【技术实现步骤摘要】
一种新型改变外界温度环境的磁记忆实验装置
本专利技术属于金属磁记忆信号性质研究领域，尤其涉及一种新型改变外界温度环境的磁记忆实验装置。
技术介绍
随着现代生产力的发展，金属已经应用到我们生活的各个领域，可由于金属的损伤所带来的经济损失也逐年增多。但一般的无损检测技术只能检测已经形成的裂纹或缺陷，而不能对由于应力集中引起的疲劳破坏进行早期检测。而金属磁记忆原理是铁磁材料在应力作用下形成磁性与弹性相互作用能,使磁化强度重新取向,从而导致磁场强度发生变化达到测量的目的，所以可对金属材料进行早期检测。但磁记忆的理论很多地方还处在理论研究阶段，所以对磁记忆信号做各种各样的实验，对更加深入了解磁记忆理论，进而将该理论更多的应用于生产检测中就显得尤为重要；但现在还没有一套专门、系统的实验装置进行磁记忆的相关理论研究，这也不同程度的影响了磁记忆理论研究的进展。
技术实现思路
本专利技术就是针对上述问题，提供一种新型改变外界温度环境的磁记忆实验装置。为实现上述目的，本专利技术采用如下技术方案，本专利技术包括单片机、温度控制系统、磁传感器、力传感器、A/D转换器、存储器扩展部分、复位中断...
【技术保护点】
1.一种新型改变外界温度环境的磁记忆实验装置，包括单片机、温度控制系统、磁传感器、力传感器、A/D转换器、存储器扩展部分、复位中断控制部分，其结构要点传感器的检测信号输出端口与A/D转换器的检测信号输入端口相连，A/D转换器的检测信号输出端口与单片机的检测信号输入端口相连，单片机的信号输出端口与温度控制系统的信号输入口相连，单片机的复位信号输入端口与复位部分的复位信号输出端口相连，单片机的中断信号输入端口与外部中断部分的中断信号输出端口相连，单片机的存储信号输出端口与外接参数存储器的存储信号输入端口相连；单片机的程序包括系统调用主程序，及作为中断服务程序的双通道数据采集子程...
【技术特征摘要】
1.一种新型改变外界温度环境的磁记忆实验装置，包括单片机、温度控制系统、磁传感器、力传感器、A/D转换器、存储器扩展部分、复位中断控制部分，其结构要点传感器的检测信号输出端口与A/D转换器的检测信号输入端口相连，A/D转换器的检测信号输出端口与单片机的检测信号输入端口相连，单片机的信号输出端口与温度控制系统的信号输入口相连，单片机的复位信号输入端口与复位部分的复位信号输出端口相连，单片机的中断信号输入端口与外部中断部分的中断信号输出端口相连，单片机的存储信号输出端口与外接参数存储器的存储信号输入端口相连；单片机的程序包括系统调用主程序，及作为中断服务程序的双通道数据采集子程序与温度控制开启子程序；系统主程序采用汇编伪指令设置AUDB作为磁信号实验数据存放首地址；AUDF作为力信号实验数据存放首地址。系统主程序首先将R0寄存器指针指向磁信号实验数据存放首地址AUDB，将R1寄存器指针指向力信号实验数据存放首地址AUDF，然后加入一个‘死循环’的延时等待程序，等待进行中断控制。当INT0、INT1引脚为‘0’时执行中断服务子程序，中断服务程序首先保护‘程序现场’和‘断点’后开中断，执行中断服务子程序，执行子程序后关中断，然后恢复‘程序现场’和‘断点’，继续执行主程序。当INT0引脚为‘0’时执行双通道数据采集中断服务子程序将寄存器R2中值设为50D作为计数使用，启动IN0通道进行A/D转换，延时等待一段时间，将转换后的数值放入R0指向区，R0指针指向下一存储单元，启动IN1通道进行A/D转换，延时等待一段时间，将转换后的数值放入R1指向区，R1指针指向下一存储单元，将R2寄存器中数值减一后再存回R2寄存器中，判断R2寄存器中数值是否为零，不为零则再次启动IN0通道进行A/D转换，完成一次新的循环，为零则跳出循环，这样经过50次的循环，就可以将磁信号以及力信号数据分别存入AUDB、AUDF为首地址的存储区中。当INT1引脚为‘0’时执行开启温度控制子程序首先利用一个计数器判断INT1外部中断引脚输出次数，为奇数时，P1口输出为‘1’继电器开启，对实验金属钢条局部加温；为...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘斌，张贺，何璐瑶，于小芮，刘子淇，任建，
申请(专利权)人：沈阳工业大学，
类型：发明
国别省市：辽宁,21
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。