基于二维硒纳米片的光电化学型光探测器及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种基于二维硒纳米片的光电化学型光探测器，包括工作电极、对电极以及设于工作电极和对电极之间的电解液，工作电极包括导电基底和设置在导电基底朝向对电极的一侧上的半导体层，半导体层的材料包括二维硒纳米片。本发明专利技术提供的光探测器性能良好。本发明专利技术还提供了一种基于二维硒纳米片的光电化学型光探测器的制备方法，包括以下步骤：提供硒原料，采用液相剥离的方法对硒原料进行剥离，得到二维硒纳米片；将二维硒纳米片分散在溶剂中形成二维硒纳米片分散液，将二维硒纳米片分散液均匀涂布在导电基底上，干燥后得到工作电极；提供对电极，在工作电极和对电极之间注入电解液，经封装后得到光探测器。本发明专利技术提供的制备方法简单易操作。

【技术实现步骤摘要】
基于二维硒纳米片的光电化学型光探测器及其制备方法
本专利技术涉及光电领域，具体涉及一种基于二维硒纳米片的光电化学型光探测器及其制备方法。
技术介绍
光探测器是利用具有光电效应的材料制成的能够实现光电转换的传感器，其作用是实现光电变换。其机理是由射入探测器的导波光束引起电子从价带到导带的受激跃迁，产生光生载流子(电子和空穴)。并由PN结或肖特基势垒将这些载流子收集起来，最终表现为光电压或光电流。目前，基于二维纳米材料如黑磷的光探测器被认为是当前商用光探测器的有效替代产品。但是这种光探测器具有以下缺点：(1)基于宽带隙半导体的光探测器，由于带隙较大导致探测波长过短；(2)现有的二维纳米材料稳定性较差，导致光探测器的使用性能较差；(3)固体模块的光探测器暴露在空气中，存在容易被氧化的缺点。鉴于传统的光探测器的缺陷，本专利技术提出了一种全新的光电化学型光探测器。
技术实现思路
为解决上述问题，本专利技术提供了一种基于二维硒纳米片的光电化学型光探测器，所述光探测器包括一种新型的二维功能材料-二维硒纳米片，所述二维硒纳米片带隙较窄，响应光谱较宽，环境稳定性较好，具有良好的光电探测功能。本专利技术第一本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于二维硒纳米片的光电化学型光探测器，其特征在于，包括工作电极、对电极以及设于所述工作电极和所述对电极之间的电解液，所述工作电极包括导电基底和设置在所述导电基底朝向所述对电极的一侧上的半导体层，所述半导体层的材料包括二维硒纳米片。

【技术特征摘要】
1.一种基于二维硒纳米片的光电化学型光探测器，其特征在于，包括工作电极、对电极以及设于所述工作电极和所述对电极之间的电解液，所述工作电极包括导电基底和设置在所述导电基底朝向所述对电极的一侧上的半导体层，所述半导体层的材料包括二维硒纳米片。2.如权利要求1所述的光电化学型光探测器，其特征在于，所述二维硒纳米片为晶体结构或无定形结构。3.如权利要求1所述的光电化学型光探测器，其特征在于，所述二维硒纳米片的厚度为1-50nm。4.如权利要求1所述的光电化学型光探测器，其特征在于，所述二维硒纳米片的长宽尺寸为10-200nm。5.如权利要求1所述的光电化学型光探测器，其特征在于，所述半导体层还包括高分子材料，所述高分子材料与所述二维硒纳米片均匀分布在所述半导体层中，所述高分子材料包括聚偏氟乙烯和纤维素中的至少一种。6.如权利要求5所述的光电化学型光探测器，其特征在于，所述高分子材料与所述二维硒纳米片的质量比为1:10-1:100。7.如权利要求1所述的光电化学型光探测器，其特征在于，所述电解液包括碱性电解液或中性电解液。8.一种基于二维硒纳米片的光电化学型光探测器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供硒原料，...

【专利技术属性】
技术研发人员：张晗，谢中建，肖荃兰，范涛健，
申请(专利权)人：深圳大学，
类型：发明
国别省市：广东,44