一种电场探测器制造技术

本申请公开了一种电场探测器，能够对两路激光器的偏振态进行控制，减小吸收峰提高信噪比。所述电场探测器包括半导体激光器、第一偏振片、原子气室、第二偏振片、分束器、光探测器、锁相放大器、信号发生器、偏振控制器、第三偏振片、调制器和耦合激光器。第一偏振片、原子气室、第二偏振片、分束器和光探测器设置在半导体激光器发射的第一光信号光路上。调制器、第三偏振片和偏振控制器设置在耦合激光器发射的第二光信号光路上。信号发生器连接锁相放大器和调制器。偏振控制器控制第二光信号经过第二偏振片进入原子气室。原子气室为碱金属气体与第一光信号和第二光信号相互作用和第一光信号在待测电场辐射下autler‑townes分裂提供场所。锁相放大器输出信号。

【技术实现步骤摘要】
一种电场探测器
本申请涉及电磁场领域，尤其涉及一种电场探测器。
技术介绍
电磁场是物理的基本量之一，生活和工作中处处存在。电场的幅度在计量、通信、安全等众多领域都是需要准确测量的。目前电磁场强测量通常使用天线、电磁场探头等传统传感器设备，此类设备均存在一定的缺陷，而且这些设备准确测量电磁场强的溯源途径也存在一定的局限性。目前常用的电磁场探头及传感器可分为偶极子/检波二极管探头和热电偶型探头，场强测量幅度范围基本在1V/m～1300V/m区间内，这两种形式的场探头很难满足高灵敏度和高空间分辨率的测量需求。为了进行更高灵敏度的测量，集成光学技术开始应用于场传感器的研制中。如日本Tokin公司开发的OEFS-2，探测灵敏度为0.1～1mV/m，频率响应为20MHz～1GHz。另外，他们与英国国家物理实验室(NPL)合作，研制出OEFS-M型电场传感器，频率响应达到300MHz～8GHz，但这类电场传感器容易受到温度和环境的影响。近来研究较热的集成光波导LiNbO3电场传感器，这种高压电场传感器的衬底通常采用LiNbO3晶体，电极是普通推挽式结构，光波导结构为MZ干涉型和Y分支波导等。从目前本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电场探测器，其特征在于，包括半导体激光器、第一偏振片、原子气室、第二偏振片、分束器、光探测器、锁相放大器、信号发生器、偏振控制器、第三偏振片、调制器和耦合激光器；所述第一偏振片、原子气室、第二偏振片、分束器和光探测器依次设置在所述半导体激光器发射的第一光信号的光路上；所述调制器、第三偏振片和偏振控制器依次设置在所述耦合激光器发射的第二光信号的光路上；所述信号发生器与所述锁相放大器和调制器连接；所述偏振控制器，用于控制所述第二光信号的偏振态，使所述第二光信号经过所述第二偏振片进入所述原子气室；所述原子气室内包括碱金属气体，外部接收待测电场辐射；所述原子气室，用于为所述碱金属气体与所述第一...

【技术特征摘要】
1.一种电场探测器，其特征在于，包括半导体激光器、第一偏振片、原子气室、第二偏振片、分束器、光探测器、锁相放大器、信号发生器、偏振控制器、第三偏振片、调制器和耦合激光器；所述第一偏振片、原子气室、第二偏振片、分束器和光探测器依次设置在所述半导体激光器发射的第一光信号的光路上；所述调制器、第三偏振片和偏振控制器依次设置在所述耦合激光器发射的第二光信号的光路上；所述信号发生器与所述锁相放大器和调制器连接；所述偏振控制器，用于控制所述第二光信号的偏振态，使所述第二光信号经过所述第二偏振片进入所述原子气室；所述原子气室内包括碱金属气体，外部接收待测电场辐射；所述原子气室，用于为所述碱金属气体与所述第一光信号和第二光信号相互作用和作用后的第一光信号在待测电场辐射下发生autler-townes分裂提供场所；所述锁相放大器，用于输出信号。2.如权利要求1所述的电场探测器，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈海波，杨仁福，王暖让，赵环，
申请(专利权)人：北京无线电计量测试研究所，
类型：发明
国别省市：北京,11