荧光体和发光装置制造方法及图纸

技术编号:19769766 阅读:27 留言:0更新日期:2018-12-15 06:52
本发明专利技术提供一种包含Ce作为发光中心的荧光体。该荧光体含有具有化学组成为(Y1-x-y,Cex,Lay)αSiβ-zAlzNγO的晶体相。上述α满足5.5≤α≤6.5,上述β满足9.5≤β≤12.5,上述γ满足17.5≤γ≤22.5,上述x满足0<x≤0.1,上述y满足0≤y≤0.4,上述z满足0≤z≤0.5。上述荧光体的发光光谱在波长为600nm以上且660nm以下的范围内包含峰。

【技术实现步骤摘要】
荧光体和发光装置
本申请涉及荧光体和发光装置。
技术介绍
近年来,白色LED(LightEmittingDiode,发光二极管)、激光激发光源等固体光源开始被广泛应用。现在的一般的白色LED具有作为蓝色发光元件的蓝色LED芯片与荧光体组合的构成。在这样的一般的白色LED中,来自蓝色LED芯片的光的一部分被荧光体进行颜色转换,来自蓝色LED芯片的蓝色光与来自荧光体的发光进行混色而作出白色光。在最近,也进行着利用LD(LaserDiode,激光二极管)与荧光体的组合的高输出功率白色发光装置的开发。作为白色固体光源,现在,蓝色LED芯片或蓝色LD与黄色荧光体的组合是主流。以提高演色性、色彩再现性等为目的、或者得到色温低的白色为目的,进行着在蓝色光源和黄色荧光体的基础上组合红色荧光体的白色光源的开发。以往,已知有通式Y3Al5O12:Ce3+(以下简写为YAG:Ce)、或专利文献1所示的通式La3Si6N11:Ce3+(以下简写为LSN:Ce)那样包含Ce作为发光中心的黄色荧光体。另外,已知有专利文献2所示的通式(Sr,Ca)AlSiN3:Eu2+(以下简写为CASN:Eu)那样包含Eu作为发光中心的红色荧光体。现有技术文献专利文献专利文献1:日本专利第4459941号公报专利文献2:日本专利第3837588号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的技术问题本申请提供包含Ce作为发光中心的荧光体。用于解决技术问题的手段本申请的一个方式的荧光体含有具有化学组成为(Y1-x-y,Cex,Lay)αSiβ-zAlzNγO的晶体相。上述α满足5.5≤α≤6.5,上述β满足9.5≤β≤12.5,上述γ满足17.5≤γ≤22.5,上述x满足0<x≤0.1,上述y满足0≤y≤0.4,上述z满足0≤z≤0.5。上述荧光体的发光光谱在波长为600nm以上且660nm以下的范围内包含峰。本申请的概括性的或具体的方案可以由荧光体、元件、装置、系统、车辆、制造方法或它们任意的组合来实现。专利技术的效果根据本申请,能够实现包含Ce作为发光中心的荧光体。附图说明图1是实施方式2的LED发光装置的示意性的截面图。图2是实施方式3的LD发光装置的示意性的截面图。图3是实施方式4的LD发光装置的示意性的截面图。图4是实施方式6的LED发光装置的示意性的截面图。图5是实施方式7的LD发光装置的示意性的截面图。图6A是实施方式7的LD发光装置的第一变形例的示意性的截面图。图6B是实施方式7的LD发光装置的第二变形例的示意性的截面图。图6C是实施方式7的LD发光装置的第三变形例的示意性的截面图。图6D是实施方式7的LD发光装置的第四变形例的示意性的截面图。图6E是实施方式7的LD发光装置的第五变形例的示意性的截面图。图6F是实施方式7的LD发光装置的第六变形例的示意性的截面图。图6G是实施方式7的LD发光装置的第七变形例的示意性的截面图。图6H是实施方式7的LD发光装置的第八变形例的示意性的截面图。图6I是实施方式7的LD发光装置的第九变形例的示意性的截面图。图7是实施方式8的LD发光装置的示意性的截面图。图8是实施方式9的LD发光装置的示意性的截面图。图9A是实施方式9的LD发光装置的第一变形例的示意性的截面图。图9B是实施方式9的LD发光装置的第二变形例的示意性的截面图。图9C是实施方式9的LD发光装置的第三变形例的示意性的截面图。图10是实施方式10的照明装置的示意性的截面图。图11是实施方式11的照明装置的示意性的截面图。图12是实施方式12的车辆的示意性的截面图。图13是表示试样编号1的荧光体的发光光谱和激发光谱的图。图14是表示试样编号2的荧光体的发光光谱和激发光谱的图。图15是表示试样编号3的荧光体的发光光谱和激发光谱的图。图16是表示试样编号4的荧光体的发光光谱和激发光谱的图。图17是表示试样编号5的荧光体的发光光谱和激发光谱的图。图18是表示试样编号6的荧光体的发光光谱和激发光谱的图。图19是表示试样编号7的荧光体的发光光谱和激发光谱的图。图20是表示试样编号8的荧光体的发光光谱和激发光谱的图。图21是表示试样编号9的荧光体的发光光谱和激发光谱的图。图22是表示试样编号10的荧光体的发光光谱和激发光谱的图。图23是表示试样编号11的荧光体的发光光谱和激发光谱的图。图24是表示试样编号12的荧光体的发光光谱和激发光谱的图。图25是试样编号1和2的荧光体的粉末XRD衍射图谱图。图26是试样编号2~4的荧光体的粉末XRD衍射图谱图。图27是试样编号4~9的荧光体的粉末XRD衍射图谱图。图28是试样编号6和10的荧光体的粉末XRD衍射图谱图。图29是试样编号11和12的荧光体的粉末XRD衍射图谱图。符号说明10LED发光装置11荧光体12红色荧光体13黄色荧光体14绿色荧光体15LED芯片21焊丝22电极23支撑体24LED封装体27软钎料58LD元件59入射光学系统60LD发光装置61波长转换部件62荧光体层、第一荧光体层63第二荧光体层64散射体65散射体层68粘合剂69粘合剂70聚光透镜71分色镜72光纤73合波器80LD发光装置81波长转换部件82第一荧光体层83第二荧光体层84第三荧光体层120照明装置121光源122出射光学系统123波长截止滤波器130照明装置131波长转换部件132光纤140车辆141电力供给源142发电机具体实施方式(作为本申请的基础的知识)黄色荧光体YAG:Ce的发光的量子效率高,而且即使由高输出功率LED或LD激发,发光的量子效率也大致不变,因此搭载在几乎所有的白色光源中。另一方面,红色荧光体CASN:Eu如果在高输出功率光下激发,则存在发光的量子效率降低的问题,所以仅搭载在输出功率比较低的光源中。这是由于,与包含Ce作为发光中心的荧光体相比较,包含Eu作为发光中心的荧光体的发光寿命长,所以高输出功率激发时亮度容易饱和。因此,本专利技术人们为了得到包含Ce作为发光中心的红色荧光体进行了深入研究。(本申请的一个方式的概要)本申请的第1方式的荧光体含有具有化学组成为(Y1-x-y,Cex,Lay)αSiβ-zAlzNγO的晶体相。上述α满足5.5≤α≤6.5,上述β满足9.5≤β≤12.5,上述γ满足17.5≤γ≤22.5,上述x满足0<x≤0.1,上述y满足0≤y≤0.4,上述z满足0≤z≤0.5。上述荧光体的发光光谱在波长为600nm以上且660nm以下的范围内包含峰。根据本申请的第1方式,能够实现包含Ce作为发光中心的荧光体。此外,上述发光光谱既可以具有上述峰作为唯一的峰,也可以具有包括上述峰的多个峰。在上述发光光谱具有多个峰的情况下,上述峰既可以是最大峰,也可以不是最大峰。第2方式的荧光体例如在第1方式的荧光体中,该荧光体的激发光谱在波长为470nm以上且550nm以下的范围内包含第一峰。根据第2方式的荧光体,能够实现激发波长的长波长化。此外,上述激发光谱既可以具有上述第一峰作为唯一的峰,也可以具有包括上述峰的多个峰。在上述激发光谱具有多个峰的情况下,上述第一峰既可以是最大峰,也可以不是最大峰。第3方式的荧光体例如在第2方式的荧光体中,上述激发光谱在波长为480nm以上且550nm以下的范围内包含上述本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种荧光体,其含有具有化学组成为(Y1-x-y,Cex,Lay)αSiβ-zAlzNγO的晶体相的荧光体,其中,所述α满足5.5≤α≤6.5,所述β满足9.5≤β≤12.5,所述γ满足17.5≤γ≤22.5,所述x满足0<x≤0.1,所述y满足0≤y≤0.4,所述z满足0≤z≤0.5,所述荧光体的发光光谱在波长为600nm以上且660nm以下的范围内包含峰。

