单片机用稳压滤波电源制造技术

本实用新型专利技术公开了一种单片机用稳压滤波电源，包括第一电阻、第二电阻、第三电阻和第四电阻；第一电容、第二电容、第三电容、第四电容和第五电容；第一二极管、第二二极管、场效应管、晶体管、可控精密稳压源、变压器和整流桥；本实用新型专利技术单片机用稳压滤波电源通过整流桥进行交直流转换，通过第一电容实现滤波，通过二极管、第二电容和第三电容实现倍压，通过第三电阻、第四电阻实现分压，通过调节第四电阻的阻值，可是实现对输出电压的调节，从而可以根据单片机的使用情况灵活的控制输出电压。

【技术实现步骤摘要】
单片机用稳压滤波电源
本技术涉及电源电路，尤其涉及一种单片机用稳压滤波电源。
技术介绍
单片机是一种集成电路芯片，是采用超大规模集成电路技术把具有数据处理能力的中央处理器CPU、随机存储器RAM、只读存储器ROM、多种I/O口和中断系统、定时器/计数器等功能(可能还包括显示驱动电路、脉宽调制电路、模拟多路转换器、A/D转换器等电路)集成到一块硅片上构成的一个小而完善的微型计算机系统，在工业控制领域广泛应用。一般的单片机采用的电源电压为5V，因此需要通过电源电路对交流电进行整流，使其符合单片机的工作需求。当单片机工作功率较大时，需要及时的增大输入电压以适应高功耗的需求，传统的单片机电源电路不能对输出电压进行调节，所以可能在需要进行超频工作时出现供电不足的情况，影响单片机的正常使用。
技术实现思路
本技术的目的就在于为了解决上述问题而提供一种单片机用稳压滤波电源。本技术通过以下技术方案来实现上述目的：一种单片机用稳压滤波电源，包括，第一电阻、第二电阻、第三电阻和第四电阻；第一电容、第二电容、第三电容、第四电容和第五电容；第一二极管、第二二极管、场效应管、晶体管、可控精密稳压源、变压器和整流桥；所述变压器的两个输入端分别与交流电的火线和零线电连接，所述变压器的第一输出端与所述整流桥的第一输入端和所述第二电容的第一端电连接，所述变压器的第二输出端与所述整流桥的第二输入端电连接，所述第二电容的第二端与所述第二二极管的负极和所述第一二极管的正极电连接，所述第一二极管的负极与所述第三电容的第一端和所述第一电阻的第一端电连接，所述第一电阻的第二端分别与所述场效应管的栅极、所述晶体管的集电极和所述可控精密稳压源的负极电连接，所述整流桥的正极输出端与所述第二二极管的正极、所述第三电容的第二端和所述场效应管的漏极电连接，所述场效应管的源极与所述晶体管的基极和所述第二电阻的第一端电连接，所述第二电阻的第二端分别与所述晶体管的发射极、所述第四电阻的第一端和所述第五电容的第一端电连接且为所述电源的正极输出端，所述可控精密稳压源的控制端分别与所述第四电容的第一端、所述第四电阻的第二端和所述第三电阻的第一端电连接，所述整流桥的负极输出端分别与所述第一电容的第二端、所述可控精密稳压源的正极、所述第四电容的第二端、所述第五电容的第二端和所述第三电阻的第二端电连接且为所述电源的负极输出端。具体地，所述第一电阻的功率为2W、阻值为2KΩ，所述第二电阻的功率为5W、阻值为0.1Ω，所述第三电阻的阻值为470Ω，所述第四电阻的阻值为2KΩ，所述第一电容的容值为4700μF，所述第二电容的容值为10μF，所述第三电容的容值为10μF，所述第四电容的容值为4.7μF，所述第五电容的容值为470μF，所述整流桥的型号为4G4B41，所述场效应管的型号为K790，所述可控精密稳压源的型号为TL431，所述晶体管的型号为9013。本技术的有益效果在于：本技术单片机用稳压滤波电源通过整流桥进行交直流转换，通过第一电容实现滤波，通过二极管、第二电容和第三电容实现倍压，通过第三电阻、第四电阻实现分压，通过调节第四电阻的阻值，可是实现对输出电压的调节，从而可以根据单片机的使用情况灵活的控制输出电压。附图说明图1是本技术所述的单片机用稳压滤波电源的电路图。具体实施方式下面结合附图对本技术作进一步说明：本技术主要在于保护该电路结构，且对各个电子元件的具体型号以及电阻、电容等的参数进行了详细的规定，本领域的技术人员可以在其知识范围内通过图1所示的电路图对各个电子元件进行连接，从而实现本技术需要达到的目的，即解决可能在需要进行超频工作时出现供电不足的问题；且该为电路结构，只要通过导线将各个电子元件连接成为一个完整的电路即可以实现其功能，因此不再需要额外的具体产品结构。如图1所示，本技术一种单片机用稳压滤波电源，包括，第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3和第四电阻R4；第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3、第四电容C4和第五电容C5；第一二极管D1、第二二极管D2、场效应管K、晶体管VT、可控精密稳压源TL、变压器T和整流桥BR；变压器T的两个输入端分别与交流电的火线和零线电连接，变压器T的第一输出端与整流桥BR的第一输入端和第二电容C2的第一端电连接，变压器T的第二输出端与整流桥BR的第二输入端电连接，第二电容C2的第二端与第二二极管D2的负极和第一二极管D1的正极电连接，第一二极管D1的负极与第三电容C3的第一端和第一电阻R1的第一端电连接，第一电阻R1的第二端分别与场效应管K的栅极、晶体管VT的集电极和可控精密稳压源TL的负极电连接，整流桥BR的正极输出端与第二二极管D2的正极、第三电容C3的第二端和场效应管K的漏极电连接，场效应管K的源极与晶体管VT的基极和第二电阻R2的第一端电连接，第二电阻R2的第二端分别与晶体管VT的发射极、第四电阻R4的第一端和第五电容C5的第一端电连接且为电源的正极输出端，可控精密稳压源TL的控制端分别与第四电容C4的第一端、第四电阻R4的第二端和第三电阻R3的第一端电连接，整流桥BR的负极输出端分别与第一电容C1的第二端、可控精密稳压源TL的正极、第四电容C4的第二端、第五电容C5的第二端和第三电阻R3的第二端电连接且为电源的负极输出端。第一电阻R1的功率为2W、阻值为2KΩ，第二电阻R2的功率为5W、阻值为0.1Ω，第三电阻R3的阻值为470Ω，第四电阻R4的阻值为2KΩ，第一电容C1的容值为4700μF，第二电容C2的容值为10μF，第三电容C3的容值为10μF，第四电容C4的容值为4.7μF，第五电容C5的容值为470μF，整流桥BR的型号为4G4B41，场效应管K的型号为K790，可控精密稳压源TL的型号为TL431，晶体管VT的型号为9013。本技术单片机用稳压滤波电源的工作原理如下：220v电压经变压器T降压、整流桥BR整流、第一电容C1滤波。第一二极管D1、第二二极管D2、第二电容C2和第三电容C3组成倍压电路(使得Vdc＝60V)，第四电阻R4和第三电阻R3组成分压电路，可控精密稳压源TL和第一电阻R1组成取样放大电路，晶体管VT和第二电阻R2组成限流保护电路，场效应管K、第五电容C5进行输出滤波器。当需要输出电压升高时，调节第四电阻R4的阻值，使得f点电位降低，经可控精密稳压源TL内部放大使e点电压增高，经场效应管K调整后，b点电位升高，输出电压升高；反之，当需要输出电压降低时，调节第四电阻R4的阻值，使得f点电位升高，e点电位降低，经场效应管K调整后，b点电位降低，输出电压降低。本技术的技术方案不限于上述具体实施例的限制，凡是根据本技术的技术方案做出的技术变形，均落入本技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种单片机用稳压滤波电源，其特征在于：包括，第一电阻、第二电阻、第三电阻和第四电阻；第一电容、第二电容、第三电容、第四电容和第五电容；第一二极管、第二二极管、场效应管、晶体管、可控精密稳压源、变压器和整流桥；所述变压器的两个输入端分别与交流电的火线和零线电连接，所述变压器的第一输出端与所述整流桥的第一输入端和所述第二电容的第一端电连接，所述变压器的第二输出端与所述整流桥的第二输入端电连接，所述第二电容的第二端与所述第二二极管的负极和所述第一二极管的正极电连接，所述第一二极管的负极与所述第三电容的第一端和所述第一电阻的第一端电连接，所述第一电阻的第二端分别与所述场效应管的栅极、所述晶体管的集电极和所述可控精密稳压源的负极电连接，所述整流桥的正极输出端与所述第二二极管的正极、所述第三电容的第二端和所述场效应管的漏极电连接，所述场效应管的源极与所述晶体管的基极和所述第二电阻的第一端电连接，所述第二电阻的第二端分别与所述晶体管的发射极、所述第四电阻的第一端和所述第五电容的第一端电连接且为所述电源的正极输出端，所述可控精密稳压源的控制端分别与所述第四电容的第一端、所述第四电阻的第二端和所述第三电阻的第一端电连接，所述整流桥的负极输出端分别与所述第一电容的第二端、所述可控精密稳压源的正极、所述第四电容的第二端、所述第五电容的第二端和所述第三电阻的第二端电连接且为所述电源的负极输出端。...

