一种T型整流电路及相应的三相整流电路制造技术

本发明专利技术公开了一种T型整流电路及三相整流电路，其利用内部电路拓扑结构，使第一可控开关和第二可控开关均实现软开关，即零电压开关、零电流开关或零电压零电流开关，或以有限的dv/dt和di/dt进行通断切换，降低了可控开关的通断功耗，使T型整流电路在工作频率较高的情况下，通断功耗也可以很小。此外，本申请在传统的T型整流电路的基础上，只增加了一个电感、四个二极管和两个电容，不需额外增加可控开关及控制电路，所以本申请的T型整流电路可在基本不改变传统的T型整流电路的内部线路布局的情况下增设器件，使电路拓扑结构紧凑、母排设计简单，从而有利于电气布局和结构设计，且降低了改造成本。

【技术实现步骤摘要】
一种T型整流电路及相应的三相整流电路
本专利技术涉及整流
，特别是涉及一种T型整流电路及相应的三相整流电路。
技术介绍
目前，T型整流电路已得到广泛使用，请参照图1，图1为现有技术中的一种T型整流电路的结构示意图，该T型整流电路包括：两个竖向设置的整流二极管和两个横向设置的可控开关；其中，两个竖向设置的整流二极管正向串联连接，第一整流二极管D11的阴极与正母线连接，第二整流二极管D12的阳极与负母线连接；两个横向设置的可控开关反向串联连接(彼此之间漏极相连)、且位于中间桥臂上，中间桥臂的一端与两个整流二极管之间的连接点连接，其公共端作为T型整流电路的输入端，其另一端接至中线。在上述T型整流电路中，各可控开关均包括IGBT管及与该IGBT管反并联连接的续流二极管。其中，IGBT管的功耗可分为通态功耗和通断功耗，通断功耗又可分为开通阶段功耗和关断阶段功耗。当工作频率较低时(即开关频率较低)，通态功耗是IGBT管的主要功耗；但当工作频率增至较高时(即开关频率较高)，通断功耗则上升为主要功耗，其中，开通阶段功耗大于关断阶段功耗。可见，在工作频率较高的情况下，通断功耗较大，则会出现以下问本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种T型整流电路，其特征在于，包括第一可控开关、第一二极管、第二二极管、第一电容、第二可控开关、第三二极管、第四二极管、第二电容、电感、第一整流二极管及第二整流二极管，其中：所述第一可控开关的源极或发射极作为T型整流电路的中间桥臂的第一端，所述第一可控开关的漏极或集电极与所述第二可控开关的漏极或集电极连接，所述第二可控开关的源极或发射极作为所述中间桥臂的第二端；所述中间桥臂的第一端分别与所述第一整流二极管的阳极和所述第二整流二极管的阴极连接，其公共端作为所述T型整流电路的输入端，所述中间桥臂的第二端与所述电感的第一端连接，所述电感的第二端接至中线；所述第一二极管的阴极与所述第一整流二极管的...

【技术特征摘要】
1.一种T型整流电路，其特征在于，包括第一可控开关、第一二极管、第二二极管、第一电容、第二可控开关、第三二极管、第四二极管、第二电容、电感、第一整流二极管及第二整流二极管，其中：所述第一可控开关的源极或发射极作为T型整流电路的中间桥臂的第一端，所述第一可控开关的漏极或集电极与所述第二可控开关的漏极或集电极连接，所述第二可控开关的源极或发射极作为所述中间桥臂的第二端；所述中间桥臂的第一端分别与所述第一整流二极管的阳极和所述第二整流二极管的阴极连接，其公共端作为所述T型整流电路的输入端，所述中间桥臂的第二端与所述电感的第一端连接，所述电感的第二端接至中线；所述第一二极管的阴极与所述第一整流二极管的阴极连接，其公共端接至正母线，所述第一二极管的阳极分别与所述第二二极管的阴极和所述第一电容的第一端连接，所述第二二极管的阳极与所述第一可控开关的漏极或集电极或所述中间桥臂的第二端连接，所述第一电容的第二端与所述第一可控开关的源极或发射极连接；所述第四二极管的阳极与所述第二整流二极管的阳极连接，其公共端接至负母线，所述第四二极管的阴极分别与所述第三二极管的阳极和所述第二电容的第一端连接，所述第三二极管的阴极与所述第二可控开关的源极或发射极连接，所述第二电容的第二端与所述第二可控开关的漏极或集电极或所述中间桥臂的第一端连接；其中，所述第二二极管、第三二极管、第一电容及第二电容不同时接至所述中间桥臂的两端；所述T型整流电路用于利用内部电路拓扑结构，使所述第一可控开关和所述第二可控开关均实现软开关。2.如权利要求1所述的T型整流电路，其特征在于，所述第二二极管的阳极与所述第一可...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏先进，叶永发，黄文俊，
申请(专利权)人：厦门科华恒盛股份有限公司，漳州科华技术有限责任公司，
类型：发明
国别省市：福建,35