一种氮缺陷修饰反蛋白石结构氮化碳的制备方法技术

本发明专利技术提供了一种氮缺陷修饰反蛋白石结构氮化碳的制备方法。本方法通过硬模板法，将二氧化硅模板、氮化碳前驱体以及氮缺陷形成剂混合研磨，在惰性氛围下煅烧后，再经刻蚀剂刻蚀后得到氮缺陷修饰的反蛋白石结构氮化碳。本发明专利技术所述方法可以在保证反蛋白石结构的情况下引入氮缺陷并明显提高活性，制备的富缺陷的催化剂具有优异的光电性能，将其应用于光催化降解抗生素表现出非常高效的催化活性，该材料在光催化产氢、还原CO2、产H2O2等光催化领域也具有很好的应用前景。

【技术实现步骤摘要】
一种氮缺陷修饰反蛋白石结构氮化碳的制备方法
本专利技术涉及一种可用于高效降解抗生素的光催化剂，属于光催化

技术介绍
近年来，随着人口的大量增长，工业化进程的加快，由于大量工业废水及生活污水未处理达标排放，各类有机污染物进入环境当中，给饮用水安全及农产品安全带来了极大的威胁。其中，内分泌干扰物、抗生素、农药等各类有机污染物均在环境中大量检出。例如，诺氟沙星作为被广泛使用的人用抗生素之一，其广泛的使用导致细菌的耐药性增强，环境中的残留浓度水平越来越高，严重威胁着人类的健康安全。同时，由于抗生素本身具备的杀菌特性，在城市污水处理厂的生物处理过程中并不能被完全去除，因此，探索适用于受抗生素污染的水处理方法，开发新型绿色高效、适应性强的环境功能材料并用于受污水体的处理具有突出的研究意义及应用价值。半导体光催化技术作为现今的研究热点，具有环境友好且高效等特点，表现出巨大的应用潜力。在众多的材料中，石墨相氮化碳(g-C3N4)材料制备过程简单，光催化活性高。由于只含有地球上两种丰量元素C和N，所以是一种不会造成二次污染的绿色环保催化剂，且制备成本较低。但是，较高的电子空穴复合率，较低的比本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种氮缺陷修饰的反蛋白石结构氮化碳的制备方法，其特征在于该方法采取以下步骤：将一定量的二氰二胺，二氧化硅小球，氯化铵一起混合，研磨并混合均匀，在氩气气流保护中在520‑550℃煅烧后，得到的产品经过刻蚀、水洗、烘干得到所述氮缺陷修饰的反蛋白石结构氮化碳；其中所述二氧化硅小球由如下方法制备：将硅酸四乙酯加入乙醇中，搅拌均匀，形成溶液A；然后将水与氨水分别加入到乙醇中形成溶液B；将溶液A迅速加入溶液B中并在油浴中搅拌，反应完成后样品经离心水洗烘干后，将硅球按照一定质量分数分散在水中，在一定温度下蒸发排列，蒸干后得到排列整齐的SiO2小球。

【技术特征摘要】
1.一种氮缺陷修饰的反蛋白石结构氮化碳的制备方法，其特征在于该方法采取以下步骤：将一定量的二氰二胺，二氧化硅小球，氯化铵一起混合，研磨并混合均匀，在氩气气流保护中在520-550℃煅烧后，得到的产品经过刻蚀、水洗、烘干得到所述氮缺陷修饰的反蛋白石结构氮化碳；其中所述二氧化硅小球由如下方法制备：将硅酸四乙酯加入乙醇中，搅拌均匀，形成溶液A；然后将水与氨水分别加入到乙醇中形成溶液B；将溶液A迅速加入溶液B中并在油浴中搅拌，反应完成后样品经离心水洗烘干后，将硅球按照一定质量分数分散在水中，在一定温度下蒸发排列，蒸干后得到排列整齐的SiO2小球。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：其中二氰二胺的质量为0.6g，二氧化硅小球的质量为1g，氯化铵的质量为0.6g。3.根据权利要求1-2所述的制备方法，其特征在于：所述二氧化硅小球的直径约为200nm，制备所述二氧化硅小球的方法如下：将8mL硅酸四乙酯加入92mL乙醇中，搅拌使其均匀，形成溶液A；然后将29.4mL水与14...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘勇弟，雷菊英，田云浩，张金龙，王灵芝，周亮，陈斌，
申请(专利权)人：华东理工大学，
类型：发明
国别省市：上海,31