一种晶体管高效检测方法技术

本发明专利技术提出的一种晶体管高效检测方法，包括以下步骤：S1、在测试容器里面设置多个用于放置待检测晶体管的测试工位，测试容器内对应每一个测试工位运动安装有一个密封罩；S2、将多个待检测晶体管分布到测试容器内的多个测试工位上，各密封罩均调整到第二状态，然后密封测试容器并对测试容器内部抽真空至预设的第一负压状态；S3、向测试容器内填充酒精气体，直至测试容器内的压强达到预设的第一压强阈值。S6、选择一个测试工位作为当前测试位，驱动当前测试位上的密封罩调整到第二状态并持续第一时间值，然后检测测试容器内当前的酒精浓度并记为第二浓度值。本发明专利技术在批量检测提高检测效率的情况下保证晶体管的检测精确度。

【技术实现步骤摘要】
一种晶体管高效检测方法
本专利技术涉及晶体管检测
，尤其涉及一种晶体管高效检测方法。
技术介绍
场效应晶体管(FieldEffectTransistor，FET)简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。FET有三个晶体管，栅极，漏极，源极，它的特点是栅极的内阻极高，例如采用二氧化硅材料的可以达到几百兆欧，属于电压控制型器件。场效应管可应用于放大电路，电子开关，阻抗变换，恒流源，气敏传感器，生物基可穿戴设备(质子传导FET)等。对于用于气敏传感器和生物基可穿戴设备的FET，性能表征时常常需要用到特定的气氛诸如氢气、湿度、VOCs标准气等，同时要求能同时进行多样品测试以便测定器件的重复性与不同器件的单因素性能对比。因此，场效应晶体管密封测试对于未来基于FET的气敏传感器和生物基可穿戴设备领域的发展至关重要。
技术实现思路
基于
技术介绍
存在的技术问题，本专利技术提出了一种晶体管高效检测方法。本专利技术提出的一种晶体管高效检测方法，包括以下步骤：S1、在测试容器里面设置多个用于放置待检测晶体管的测试工位，测试容器内对应每一个测试工位运动安装有一个密封罩；密封罩第一状态下配合测试容器内部结构形成隔离测试工位上晶体管的密封腔室；密封罩第二状态下，其内侧与外侧连通；S2、将多个待检测晶体管分布到测试容器内的多个测试工位上，各密封罩均调整到第二状态，然后密封测试容器并对测试容器内部抽真空至预设的第一负压状态；S3、向测试容器内填充酒精气体，直至测试容器内的压强达到预设的第一压强阈值；S4、以相同的流速同时对测试容器进行空气输入和排出，直至测试容器内的酒精含量达到预设第一浓度值后停止空气输入和排出；S5、驱动各密封罩均调整到第一状态，然后将测试容器内部抽真空至预设的第二负压状态；S6、选择一个测试工位作为当前测试位，驱动当前测试位上的密封罩调整到第二状态并持续第一时间值，然后检测测试容器内当前的酒精浓度并记为第二浓度值；S7、判断第二浓度值是否大于第一浓度值；否，则返回步骤S5；S8、是，则对当前测试位进行记录，然后返回步骤S4。优选地，对各测试工位逐一检测。优选地，步骤S7中，当第二浓度值小于或等于第一浓度值，则进一步判断各测试工位是否全部检测完成，是，则结束检测；否，则返回步骤S5。优选地，步骤S8中，当第二浓度值大于第一浓度值；则对当前测试位进行记录并进一步判断各测试工位是否全部检测完成，是，则结束检测；否，则返回步骤S4。优选地，第二负压状态下测试容器内的压强的等于第一负压状态下测试容器内的压强。本专利技术提出的一种晶体管高效检测方法，结合步骤S2到S5，在所有测试工位上的待检测晶体管均暴露在测试容器内部的整体环境中的情况下，在测试容器内部对所有待检测晶体管进行统一预处理，提高了测试操作效率。通过步骤S6，通过密封罩状态切换，使得只有当前测试工位上的晶体管暴露在测试容器中，对剩余测试工位上的待检测晶体管进行隔离，从而在测试容器内对当前测试工位上的待检测晶体管进行单独检测，避免多个测试工位上的待检测晶体管同时检测造成的相互干扰。本专利技术在批量检测提高检测效率的情况下保证晶体管的检测精确度。附图说明图1为本专利技术提出的一种晶体管高效检测方法流程图。具体实施方式参照图1，本专利技术提出的一种晶体管高效检测方法，包括以下步骤。S1、在测试容器里面设置多个用于放置待检测晶体管的测试工位，测试容器内对应每一个测试工位运动安装有一个密封罩。密封罩第一状态下配合测试容器内部结构形成隔离测试工位上晶体管的密封腔室。密封罩第二状态下，其内侧与外侧连通。具体的，本实施方式中，通过密封罩的设置，在所有密封罩均处于第二状态下时，所有测试工位上的待检测晶体管均暴露在测试容器内部的整体环境中，便于在测试容器内部对所有待检测晶体管进行统一预处理，从而提高测试操作效率。同时，通过第一状态下的密封罩，可对各测试工位上的待检测晶体管进行隔离，从而通过驱动单一的晶体管切换到第二状态，便可在测试容器内对该测试工位上的待检测晶体管进行单独操作，避免多个测试工位上的待检测晶体管同时检测造成的相互干扰。S2、将多个待检测晶体管分布到测试容器内的多个测试工位上，各密封罩均调整到第二状态，然后密封测试容器并对测试容器内部抽真空至预设的第一负压状态。