【技术特征摘要】
2017.06.06 JP 2017-1117601.一种荧光体,其含有具有化学组成为(Y1-x-y,Cex,Lay)αSiβ-zAlzNγO的晶体相的荧光体,其中,所述α满足5.5≤α≤6.5,所述β满足9.5≤β≤12.5,所述γ满足17.5≤γ≤22.5,所述x满足0<x≤0.1,所述y满足0≤y≤0.4,所述z满足0≤z≤0.5,所述荧光体的发光光谱在波长为600nm以上且660nm以下的范围内包含峰。2.根据权利要求1所述的荧光体,其中,所述荧光体的激发光谱在波长为470nm以上且550nm以下的范围内包含第一峰。3.根据权利要求2所述的荧光体,其中,所述激发光谱在波长为480nm以上且550nm以下的范围内包含所述第一峰。4.根据权利要求2或3所述的荧光体,其中,所述激发光谱进一步在波长为350nm以上且小于470nm的范围内包含第二峰。5.根据权利要求1~4中任一项所述的荧光体,其中,所述y满足0≤y≤0.3。6.根据权利要求5所述的荧光体,其中,所述y满足0<y≤0.3。7.根据权利要求1~6中任一项所述的荧光体,其中,所述晶体相的1/e发光寿命为100ns以下。8.根据权利要求7所述的荧光体,其中,所述晶体相的所述1/e发光寿命为50ns以下。9.根据权利要求1~8中任一项所述的荧光体,其中,所述发光光谱的所述峰的半幅值为100nm以上。10.根据权利要求9所述的荧光体,其中,所述发光光谱的所述峰的所述半幅值为150nm...

【专利技术属性】
技术研发人员:新田充长尾宣明
申请(专利权)人:松下知识产权经营株式会社
类型:发明
国别省市:日本,JP

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