电池充电装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种电池充电装置。电池充电装置包括第一电阻、第一NPN管、第一PMOS管、第二PMOS管、第二NPN管、第三PMOS管、第四PMOS管、第三NPN管、第五PMOS管、第六PMOS管、第二电阻和电池。利用本发明专利技术可以有效地提高充电电流的电源抑制比。

【技术实现步骤摘要】
电池充电装置
本专利技术涉及集成电路技术，尤其涉及到电池充电装置。
技术介绍
电池在充电过程中会受到电源电压的干扰，为了避免在充电时降低电源电压对充电电流的影响，为此设计了一种提高电池充电电流的电源抑制比的电池充电装置。
技术实现思路
本专利技术旨在解决现有技术的不足，提供一种能够提高充电电流的电源抑制比的电池充电装置。电池充电装置，包括第一电阻、第一NPN管、第一PMOS管、第二PMOS管、第二NPN管、第三PMOS管、第四PMOS管、第三NPN管、第五PMOS管、第六PMOS管、第二电阻和电池：所述第一电阻的一端接电源电压VCC，另一端接所述第一NPN管的基极和集电极和所述第二NPN管的基极和所述第三NPN管的基极；所述第一NPN管的基极和集电极接在一起再接所述第一电阻的一端和所述第二NPN管的基极和所述第三NPN管的基极，发射极接地；所述第一PMOS管的栅极接所述第二PMOS管的漏极和所述第二NPN管的集电极和所述第三PMOS管的栅极和所述第五PMOS管的栅极，漏极接所述第二PMOS管的源极，源极接电源电压VCC；所述第二PMOS管的栅极接所述第四PMOS管的栅极和漏极和所述第三NPN管的集电极和所述第六PMOS管的栅极，漏极接所述第一PMOS管的栅极和所述第三PMOS管的栅极和所述第五PMOS管的栅极和所述第二NPN管的集电极，源极接所述第一PMOS管的漏极；所述第二NPN管的基极接所述第一电阻的一端和所述第一NPN管的基极和集电极和所述第三NPN管的基极，集电极接所述第一PMOS管的栅极和所述第三PMOS管的栅极和所述第五PMOS管的栅极和所述第二PMOS管的漏极，发射极接地；所述第三PMOS管的栅极接所述第一PMOS管的栅极和所述第二PMOS管的漏极和所述第二NPN管的集电极和所述第五PMOS管的栅极，漏极接所述第四PMOS管的源极；所述第四PMOS管的栅极和漏极接在一起再接所述第二PMOS管的栅极和所述第三NPN管的集电极和所述第六PMOS管的栅极，源极接所述第三PMOS管的漏极；所述第三NPN管的基极接所述第一电阻的一端和所述第一NPN管的基极和集电极和所述第二NPN管的基极，集电极接所述第二PMOS管的栅极和所述第四PMOS管的栅极和漏极和第六PMOS管的栅极，发射极接地；所述第五PMOS管的栅极接所述第三PMOS管的栅极和所述第一PMOS管的栅极和所述第二PMOS管的漏极和所述第二NPN管的集电极，漏极接所述第六PMOS管的源极，源极接电源电压VCC；所述第六PMOS管的栅极接所述第四PMOS管的栅极和漏极和所述第二PMOS管的栅极和所述第三NPN管的集电极，漏极接所述第二电阻的一端，源极接所述第五PMOS管的漏极；所述第二电阻的一端接所述第六PMOS管的漏极，另一端接所述电池的正极；所述电池的正极接所述第二电阻的一端，负极接地。所述第一电阻和所述第一NPN管构成偏置电路产生电流I1，再通过所述第一NPN管镜像给所述第二NPN管的电流I2和所述第三NPN管的电流I3，再通过所述第四PMOS管镜像给所述第六PMOS管对所述电池进行充电；所述第一PMOS管、所述第三PMOS管和所述第五PMOS管是为了减少电源电压VCC分别对所述第二PMOS管、所述第四PMOS管和所述第六PMOS管的影响，提高了电池充电电流的电源抑制比；所述第二电阻起到限流作用。附图说明图1为本专利技术的电池充电装置的电路图。具体实施方式以下结合附图对本
技术实现思路
进一步说明。电池充电装置，如图1所示，包括第一电阻101、第一NPN管102、第一PMOS管103、第二PMOS管104、第二NPN管105、第三PMOS管106、第四PMOS管107、第三NPN管108、第五PMOS管109、第六PMOS管110、第二电阻111和电池112：所述第一电阻101的一端接电源电压VCC，另一端接所述第一NPN管102的基极和集电极和所述第二NPN管105的基极和所述第三NPN管108的基极；所述第一NPN管102的基极和集电极接在一起再接所述第一电阻101的一端和所述第二NPN管105的基极和所述第三NPN管108的基极，发射极接地；所述第一PMOS管103的栅极接所述第二PMOS管104的漏极和所述第二NPN管105的集电极和所述第三PMOS管106的栅极和所述