【技术实现步骤摘要】
一种通过电沉积法在Mo衬底上沉积高质量Cu薄膜的方法
本专利技术涉及电沉积金属薄膜制备的
，特别涉及一种铜基薄膜太阳电池金属预制层的制备。
技术介绍
高效率低成本太阳电池是解决目前能源危机、环境污染及生态破坏等一系列重大问题的最有效途径之一。薄膜太阳电池所需材料少(微米级厚度)，较短的载流子扩散长度即可实现光电流的收集，对于实现高效率低成本太阳电池有巨大的优势。其中Cu2InGaSe4(CIGS)薄膜太阳电池是研究最为成熟的材料之一，已实现规模化生产和商品化运行。目前转换效率高达22.3％。此外，由于In、Ga为稀有元素且价格昂贵，将CIGS中的In、Ga替换为地壳储量丰富且廉价的Zn、Sn元素从而得到与CIGS性质相近的Cu2ZnSn(S,Se)4(CZTSSe)，使得CZTSSe成为实现高效率低成本太阳电池大规模推广的理想候选材料。目前国际上CZTSSe薄膜太阳电池最高效率已经达到12.6％。在制作方法上，制备CIGS和CZTSSe薄膜的方法主要分为真空法与非真空法两种。真空法包括共蒸发沉积法和真空溅射金属预制层后硒化法，非真空法包括涂覆后硒化法和电沉积...
【技术保护点】
1.一种通过电沉积法在Mo衬底上沉积高质量Cu薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：第1步、以Mo为衬底，在衬底上制备出覆盖不完全的薄层Cu薄膜；第2步、将第1步覆盖不完全的薄层Cu薄膜浸泡在稀盐酸溶液中，生成Cu纳米颗粒；第3步、以第2步生成的表面存在Cu纳米颗粒的Mo为衬底，在含有Cu元素的盐溶液中电沉积得到Cu薄膜。
【技术特征摘要】
1.一种通过电沉积法在Mo衬底上沉积高质量Cu薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：第1步、以Mo为衬底，在衬底上制备出覆盖不完全的薄层Cu薄膜；第2步、将第1步覆盖不完全的薄层Cu薄膜浸泡在稀盐酸溶液中，生成Cu纳米颗粒；第3步、以第2步生成的表面存在Cu纳米颗粒的Mo为衬底，在含有Cu元素的盐溶液中电沉积得到Cu薄膜。2.根据权利要求1所述的一种通过电沉积法在Mo衬底上沉积高质量Cu薄膜的方法，其特征在于...
【专利技术属性】
技术研发人员：张照景，敖建平，毕金莲，郭佳佳，高青，孙国忠，周志强，刘芳芳，张毅，孙云，
申请(专利权)人：南开大学，
类型：发明
国别省市：天津,12
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