表面处理剂制造技术

本发明专利技术提供一种表面处理剂，其是含有(a)含氟硅烷化合物和(b)含氟表面活性剂而成的，在该表面处理剂中，(b)含氟表面活性剂相对于(a)含氟硅烷化合物和(b)含氟表面活性剂的合计的比例为6质量％以上。

【技术实现步骤摘要】
表面处理剂
本专利技术涉及表面处理剂、以及使用表面处理剂的物品。
技术介绍
已知某些种类的含氟硅烷化合物用于基材的表面处理时，能够提供优异的拨水性、拨油性、防污性等。作为这种含氟硅烷化合物，已知分子主链上具有全氟聚醚基、分子末端或末端部具有与Si原子键合的能够水解的基团的、含全氟聚醚基的硅烷化合物。例如，专利文献1中记载了分子末端或末端部具有与Si原子键合的能够水解的基团的含全氟聚醚基的硅烷化合物。由含有如上所述的含氟硅烷化合物的表面处理剂得到的层(以下也称为“表面处理层”)作为所谓的功能性薄膜，施加在玻璃等上。特别是上述表面处理层即使为薄膜也能够发挥如上所述的功能，因此，适用于要求光透射性或透明性的触摸面板以及便携终端的操作画面等光学部件。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2013-117012号公报
技术实现思路
本专利技术的专利技术人发现应用了由如上所述的含氟硅烷化合物得到的表面处理层的基材，存在容易带电的问题。将这种容易带电的基材用于电子部件时，有时成为电子部件的性能不良的原因。本专利技术的目的在于提供一种带电性低的表面处理层。本专利技术的专利技术人为了解决上述问题进行了深入研究，结果发现通过使含有含氟硅烷化合物的表面处理剂含有规定量的阴离子性表面活性剂，能够形成带电性低的表面处理层，从而完成了本专利技术。根据本专利技术的第一要点，提供一种表面处理剂，其含有(a)含氟硅烷化合物和(b)含氟表面活性剂，其中，(b)含氟表面活性剂相对于(a)含氟硅烷化合物和(b)含氟表面活性剂的合计的比例为1质量％以上30质量％以下。根据本专利技术的第二要点，提供一种包括基材、和由上述本专利技术的表面处理剂形成的层的物品。专利技术效果根据本专利技术，通过使用含有含氟硅烷化合物和含氟表面活性剂的表面处理剂形成表面处理层，能够提供带电性低、由含氟硅烷化合物形成的表面处理层。具体实施方式以下，对本专利技术的表面处理剂进行说明。本专利技术的表面处理剂含有(a)含氟硅烷化合物、和(b)含氟表面活性剂。·含氟硅烷化合物作为上述含氟硅烷化合物，只要是具有赋予表面特性的含氟部分、和赋予与其它物质的结合能力的硅烷部分的物质即可，没有特别限定。在优选的方式中，含氟硅烷化合物为含全氟聚醚基的硅烷化合物(以下也称为“含PFPE的硅烷化合物”)。在优选的方式中，上述含全氟聚醚基的硅烷化合物为(A1)、(A2)、(B1)、(B2)、(C1)、(C2)、(D1)或(D2)所示的化合物。(Rf-PFPE)β1’-X3-(SiR13n1R143-n1)β1…(B1)(R143-n1R13n1Si)β1-X3-PFPE-X3-(SiR13n1R143-n1)β1…(B2)(Rf-PFPE)γ1’-X5-(SiRak1Rb11Rcm1)γ1…(C1)(Rcm1Rb11Rak1Si)γ1-X5-PFPE-X5-(SiR3k1Rb11Rcm1)γ1…(C2)(Rf-PFPE)δ1’-X7-(CRdk2Re12Rfm2)δ1…(D1)(Rfm2Re12Rdk2C)δ1-X7-PFPE-X7-(CRdk2Re12Rfm2)δ1…(D2)以下，对上述式(A1)、(A2)、(B1)、(B2)、(C1)、(C2)、(D1)和(D2)所示的含PFPE的硅烷化合物进行说明。在本说明书中使用时，“2～10价的有机基团”表示含有碳的2～10价的基团。作为该2～10价的有机基团，没有特别限定，可列举从烃基中进一步脱离了1～9个氢原子后的2～10价的基团。作为2价的有机基团，没有特别限定，可列举从烃基中进一步脱离了1个氢原子后的2价的基团。在本说明书中使用时，“烃基”是含有碳和氢的基团，表示从分子中脱离了1个氢原子后的基团。作为该烃基，没有特别限定，可列举可以被1个或1个以上的取代基取代的碳原子数1～20的烃基，例如脂肪族烃基、芳香族烃基等。上述“脂肪族烃基”可以为直链状、支链状或环状的任一种，也可以是饱和或不饱和的任一种。另外，烃基也可以包含1个或1个以上的环结构。其中，该烃基在其末端或分子链中可以具有1个或1个以上的N、O、S、Si、酰胺、磺酰基、硅氧烷、羰基、羰氧基等。