一种促进白三叶根系及根瘤发育的方法技术

本发明专利技术涉及一种促进白三叶根系及根瘤发育的方法，具体包括以下步骤：S1、取培养基质至栽培容器内，同时，取根内根生囊霉分层接种至培养基质中；S2、将处理后的三叶草种子经过消毒，在光照培养箱内培养发芽后，择优植入步骤S1容器内，在生长初期定时向空气中喷洒一定量的水，保持空气湿润，盆内浇水时，采取见干浇透原则浇水管理；S3、光照管理采取田间管理方式。该方法能够加快植株根系生长，刺激根系根瘤的发育，提高固氮效率，方法简便，无污染，而且整个生长周期只需要接种一次，极具实用价值，易于推广使用。

【技术实现步骤摘要】
一种促进白三叶根系及根瘤发育的方法
本专利技术涉及植物栽培
，具体涉及一种促进白三叶根系及根瘤发育的方法。
技术介绍
白三叶(TrifoliumrepensLinn)属于豆科(Leguminosae)三叶草属(Trifolium)，也称车轴草属，又称白车轴草。白三叶作为一种优良豆科草种而广泛种植。近10年以来，我国草坪业快速发展，在2001年全国城市绿地面积为94万hm2,2010年发展到了213万hm2，增长了1.3倍。另一方面，白三叶作为一种优质牧草，在局部地区的畜牧业草种的选择上具有一定的优势。豆科植物具有良好的生态固氮效应，若能增强提高其对空气中和水中的氮素营养的吸收，将会在改善景观绿地草坪、扩大白三叶畜牧业草种的市场以及改善土壤环境方面都具有十分重要的地位。目前对植物生长调控的技术有很多，主要是对温度，光照以及生长调节剂的使用，但是对温度和光照的调控对其生长环境要求较高，也比较严格，在田间生产管理环节没法很好的进行控制；生长调节剂属于化肥的一种，容易在土壤中滞留有害的化学物质以及金属，对生态环境造成一定的危害。所以，现在一种有效的、操作简单和无污染的调控技术就显得尤为重要。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供了一种促进白三叶根系及根瘤发育的方法，这套技术能够有效地提高目白三叶根系及根瘤发育，使白三叶地上部鲜重、地下部鲜重以及根瘤数均明显提升。本专利技术提供了一种促进白三叶根系及根瘤发育的方法，步骤包括：S1、取培养基质至栽培容器内，取根内根生囊霉分层接种至培养基质中；S2、将白三叶草种苗植于栽培容器内，且使得种苗第一片真叶置于空气中，进行光合作用；S3、光照管理：白天保持平均温度为22℃-26℃，夜晚保持温度平均为15℃-18℃，光照时间为12-16h/d。优选的，步骤S1中，所述分层接种为：在栽培容器内先铺第一层培养基质，在第一层培养基质上接种第一层根内根生囊霉，再在第一层根内根生囊霉上覆盖第二层培养基质，在第二层培养基质上接种第二层根内根生囊霉，最后在第二层根内根生囊霉上覆盖第三层培养基质；所述第一层根内根生囊霉、第二层根内根生囊霉铺设重量比为1.8-2.2:1。更加优选的，所述第一层培养基质、第二层培养基质、第三层培养基质的铺设厚度比为3:5:4。优选的，将步骤S1所述根内根生囊霉扩繁后再进行分层接种，所述扩繁步骤包括：将根内根生囊霉接种至白三叶根系扩繁，收取白三叶根系的基质以及侵染的根段作为根内根生囊霉菌剂，将根内根生囊霉菌剂再进行分层接种，所述根内根生囊霉菌剂的孢子含量为21-25个/g。优选的，步骤S1中，所述基质为土与沙的混合物，且土与沙的体积比为4:1。更加优选的，步骤S1所述土为经过4mm-6mm目筛，120-125℃和0.10-0.12MPa下灭菌0.8-1.2h的高温高压灭菌土。优选的，步骤S2所述白三叶草种苗经处理后植于栽培容器内，所述处理方法步骤包括：取饱满的白三叶种子，用水浸泡7-9h，用质量百分比95％的乙醇消毒3-7min，再用质量百分比3％的HCl溶液浸泡3-7min，无菌水冲洗，然后均匀分散于培养皿中，所述培养皿中放置有经灭菌的无菌水湿润滤纸，将培养皿至于20℃-26℃温度下使白三叶种子发芽。更加优选的，步骤S2中，选择大小高矮一致的健壮白三叶草种苗植于栽培容器内。优选的，步骤S2中，对白三叶草种苗采取见干浇透的浇水管理方式。与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：本申请在白三叶种苗种植时，分层接种根内根生囊酶以及分层接种的深度等技术要求，使得白三叶生根后能快速接触到菌种，明显加快植株根系生长，刺激根系根瘤的发育，提高固氮效率，方法简便，无污染，而且整个生长周期只需要接种一次。同时改善了其栽培基质的理化性质、提高土壤肥力，有助于其他植物在栽培基质上继续播种，均有利于播种植物的根系发育与生长。具体实施方式为了便于理解本专利技术，下文将结合和实施例对本专利技术作更全面、细致地描述，但本专利技术的保护范围并不限于以下具体的实施例。除非另有定义，下文中所使用的所有专业术语与本领域技术人员通常理解的含义相同。本文中所使用的专业术语只是为了描述具体实施例的目的，并不是旨在限制本专利技术的保护范围。除非另有特别说明，本专利技术中用到的各种原材料、试剂、仪器和设备等，均可通过市场购买得到或者可通过现有方法制备得到。实施例1本实施例提供了一种促进白三叶根系及根瘤发育的方法，步骤与实施例1基本相同，区别在于：S1、取培养基质至栽培容器内，同时，取根内根生囊霉分层接种至培养基质中。具体的，所述培养基质为土与沙的混合物，且土与沙的体积比为4:1，土为经过4mm-6mm目筛，121℃和0.11Pa下灭菌1h的高温高压灭菌土。所述栽培容器为上口内径15cm、盆底内径10cm、盆高12cm的塑料盆。根内根生囊霉本是以白三叶为寄主植物，将根内根生囊霉接种至白三叶根系，扩繁完成后收取的白三叶根系的基质以及侵染的根段为根内根生囊霉菌剂，将根内根生囊霉菌剂再进行分层接种，每克所述根内根生囊霉菌剂的孢子含量为23个左右。本实施例中采用的根内根生囊霉菌株是从中国丛枝菌根真菌种质资源库(BGC)获得，本申请的实施并不仅依赖于该株菌株，采用其他方式获得的根内根生囊霉菌株也能达到近似技术效果。上述分层接种的具体步骤为：在栽培容器中先铺一层3cm的培养基质，再接种一层根内根生囊霉菌剂且此层根内根生囊酶菌剂的用量为53.2g(1224个孢子)，在根内根生囊霉菌剂上覆盖高度为5cm的培养基质，再接种一层根内根生囊霉菌剂，此时根内根生囊霉菌剂用量为26.6g(612个孢子)，最后再覆盖一层4cm的培养基质。且先后接种的两层根内根生囊霉菌剂的质量比为2:1。不同容积的栽培基质对应的培养基质层及根内根生囊霉菌剂的用量有所差异，保证分层接种根内根生囊霉菌剂后，容器内培养基质从上至下的厚度比为：4:5:3，先后接种的两层根内根生囊霉菌剂的质量比为2:1即可。S2、将经过处理后的白三叶草种苗植于步骤S1的栽培容器内，且使得种苗第一片真叶置于空气中，进行光合作用，采取见干浇透的浇水管理；白三叶草种苗的处理方法为：取饱满的白三叶种子数颗，用清水浸泡8h，用质量百分比95％的乙醇消毒5min，再用质量比3％的HCl水溶液浸泡5min，无菌水冲洗数次，然后均匀分散于置有经灭菌的无菌水湿润滤纸直径9cm的培养皿中，20℃-26℃发芽，发芽过程中视滤纸潮湿程度喷洒适量无菌水。待种子长出第一片真叶后，选取大小高矮一致的健壮幼苗播种于步骤S1所得含有分层接种根内根生囊霉菌剂基质的栽培容器中，每盆12颗。按两种不同处理方式设置实验组和对照组，每种处理4盆，实验组为按本实施例提供的促进白三叶根系及根瘤发育的方法培育白三叶草，对照组与实验组的区别在于未接种根内根生囊霉菌剂。S3、光照管理：田间光照管理。种植时间为春季3-5月份为最佳季节，尽量选择在最佳季节进行上述播种后进行田间光照管理。白天平均温度为22℃-26℃之间。夜晚温度平均为15℃-18℃之间。光照时间为14h/d。S4、试验记录：植株生长满100天后收获，人工测定白三叶地上部鲜重、地下部鲜重、根瘤数以及不定根生根点数。具体结果如表1所示。表1白三叶地上部鲜重、地下部鲜重、根瘤数以及不定根生根点数对本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种促进白三叶根系及根瘤发育的方法，其特征在于：步骤包括：S1、取培养基质至栽培容器内，取根内根生囊霉分层接种至培养基质中；S2、将白三叶草种苗植于栽培容器内，且使得种苗第一片真叶置于空气中进行光合作用；S3、光照管理：白天保持平均温度为22℃‑26℃，夜晚保持温度平均为15℃‑18℃，光照时间为12‑16h/d。