【技术特征摘要】
1.一种单片机用稳压滤波电源，其特征在于：包括，第一电阻、第二电阻、第三电阻和第四电阻；第一电容、第二电容、第三电容、第四电容和第五电容；第一二极管、第二二极管、场效应管、晶体管、可控精密稳压源、变压器和整流桥；所述变压器的两个输入端分别与交流电的火线和零线电连接，所述变压器的第一输出端与所述整流桥的第一输入端和所述第二电容的第一端电连接，所述变压器的第二输出端与所述整流桥的第二输入端电连接，所述第二电容的第二端与所述第二二极管的负极和所述第一二极管的正极电连接，所述第一二极管的负极与所述第三电容的第一端和所述第一电阻的第一端电连接，所述第一电阻的第二端分别与所述场效应管的栅极、所述晶体管的集电极和所述可控精密稳压源的负极电连接，所述整流桥的正极输出端与所述第二二极管的正极、所述第三电容的第二端和所述场效应管的漏极电连接，所述场效应管的源极与所述晶体管的基极和所述第二电阻的第一端电连接，所述第二电阻的第二端分别与所述晶体管的发射极...

【专利技术属性】
技术研发人员：向立，
申请(专利权)人：成都欧督系统科技有限公司，
类型：新型
国别省市：四川,51