在本说明书中使用时，作为“烃基”的取代基，没有特别限定，可列举例如：卤原子；可以被1个或1个以上的卤原子取代的、选自C1-6烷基、C2-6烯基、C2-6炔基、C3-10环烷基、C3-10不饱和环烷基、5～10元的杂环基、5～10元的不饱和杂环基、C6-10芳基和5～10元的杂芳基中的1个或1个以上的基团。在本说明书中，只要没有特殊说明，烷基和苯基可以为非取代，也可以被取代。作为该基团的取代基，没有特别限定，可列举例如选自卤原子、C1-6烷基、C2-6烯基和C2-6炔基中的1个或1个以上的基团。式(A1)和(A2)：上述式中，Rf在每次出现时独立地表示可以被1个或1个以上的氟原子取代的碳原子数1～16的烷基。上述可以被1个或1个以上的氟原子取代的碳原子数1～16的烷基中的“碳原子数1～16的烷基”可以为直链，也可以为支链，优选为直链或支链的碳原子数1～6、特别是碳原子数1～3的烷基，更优选为直链的碳原子数1～3的烷基。上述Rf优选为被1个或1个以上的氟原子取代的碳原子数1～16的烷基，更优选为CF2H-C1-15氟代亚烷基或C1-16全氟烷基，进一步优选为C1-16全氟烷基。该碳原子数1～16的全氟烷基可以为直链，也可以为支链，优选为直链或支链的碳原子数1～6、特别是碳原子数1～3的全氟烷基，更优选为直链的碳原子数1～3的全氟烷基，具体为-CF3、-CF2CF3或-CF2CF2CF3。上述式中，PFPE在每次出现时独立地为-(OC6F12)a-(OC5F10)b-(OC4F8)c-(OC3F6)d-(OC2F4)e-(OCF2)f-所示的基团。式中，a、b、c、d、e和f分别独立地为0以上200以下的整数，a、b、c、d、e和f之和至少为1。优选a、b、c、d、e和f分别独立地为0以上100以下的整数。优选a、b、c、d、e和f之和为5以上，更优选为10以上。优选a、b、c、d、e和f之和为200以下，更优选为100以下，例如为10以上200以下，更具体而言，为10以上100以下。另外，标注a、b、c、d、e或f且用括号括起来的各重复单元的存在顺序在式中是任意的。这些重复单元可以为直链状，也可以为支链状，优选为直链状。例如-(OC6F12)-可以为-(OCF2CF2CF2CF2CF2CF2)-、-(OCF(CF3)CF2CF2CF2CF2)-、-(OCF2CF(CF3)CF2CF2CF2)-、-(OCF2CF2CF(CF3)CF2CF2)-、-(OCF2CF2CF2CF(CF3)CF2)-、-(OCF2CF2CF2CF2CF(CF3))-等，优选为-(OCF2CF2CF2CF2CF2CF2)-。-(OC5F10)-可以为-(OCF2CF2CF2CF2CF2)-、-(OCF(CF3)CF2CF2CF2)-、-(OCF2CF(CF3)CF2CF2)-、-(OCF2CF2CF(CF3)CF2)-、-(OCF2CF2CF2CF(CF3))-等，优选为-(OCF2CF2CF2CF2CF2)-。-(OC4F8)-可以为-(OCF2CF2CF2CF2)-、-(本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种表面处理剂，其特征在于：含有(a)含氟硅烷化合物和(b)含氟表面活性剂，在该表面处理剂中，(b)含氟表面活性剂相对于(a)含氟硅烷化合物和(b)含氟表面活性剂的合计的比例为6质量％以上。

【技术特征摘要】
1.一种表面处理剂，其特征在于：含有(a)含氟硅烷化合物和(b)含氟表面活性剂，在该表面处理剂中，(b)含氟表面活性剂相对于(a)含氟硅烷化合物和(b)含氟表面活性剂的合计的比例为6质量％以上。2.根据权利要求1所述的表面处理剂，其特征在于：所述含氟硅烷化合物是含全氟聚醚基的硅烷化合物。3.根据权利要求1或2所述的表面处理剂，其特征在于：所述含氟硅烷化合物为式(A1)、(A2)、(B1)、(B2)、(C1)、(C2)、(D1)或(D2)所示的至少1种含全氟聚醚基的硅烷化合物，(Rf-PFPE)β1’-X3-(SiR13n1R143-n1)β1…(B1)(R143-n1R13n1Si)β1-X3-PFPE-X3-(SiR13n1R143-n1)β1…(B2)(Rf-PFPE)γ1’-X5-(SiRak1Rb11Rcm1)γ1…(C1)(Rcm1Rb11Rak1Si)γ1-X5-PFPE-X5-(SiRak1Rb11Rcm1)γ1…(C2)(Rf-PFPE)δ1’-X7-(CRdk2Rel2Rfm2)δ1…(D1)(Rfm2Re12Rdk2C)δ1-X7-PFPE-X7-(CRdk2Rel2Rfm2)δ1(D2)式中，PFPE在每次出现时分别独立地为式-(OC6F12)a-(OC5F10)b-(OC4F8)c-(OC3F6)d-(OC2F4)e-(OCF2)f-所示的基团，式中，a、b、c、d、e和f分别独立地为0以上200以下的整数，a、b、c、d、e和f之和至少为1，标注a、b、c、d、e或f且用括号括起来的各重复单元的存在顺序在式中是任意的；Rf在每次出现时分别独立地表示可以被1个或1个以上的氟原子取代的碳原子数1～16的烷基；R13在每次出现时分别独立地表示羟基或能够水解的基团；R14在每次出现时分别独立地表示氢原子或碳原子数1～22的烷基；R11在每次出现时分别独立地表示氢原子或卤原子；R12在每次出现时分别独立地表示氢原子或低级烷基；n1在每个(-SiR13n1R143-n1)单元中独立地为0～3的整数；其中，在式(A1)、(A2)、(B1)和(B2)中，至少1个n1为1～3的整数；X1在每次出现时分别独立地表示单键或2～10价的有机基团；X2在每次出现时分别独立地表示单键或2价的有机基团；t在每次出现时分别独立地为1～10的整数；α1在每次出现时分别独立地为1～9的整数；α1′分别独立地为1～9的整数；X3在每次出现时分别独立地表示单键或2～10价的有机基团；β1在每次出现时分别独立地为1～9的整数；β1′分别独立地为1～9的整数；X5在每次出现时分别独立地表示单键或2～10价的有机基团；γ1在每次出现时分别独立地为1～9的整数；γ1′分别独立地为1～9的整数；Ra在每次出现时分别独立地表示-Z3-SiR71p1R72q1R73r1；Z3在每次出现时分别独立地表示氧原子或2价的有机基团；R71在每次出现时分别独立地表示Ra′；Ra′的含义与Ra相同；Ra中，经由Z3基以直链状连接的Si最多为5个；R72在每次出现时分别独立地表示羟基或能够水解的基团；R73在每次出现时分别独立地表示氢原子或低级烷基；p1在每次出现时分别独立地为0～3的整数；q1在每次出现时分别独立地为0～3的整数；r1在每次出现时分别独立地为0～3的整数；其中，在每个(-Z3-SiR71p1R72q1R73r1)中，p1、q1和r1之和为3，在式(C1)和(C2)中，至少1个q1为1～3的整数；Rb在每次出现时分别独立地表示羟基或能够水解的基团；Rc在每次出现时分别独立地表示氢原子或低级烷基；k1在每次出现时分别独立地为0～3的整数；l1在每次出现时分别独立地为0～3的整数；m1在每次出现时分别独立地为0～3的整数；其中，在每个(SiRak1Rbl1Rcm1)中，k1、l1和m1之和为3；X7分别独立地表示单键或2～10价的有机基团；δ1分别独立地为1～9的整数；δ1′分别独立地为1～9的整数；Rd在每次出现时分别独立地表示-Z4-CR81p2R82q2R83r2；Z4在每次出现时分别独立地表示氧原子或2价的有机基团；R81在每次出现时分别独立地表示Rd′；Rd′的含义与Rd相同；Rd中，经由Z4基以直链状连接的C最多为5个；R82在每次出现时分别独立地表示-Y-SiR85n2R863-n2；Y在每次出现时分别独立地表示2价的有机基团；R85在每次出现时分别独立地表示羟基或能够水解的基团；R86在每次出现时分别独立地表示氢原子或低级烷基；n2在每个(-Y-SiR85n2R863-n2)单元中独立地表示0～3的整数；R83在每次出现时分别独立地表示氢原子或低级烷基；p2在每次出现时分别独立地为0～3的整数；q2在每次出现时分别独立地为0～3的整数；r2在每次出现时分别独立地为0～3的整数；其中，在每个(-Z4-CR81p2R82q2R83r2)中，p2、q2和r2之和为3；Re在每次出现时分别独立地表示-Y-SiR85n2R863-n2；Rf在每次出现时分别独立地表示氢原子或低级烷基；k2在每次出现时分别独立地为0～3的整数；l2在每次出现时分别独立地为0～3的整数；m2在每次出现时分别独立地为0～3的整数；其中，在每个(CRdk2Rel2Rfm2)中，k2、l2和m2之和为3，在式(D1)和(D2)中，n2为1以上的-Y-SiR85n2R863-n2所示的基团存在2个以上。4.根据权利要求1～3中任一项所述的表面处理剂，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：福田晃之，石井大贵，
申请(专利权)人：大金工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP