用于GDMS检测的钛晶样品制备方法及钛晶样品技术

一种用于GDMS检测的钛晶样品制备方法及钛晶样品，其中，钛晶样品制备方法包括提供多片钛晶；提供基底，将多片所述钛晶固定设置于所述基底。通过将多片钛晶固定设置于基底形成钛晶样品，使得一个钛晶样品同时具有多片钛晶，相较于单片钛晶，质量更大、代表性更好，更能够反映该批次钛晶整体的纯度。另外，若钛晶样品上的多片钛晶选自电解过程中不同时间段上生成的钛晶，则能够在较大程度上消除因时间段不同而导致的不同钛晶之间纯度差异，进一步能使钛晶样品更好的反映该批次钛晶整体的纯度。

【技术实现步骤摘要】
用于GDMS检测的钛晶样品制备方法及钛晶样品
本专利技术涉及半导体
，具体涉及一种用于GDMS检测的钛晶样品制备方法及钛晶样品。
技术介绍
钛晶是低纯度钛在电解的过程中，在阴极生成的晶体状纯度较高的钛。钛晶通常用于制作高纯度钛铸锭，若钛晶的纯度较低，则会使加工制造的钛铸锭因纯度不达标而不合格。因此，在利用钛晶制作高纯度钛铸锭之前，需要对钛晶的纯度进行检测。现有技术中，通常在同一批次钛晶中，制备钛晶样品，利用辉光放电质谱法(GlowDischargeMassSpectrometry,GDMS)对钛晶样品的纯度进行测定。其中，钛晶样品是否能够较好的反映该批次钛晶纯度的整体水平最为关键，因此，如何制备钛晶样品，使其能够较好的反映同一批次钛晶纯度的整体水平，是现有技术亟待解决的技术问题。
技术实现思路
本专利技术解决的问题是如何制备钛晶样品，使其能够较好的反映同一批次钛晶纯度的整体水平。为解决上述问题，本专利技术提供一种用于GDMS检测的钛晶样品制备方法，包括：提供多片钛晶；提供基底，将多片所述钛晶固定设置于所述基底。可选的，将所述钛晶固定设置于所述基底的方法包括：提供相对设置的底盘和压盘，所述基底设置于所述底盘，且位于所述底盘、压盘之间；将多片所述钛晶放置于所述基底朝向压盘的表面上；控制所述压盘、底盘相互靠近，对所述钛晶施加作用力，使所述钛晶嵌入至所述基底中。可选的，所述基底为铟基底或镓基底。可选的，所述铟基底的杂质含量在10-7以下；或，所述镓基底的杂质含量在10-7以下。可选的，所述基底为圆盘状，所述基底的径向尺寸在15mm-30mm之间。可选的，所述底盘朝向所述压盘的面上设有凹槽，所述基底设置在所述凹槽内。可选的，所述压盘朝向所述底盘的面上设有凸起，所述凹槽、凸起相对设置，且所述凸起能够插入至所述凹槽中。可选的，所述底盘采用聚四氟乙烯材料，和/或，所述压盘采用聚四氟乙烯材料。可选的，所述钛晶还能够从所述基底上剥离，以实现钛晶与基底的分离。可选的，所述基底为铟基底，所述铟基底由多个铟块制成。可选的，所述铟基底的形成方法包括：将多个所述铟块放置于所述凹槽内；对所述底盘进行加热，使所述铟块融化；对所述底盘进行降温，使融化后的多个所述铟块冷凝形成所述铟基底。可选的，利用浓硝酸对冷凝形成的所述铟基底进行清洗。可选的，对所述底盘进行加热时，所述加热温度控制在180℃-220℃之间。可选的，对所述底盘进行降温的方法为：将所述底盘放置于空气中进行自然冷却。为解决上述技术问题，本专利技术还提供一种用于GDMS检测的钛晶样品，包括：多片钛晶；基底，多片所述钛晶固定设置于所述基底。可选的，所述钛晶固定嵌入于所述基底中。可选的，所述基底为铟基底或镓基底。可选的，所述铟基底的杂质含量在10-7以下；或，所述镓基底的杂质含量在10-7以下。可选的，所述基底为圆盘状，所述基底的径向尺寸在15mm-30mm之间。可选的，所述钛晶可剥离的设置于所述基底。与现有技术相比，本专利技术的技术方案具有以下优点：提供一种用于GDMS检测的钛晶样品制备方法，通过将多片钛晶固定设置于基底形成钛晶样品，使得一个钛晶样品同时具有多片钛晶。相较于单片钛晶，质量更大、代表性更好，更能够反映该批次钛晶整体的纯度。另外，若钛晶样品上的多片钛晶选自电解过程中不同时间段上生成的钛晶，则能够在较大程度上消除因时间段不同而导致的不同钛晶之间纯度差异，进一步能使钛晶样品更好的反映该批次钛晶整体的纯度。附图说明图1是本专利技术具体实施例钛晶样品的立体结构示意图；图2是本专利技术具体实施例底盘的立体结构示意图；图3是本专利技术具体实施例压盘的立体结构示意图；图4是本专利技术具体实施例钛晶样品制作流程图。具体实施方式专利技术人经研究发现，在电解过程中，钛晶的生成是一个持续的过程，且钛晶的形态一般为针状或树枝状，也就是说，在一段时间内，成针状或树枝状的钛晶会持续的在阴极位置处析出。现有技术中，检测钛晶纯度的方法通常为：在阴极位置处选取一片成针状或树枝状的钛晶作为钛晶样品，然后将其固定于夹具，利用辉光放电质谱法检测该钛晶样品的纯度，以反映同批次钛晶整体的纯度。此种检测方法存在以下技术问题：由于钛晶的生成是一个持续的过程，在不同时间段生成的钛晶的纯度有可能会有差异，选用其中一片钛晶作为样品有可能无法反映同批次钛晶整体的纯度。另外，单片钛晶质量小、代表性差，同样不能很好的反映同批次钛晶整体的纯度。而且，现有技术制备钛晶样品的过程还容易引入杂质，影响辉光放电质谱仪对钛晶样品的检测精度。因此，亟需一种新的制备钛晶样品的方法，使其能够较好的反映同一批次钛晶纯度的整体水平，且在制备过程中不容易引入杂质，影响检测。为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本专利技术的具体实施例做详细的说明。参照图1，一种用于GDMS检测的钛晶样品制备方法，包括：提供基底11和多片钛晶12，将所述钛晶12固定设置于所述基底11，形成钛晶样品10。由于钛晶样品10包括基底11，且基底11上设有多片钛晶12，相较于现有技术中单片钛晶作为钛晶样品，钛晶12的数量更多、质量更大、代表性更好，更能够反映同批次钛晶整体的纯度。而且，若钛晶样品10上的多片钛晶12选自电解过程中不同时间段上生成的钛晶，则能够在较大程度上消除因时间段不同而导致的不同钛晶之间纯度差异，进一步能使钛晶样品10更好的反映该同次钛晶整体的纯度。其中，钛晶12固定设置于基底11的方式可以包括以下几种：将钛晶12固定嵌入于基底11中，即基底11的表面具有凹槽，钛晶12位于凹槽中且被凹槽的壁面所卡紧，使得钛晶12无法脱落；或者，将钛晶12粘合于基底11的表面以实现固定；或者，在基底11的表面上设有固定件，钛晶12被所述固定件固定，以实现钛晶12固定设置于基底11。本实施例中，为了能够在不引入其他结构件的前提下，方便且有效的固定钛晶12；具体的，将钛晶12固定嵌入于基底11中。为了能够方便的将钛晶12嵌入至基底11中，基底11的材质不能具有太大的硬度；同时，基底11本身不能成为钛晶12的污染源，不能影响辉光放电质谱仪对钛晶12纯度的检测。因此，基底11的材料采用金属铟或镓。一方面，金属铟、镓均具有较低的硬度，通过较小的作用力便能够将钛晶12压入至铟基底或镓基底，同时还能够保证钛晶12不发生较大的变形。另一方面，钛晶12中的杂质，例如：铝、铁、钒、铬、锰等的含量对钛铸锭的性能具有非常大的影响，因而需要严格控制钛晶12中上述金属的含量，在检测过程中绝对不能引入含有上述金属物质的污染物。而金属铟、镓的含量并不影响钛铸锭的性能，辉光放电质谱仪也不检测钛晶12中铟、镓的含量。此外，在制造工艺中，相对能够获得较高纯度的铟和镓，避免铟、镓作为基底时由于本身纯度不高而引入杂质，导致钛晶纯度检测不准确。具体的，当采用铟作为基底材料时，铟基底的杂质含量应当控制在10-7以下，以保证铟基底不会影响辉光放电质谱仪对钛晶的纯度的检测。同样的，当采用镓作为基底材料时，镓基底的杂质含量也应当控制在10-7以下。具体在本实施例中，基底11采用铟基底。需要说明的是，辉光放电质谱仪具有一个容纳腔，该容纳腔的尺寸一般在40mm-50mm之间，当检测钛晶样品10时，需要将钛晶样品10放入该容纳腔内。因此，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于GDMS检测的钛晶样品制备方法，其特征在于，包括：提供多片钛晶；提供基底，将多片所述钛晶固定设置于所述基底。