【技术特征摘要】
1.一种促进白三叶根系及根瘤发育的方法，其特征在于：步骤包括：S1、取培养基质至栽培容器内，取根内根生囊霉分层接种至培养基质中；S2、将白三叶草种苗植于栽培容器内，且使得种苗第一片真叶置于空气中进行光合作用；S3、光照管理：白天保持平均温度为22℃-26℃，夜晚保持温度平均为15℃-18℃，光照时间为12-16h/d。2.如权利要求1所述的促进白三叶根系及根瘤发育的方法，其特征在于：步骤S1中，所述分层接种为：在栽培容器内先铺第一层培养基质，在第一层培养基质上接种第一层根内根生囊霉，再在第一层根内根生囊霉上覆盖第二层培养基质，在第二层培养基质上接种第二层根内根生囊霉，最后在第二层根内根生囊霉上覆盖第三层培养基质；所述第一层根内根生囊霉、第二层根内根生囊霉铺设重量比为1.8～2.2:1。3.如权利要求2所述的促进白三叶根系及根瘤发育的方法，其特征在于：所述第一层培养基质、第二层培养基质、第三层培养基质的铺设厚度比为3:5:4。4.如权利要求1或2所述的促进白三叶根系及根瘤发育的方法，其特征在于：将步骤S1所述根内根生囊霉扩繁后再进行分层接种，所述扩繁步骤包括：将根内根生囊霉接种至白三叶根系扩繁，收取白三叶根系的基质以及侵染的根段作为根内根生...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈思敏，吴强盛，邹英宁，尹伟佳，
申请(专利权)人：长江大学，
类型：发明
国别省市：湖北,42