一种基于高压冲击续流的长间隙强流放电系统技术方案

技术编号:19854877 阅读:54 留言:0更新日期:2018-12-22 11:09
本发明专利技术公开了一种基于高压冲击续流的长间隙强流放电系统,包括:大电流系统、高电压预电离系统、续流系统以及测控回路;其中高压预电离系统包括充电电路、储能电容、开关、硅堆和限流电阻;大电流系统包括充电回路、储能电容和开关;续流系统主要是由高压电源、硅堆、限流电阻、采样电阻构成;测控回路主要是继电器;续流系统设置采样电阻,当高压预电离系统放电击穿长间隙后,续流系统自动导通,保持长间隙导通状态的弧压,此时继电器接受采样电阻电压信号控制电流回路开关闭合,实现大电流注入长间隙。本发明专利技术适用于长间隙的大电流试验,通过视在功率平衡原则,较大程度上降低试验所需电容成本,并提高试验的安全可靠性。

【技术实现步骤摘要】
一种基于高压冲击续流的长间隙强流放电系统
本专利技术涉及高电压技术与脉冲功率技术,具体是一种基于高压冲击续流的长间隙强流放电系统。
技术介绍
高电压技术与脉冲功率技术虽然很成熟,但是传统方法实现长间隙的大电流注入,不仅要满足击穿该间隙的电压等级,还要满足电流等级,这就使得完成间隙长度100mm以上,10kA注入电流的试验器材的成本特别大,比如完成间隙长度1000mm,200kA注入电流的试验,视在功率S约为200000MVA,这几乎是不可能达到的。实际脉冲试验中,有时会对1000mm长间隙注入大电流,比如雷电防护试验中的分流条试验,目前国内现在几乎没有能力做200mm以上的长间隙注入200kA大电流的试验。
技术实现思路
本专利技术为解决现有技术的问题,提供一种基于高压冲击续流的长间隙强流放电系统,以期利用高压发生电路预电离长间隙的方式,在远低于长间隙击穿电压等级下实现长间隙的大电流击穿导通,从而在较大程度上降低试验所需电容成本,并提高试验的安全可靠性。为实现上述目的,本专利技术通过以下技术方案实现:本专利技术一种基于高压冲击续流的长间隙强流放电系统的特点包括:大电流系统、高电压预电离系本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于高压冲击续流的长间隙强流放电系统,其特征包括:大电流系统、高电压预电离系统、续流系统以及测控回路;所述高压预电离系统包括:电压充电回路、第一储能电容C1、第一开关K1、第一硅堆D1和第一限流电阻R1;所述电压充电回路与第一储能电容C1并联,所述第一储能电容C1依次与第一限流电阻R1、第一硅堆D1和第一开关K1串联后形成的电路结构与长放电间隙L并联,所述第一硅堆D1的正极接所述第一储能电容C1的高压侧,所述第一硅堆D1的负极接长放电间隙L的高压侧;所述大电流系统包括:电流充电回路、第二储能电容C2和第二开关K2;所述电流充电回路与第二储能电容C2并联,所述第二储能电容C2经第二开关K...

【技术特征摘要】
1.一种基于高压冲击续流的长间隙强流放电系统,其特征包括:大电流系统、高电压预电离系统、续流系统以及测控回路;所述高压预电离系统包括:电压充电回路、第一储能电容C1、第一开关K1、第一硅堆D1和第一限流电阻R1;所述电压充电回路与第一储能电容C1并联,所述第一储能电容C1依次与第一限流电阻R1、第一硅堆D1和第一开关K1串联后形成的电路结构与长放电间隙L并联,所述第一硅堆D1的正极接所述第一储能电容C1的高压侧,所述第一硅堆D1的负极接长放电间隙L的高压侧;所述大电流系统包括:电流充电回路、第二储能电容C2和第二开关K2;所述电流充电回路与第二储能电容C2并联,所述第二储能电容C2经第二开关K2与长放电间隙并联;所述续流系统是由高压电源、第二硅堆D2、第二限流电阻R2、采样电阻Rs构成;所述高压电源依次经第二限流电阻R2、第二硅堆D2、采样电阻Rs后与长放...

【专利技术属性】
技术研发人员:段泽民司晓亮仇善良
申请(专利权)人:合肥航太电物理技术有限公司
类型:发明
国别省市:安徽,34

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