本步骤中通过抽负压，可将泄漏的晶体管内部的空气排出，即使得泄漏的晶体管内部也出现负压状态。S3、向测试容器内填充酒精气体，直至测试容器内的压强达到预设的第一压强阈值。本步骤中，向测试容器内填充酒精气体后，如果测试容器内存在泄漏的晶体管，则在压强作用下酒精气体也会挤压进入泄漏的晶体管。S4、以相同的流速同时对测试容器进行空气输入和排出，以便在保证测试容器内压强恒定的情况下降低测试容器内的酒精浓度，直至测试容器内的酒精含量达到预设第一浓度值后停止空气输入和排出。本步骤中，由于测试容器内的压强恒定，故而，泄漏的晶体管内的酒精气体不会向外散发，在测试容器内酒精浓度降低的同时，晶体管内的酒精浓度不便，从而实现泄漏的晶体管内的酒精浓度与测试容器内的酒精浓度差异，以便后续根据酒精浓度排查晶体管泄漏情况。S5、驱动各密封罩均调整到第一状态，然后将测试容器内部抽真空至预设的第二负压状态。本步骤中，由于密封罩切换到第一状态对各测试工位进行单独密封，可避免在测试容器内抽真空后，泄漏的晶体管内的酒精气体散发。本实施方式中，第二负压状态下测试容器内的压强的等于第一负压状态下测试容器内的压强。S6、选择一个测试工位作为当前测试位，驱动当前测试位上的密封罩调整到第二状态并持续第一时间值，然后检测测试容器内当前的酒精浓度并记为第二浓度值。如果当前测试工位上的待检测晶体管泄漏，则在当前测试工位上的密封罩打开后，晶体管内部的酒精气体在压强作用下散发到测试容器内，提高测试容器内的酒精浓度。反之，如果当前测试工位上的晶体管合格，则测试容器内的酒精浓度不会变化。S7、判断第二浓度值是否大于第一浓度值。否，则返回步骤S5。具体的，本步骤中，当第二浓度值小于或等于第一浓度值，则进一步判断各测试工位是否全部检测完成，是，则结束检测。否，则返回步骤S5，以便对剩余的测试工位上的待检测晶体管进行逐一检测。S8、是，则对当前测试位进行记录，以便筛选不合格的晶体管，然后返回步骤S4。具体的，本步骤中，当第二浓度值大于第一浓度值。则对当前测试位进行记录并进一步判断各测试工位是否全部检测完成，是，则结束检测。否，则返回步骤S4，以便对剩余的测试工位上的待检测晶体管进行逐一检测。以上所述，仅为本专利技术涉及的较佳的具体实施方式，但本专利技术的保护范围并不局限于此，任何熟悉本
的技术人员在本专利技术揭露的技术范围内，根据本专利技术的技术方案及其专利技术构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本专利技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶体管高效检测方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、在测试容器里面设置多个用于放置待检测晶体管的测试工位，测试容器内对应每一个测试工位运动安装有一个密封罩；密封罩第一状态下配合测试容器内部结构形成隔离测试工位上晶体管的密封腔室；密封罩第二状态下，其内侧与外侧连通；S2、将多个待检测晶体管分布到测试容器内的多个测试工位上，各密封罩均调整到第二状态，然后密封测试容器并对测试容器内部抽真空至预设的第一负压状态；S3、向测试容器内填充酒精气体，直至测试容器内的压强达到预设的第一压强阈值；S4、以相同的流速同时对测试容器进行空气输入和排出，直至测试容器内的酒精含量达到预设第一浓度值后停止空气输入和排出；S5、驱动各密封罩均调整到第一状态，然后将测试容器内部抽真空至预设的第二负压状态；S6、选择一个测试工位作为当前测试位，驱动当前测试位上的密封罩调整到第二状态并持续第一时间值，然后检测测试容器内当前的酒精浓度并记为第二浓度值；S7、判断第二浓度值是否大于第一浓度值；否，则返回步骤S5；S8、是，则对当前测试位进行记录，然后返回步骤S4。

【技术特征摘要】
1.一种晶体管高效检测方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、在测试容器里面设置多个用于放置待检测晶体管的测试工位，测试容器内对应每一个测试工位运动安装有一个密封罩；密封罩第一状态下配合测试容器内部结构形成隔离测试工位上晶体管的密封腔室；密封罩第二状态下，其内侧与外侧连通；S2、将多个待检测晶体管分布到测试容器内的多个测试工位上，各密封罩均调整到第二状态，然后密封测试容器并对测试容器内部抽真空至预设的第一负压状态；S3、向测试容器内填充酒精气体，直至测试容器内的压强达到预设的第一压强阈值；S4、以相同的流速同时对测试容器进行空气输入和排出，直至测试容器内的酒精含量达到预设第一浓度值后停止空气输入和排出；S5、驱动各密封罩均调整到第一状态，然后将测试容器内部抽真空至预设的第二负压状态；S6、选择一个测试工位作为当前测试位，驱动当前测试位上的密封罩调整到第...

【专利技术属性】
技术研发人员：达令，项钰，
申请(专利权)人：安庆市晶科电子有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽,34