【技术特征摘要】
1.一种用于GDMS检测的钛晶样品制备方法，其特征在于，包括：提供多片钛晶；提供基底，将多片所述钛晶固定设置于所述基底。2.如权利要求1所述的钛晶样品制备方法，其特征在于，将所述钛晶固定设置于所述基底的方法包括：提供相对设置的底盘和压盘，所述基底设置于所述底盘，且位于所述底盘、压盘之间；将多片所述钛晶放置于所述基底朝向压盘的表面上；控制所述压盘、底盘相互靠近，对所述钛晶施加作用力，使所述钛晶嵌入至所述基底中。3.如权利要求1所述的钛晶样品制备方法，其特征在于，所述基底为铟基底或镓基底。4.如权利要求3所述的钛晶样品制备方法，其特征在于，所述铟基底的杂质含量在10-7以下；或，所述镓基底的杂质含量在10-7以下。5.如权利要求1所述的钛晶样品制备方法，其特征在于，所述基底为圆盘状，所述基底的径向尺寸在15mm-30mm之间。6.如权利要求2所述的钛晶样品制备方法，其特征在于，所述底盘朝向所述压盘的面上设有凹槽，所述基底设置在所述凹槽内。7.如权利要求6所述的钛晶样品制备方法，其特征在于，所述压盘朝向所述底盘的面上设有凸起，所述凹槽、凸起相对设置，且所述凸起能够插入至所述凹槽中。8.如权利要求2所述的钛晶样品制备方法，其特征在于，所述底盘采用聚四氟乙烯材料，和/或，所述压盘采用聚四氟乙烯材料。9.如权利要求1所述的钛晶样品制备方法，其特征在于，所述钛晶还能够从所述基底上剥离，以实现钛晶与基底的分离。1...

【专利技术属性】
技术研发人员：姚力军，潘杰，相原俊夫，王学泽，罗明浩，陈胜洁，喻洁，
申请(专利权)人：宁波江丰电子材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33