粒子的含量之和以铜粒子及第二粒子的质量的合计为基准，为80质量％以上，亚微米铜粒子的含量以亚微米铜粒子的质量及微米铜粒子的质量的合计为基准，为30质量％以上且90质量％以下，第二粒子的含量以铜粒子及第二粒子的质量的合计为基准，为0.01质量％以上且10质量％以下。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】接合用铜糊料、接合体的制造方法及半导体装置的制造方法
本专利技术涉及接合用铜糊料、使用了该接合用铜糊料的接合体的制造方法及半导体装置的制造方法、以及接合体及半导体装置。
技术介绍
制造半导体装置时，为了使半导体元件与引线框等(支撑构件)接合，使用各种的接合材料。半导体装置中，在150℃以上的高温下工作的功率半导体、LSI等的接合中，作为接合材料使用高熔点铅钎料。近年来，随着半导体元件的高容量化及省空间化，工作温度上升至高熔点铅钎料的熔点附近，变得难以确保连接可靠性。另一方面，随着RoHS管制强化，需要不含铅的接合材料。在此之前，也探讨了使用铅钎料以外的材料的半导体元件的接合。例如，下述专利文献1中提出了将银纳米粒子烧结而形成烧结银层的技术。已知这种烧结银针对动力循环的连接可靠性高(非专利文献1)。作为其他的材料，还提出了将铜粒子烧结而形成烧结铜层的技术。例如，下述专利文献2中公开了作为用于将半导体元件与电极接合的接合材料的含有氧化铜粒子及还原剂的接合用铜糊料。另外，下述专利文献3中公开了含有铜纳米粒子、铜微米粒子或铜亚微米粒子、或者它们两者的接合材料。现有技术文献专利文献专利文献1：本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种接合用铜糊料，其是含有铜粒子、含铜以外的金属元素的第二粒子以及分散介质的接合用铜糊料，其中，所述铜粒子含有体积平均粒径为0.12μm以上且0.8μm以下的亚微米铜粒子和体积平均粒径为2μm以上且50μm以下的微米铜粒子，所述亚微米铜粒子的含量及所述微米铜粒子的含量之和以所述铜粒子及所述第二粒子的质量的合计为基准，为80质量％以上，所述亚微米铜粒子的含量以所述亚微米铜粒子的质量及所述微米铜粒子的质量的合计为基准，为30质量％以上且90质量％以下，所述第二粒子的含量以所述铜粒子及所述第二粒子的质量的合计为基准，为0.01质量％以上且10质量％以下。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.04.28 JP 2016-0909811.一种接合用铜糊料，其是含有铜粒子、含铜以外的金属元素的第二粒子以及分散介质的接合用铜糊料，其中，所述铜粒子含有体积平均粒径为0.12μm以上且0.8μm以下的亚微米铜粒子和体积平均粒径为2μm以上且50μm以下的微米铜粒子，所述亚微米铜粒子的含量及所述微米铜粒子的含量之和以所述铜粒子及所述第二粒子的质量的合计为基准，为80质量％以上，所述亚微米铜粒子的含量以所述亚微米铜粒子的质量及所述微米铜粒子的质量的合计为基准，为30质量％以上且90质量％以下，所述第二粒子的含量以所述铜粒子及所述第二粒子的质量的合计为基准，为0.01质量％以上且10质量％以下。2.根据权利要求1所述的接合用铜糊料，其中，所述第二粒子为金属粒子。3.根据权利要求2所述的接合用铜糊料，其中，所述金属粒子含有选自锌、银、金、铂、锡、铟、钒、铝、镍、锑及钯中的至少1种金属。4.根据权利要求2所述的接合用铜糊料，其中，所述金属粒子含有选自锌、银、锡、铟及钒中的至少1种金属。5.根据权利要求2所述的接合用铜糊料，其中，所述金属粒子是锌粒子。6.根据权利要求5所述的接合用铜糊料，其中，所述锌粒子的长宽比为4以上。7.根据权利要求2～6中任一项所述的接合用铜糊料，其含有2种以上的所述金属粒子。8.根据权利要求1所述的接合用铜糊料，其中，所述第二粒子是脂肪酸金属盐粒子。9.根据权利要求8所述的接合用铜糊料，其中，所述脂肪酸金属盐粒子含...

【专利技术属性】
技术研发人员：川名祐贵，中子伟夫，石川大，须镰千绘，蔵渊和彦，江尻芳则，
申请(专利权)人：日立化成株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP