一种铀矿测井的4H-SiC中子探测器制造技术

本实用新型专利技术公开一种铀矿测井的4H‑SiC中子探测器，该探测器为肖特基结构，以n

【技术实现步骤摘要】
一种铀矿测井的4H-SiC中子探测器
本技术涉及核辐射探测
，尤其是应用于瞬发裂变中子铀矿测井的一种基于4H-SiC半导体的中子探测器。
技术介绍
中子探测器是瞬发裂变中子铀矿测井的关键部件。基于第三代宽带隙半导体材料4H-SiC的中子探测器具有体积小、响应快、禁带能宽、能量线性度好、能量线性度高、位置分辨率好、抗高温和耐辐照等众多优点。相比于常规的半导体中子探测器、3He正比计数管、BF3正比计数管和塑料闪烁体探测器，4H-SiC中子探测器在瞬发裂变中子探测中具有无可比拟的优势。基于硅(Si)、锗(Ge)和碲化镉(CdTe)、碲锌镉(CdZnTe)等常规半导体材料制备的中子探测器只能在常温或低温下保存和工作，同时辐射损伤会使其探测性能迅速变坏，因而不能应用于瞬发裂变中子铀矿测井这种高温度、强辐射等极端环境中的中子探测。3He正比计数管、BF3正比计数管作为两种气体探测器，体积大、反应慢、抗γ性能差，还不能满足高通量的应用需求，特别是3He气体还主要依赖于进口，所以研究可替代的新型热中子探测器是非常必要的。塑料闪烁体探测器也应用于热中子探测，其缺点是体积大，含氢元素多，对反应性本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种铀矿测井的4H‑SiC中子探测器，其特征在于：该探测器为肖特基结构，该探测器的结构从下至上依次为Au保护层（6）、Ni金属欧姆接触（5）、Ti金属（4）、n+型4H‑SiC衬底（1）、n+型缓冲层（2）、n‑型4H‑SiC外延层（3）、Ni金属肖特基接触（7）、SiO2保护层（8）、Si3N4保护层（9）、6LiF中子转换层（10）。

【技术特征摘要】
1.一种铀矿测井的4H-SiC中子探测器，其特征在于：该探测器为肖特基结构，该探测器的结构从下至上依次为Au保护层（6）、Ni金属欧姆接触（5）、Ti金属（4）、n+型4H...

【专利技术属性】
技术研发人员：魏雄，王仁波，张雪昂，瞿金辉，吴光文，黄河，
申请(专利权)人：东华理工大学，
类型：新型
国别省市：江西,36