【技术实现步骤摘要】
带有延伸双围堰及焊锡的芯片封装结构及其制作方法
本专利技术涉及半导体封装领域，尤其涉及一种带有延伸双围堰及焊锡的芯片封装结构及其制作方法。
技术介绍
射频集成电路(RFIC)被广泛地用于无线装置，例如，蜂巢式电话。RFIC在基体上把传输线、匹配网络和电感线圈、电阻、电容器和晶体管之类的分立元件结合在一起提供能够传输和接收高频信号的子系统，举例来说，在大约0.1到100千兆赫(GHz)的范围内，RFIC的封装明显不同于数字集成电路的封装，因为该封装往往是射频电路的一部分，而且，因为RFIC复杂的射频电场和/或磁场能与任何附近的绝缘体和导体相互作用，为了符合无线工业日益增加的需求，RFIC封装发展设法提供更小巧、更廉价、性能更高的能适应多裸片射频模块的装置，同时提供更高的可靠性和使用无铅焊剂和其它“绿色的”材料。单或多裸片RFIC被个别封装的单一芯片封装是解决RFIC的小尺寸和低成本需求的直接解决办法，而且现在被用于大多数RFIC。微电子机械系统(MEMS)准许微小尺度机械运动和指定的电信号之间的受控转换，举例来说，与指定的频率一致，MEMS正在广泛地用于RFIC。基...
【技术保护点】
1.一种带有延伸双围堰及焊锡的芯片封装结构，其特征在于，包括：封装基板，具有相对设置的基板上表面及基板下表面，所述基板下表面的一侧具有若干外部引脚；滤波器芯片，具有相对设置的芯片上表面及芯片下表面，所述芯片下表面与所述基板上表面面对面设置，所述芯片下表面具有若干电极；若干互连结构，用于导通若干电极及若干外部引脚；围堰；其中，所述封装基板具有供若干互连结构通过的若干通孔，所述围堰包括位于若干通孔内侧的第一围堰及位于若干通孔外侧的第二围堰，所述第一围堰与所述芯片下表面及所述基板上表面配合而围设形成空腔，所述互连结构包括相互配合互连的焊锡结构及电镀层结构，所述焊锡结构导通所述电极...
【技术特征摘要】
1.一种带有延伸双围堰及焊锡的芯片封装结构，其特征在于，包括：封装基板，具有相对设置的基板上表面及基板下表面，所述基板下表面的一侧具有若干外部引脚；滤波器芯片，具有相对设置的芯片上表面及芯片下表面，所述芯片下表面与所述基板上表面面对面设置，所述芯片下表面具有若干电极；若干互连结构，用于导通若干电极及若干外部引脚；围堰；其中，所述封装基板具有供若干互连结构通过的若干通孔，所述围堰包括位于若干通孔内侧的第一围堰及位于若干通孔外侧的第二围堰，所述第一围堰与所述芯片下表面及所述基板上表面配合而围设形成空腔，所述互连结构包括相互配合互连的焊锡结构及电镀层结构，所述焊锡结构导通所述电极，所述电镀层结构导通所述外部引脚。2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述焊锡结构包括焊锡及导通所述焊锡及所述电极的UBM层，所述电镀层结构包括覆盖于所述通孔内壁并延伸至所述基板上表面、所述基板下表面的电镀种子层及位于所述电镀种子层外且与所述电镀种子层相互匹配的电镀层，所述焊锡延伸至所述通孔而导通所述通孔内壁的所述电镀层。3.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述电镀层结构的上表面与所述芯片下表面之间具有缝隙。4.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述电镀层结构及所述UBM层靠近所述空腔的一侧连接所述第一围堰，所述电镀层结构及所述UBM层远离所述空腔的一侧连接所述第二围堰。5.根据权利要求4所述的封装结构，其特征在于，所述第一围堰与所述电镀层结构部分重叠，且所述第二围堰与所述电镀层结构部分重叠。6.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，若干通孔围设形成的内轮廓连接所述第一围堰，若干通孔围设形成的外轮廓连接所述第二围堰，所述第一围堰与所述第二围堰相互连通。7.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述第二围堰朝远离所述第一围堰的方向延伸直至所述第二围堰的外侧缘与所述封装基板的外侧缘齐平。8.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构还包括位于所述封装基板远离所述基板下表面的一侧的塑封层，所...
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