第五PMOS管109的栅极，漏极接所述第二PMOS管104的源极，源极接电源电压VCC；所述第二PMOS管104的栅极接所述第四PMOS管107的栅极和漏极和所述第三NPN管108的集电极和所述第六PMOS管110的栅极，漏极接所述第一PMOS管103的栅极和所述第三PMOS管106的栅极和所述第五PMOS管109的栅极和所述第二NPN管105的集电极，源极接所述第一PMOS管103的漏极；所述第二NPN管105的基极接所述第一电阻101的一端和所述第一NPN管102的基极和集电极和所述第三NPN管108的基极，集电极接所述第一PMOS管103的栅极和所述第三PMOS管106的栅极和所述第五PMOS管109的栅极和所述第二PMOS管104的漏极，发射极接地；所述第三PMOS管106的栅极接所述第一PMOS管103的栅极和所述第二PMOS管104的漏极和所述第二NPN管105的集电极和所述第五PMOS管109的栅极，漏极接所述第四PMOS管107的源极；所述第四PMOS管107的栅极和漏极接在一起再接所述第二PMOS管104的栅极和所述第三NPN管108的集电极和所述第六PMOS管110的栅极，源极接所述第三PMOS管106的漏极；所述第三NPN管108的基极接所述第一电阻101的一端和所述第一NPN管102的基极和集电极和所述第二NPN管105的基极，集电极接所述第二PMOS管104的栅极和所述第四PMOS管107的栅极和漏极和第六PMOS管110的栅极，发射极接地；所述第五PMOS管109的栅极接所述第三PMOS管106的栅极和所述第一PMOS管103的栅极和所述第二PMOS管104的漏极和所述第二NPN管105的集电极，漏极接所述第六PMOS管110的源极，源极接电源电压VCC；所述第六PMOS管110的栅极接所述第四PMOS管107的栅极和漏极和所述第二PMOS管104的栅极和所述第三NPN管108的集电极，漏极接所述第二电阻111的一端，源极接所述第五PMOS管109的漏极；所述第二电阻111的一端接所述第六PMOS管110的漏极，另一端接所述电池112的正极；所述电池112的正极接所述第二电阻111的一端，负极接地。所述第一电阻101和所述第一NPN管102构成偏置电路产生电流I1，再通过所述第一NPN管102镜像给所述第二NPN管105的电流I2和所述第三NPN管108的电流I3，再通过所述第四PMOS管107镜像给所述第六PMOS管110对所述电池112进行充电；所述第一PMOS管103、所述第三PMOS管106和所述第五PMOS管109是为了减少电源电压VCC分别对所述第二PMOS管104、所述第四PMOS管107和所述第六PMOS管110的影响，提高了电池充电电流的电源抑制比；所述第二电阻111起到限流作用。对上述所提供的实施方式的说明，仅是本专利技术的优选实本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.电池充电装置，其特征在于：包括第一电阻、第一NPN管、第一PMOS管、第二PMOS管、第二NPN管、第三PMOS管、第四PMOS管、第三NPN管、第五PMOS管、第六PMOS管、第二电阻和电池；所述第一电阻的一端接电源电压VCC，另一端接所述第一NPN管的基极和集电极和所述第二NPN管的基极和所述第三NPN管的基极；所述第一NPN管的基极和集电极接在一起再接所述第一电阻的一端和所述第二NPN管的基极和所述第三NPN管的基极，发射极接地；所述第一PMOS管的栅极接所述第二PMOS管的漏极和所述第二NPN管的集电极和所述第三PMOS管的栅极和所述第五PMOS管的栅极，漏极接所述第二PMOS管的源极，源极接电源电压VCC；所述第二PMOS管的栅极接所述第四PMOS管的栅极和漏极和所述第三NPN管的集电极和所述第六PMOS管的栅极，漏极接所述第一PMOS管的栅极和所述第三PMOS管的栅极和所述第五PMOS管的栅极和所述第二NPN管的集电极，源极接所述第一PMOS管的漏极；所述第二NPN管的基极接所述第一电阻的一端和所述第一NPN管的基极和集电极和所述第三NPN管的基极，集电极接所述第一PMOS管的栅极和所述第三PMOS管的栅极和所述第五PMOS管的栅极和所述第二PMOS管的漏极，发射极接地；所述第三PMOS管的栅极接所述第一PMOS管的栅极和所述第二PMOS管的漏极和所述第二NPN管的集电极和所述第五PMOS管的栅极，漏极接所述第四PMOS管的源极；所述第四PMOS管的栅极和漏极接在一起再接所述第二PMOS管的栅极和所述第三NPN管的集电极和所述第六PMOS管的栅极，源极接所述第三PMOS管的漏极；所述第三NPN管的基极接所述第一电阻的一端和所述第一NPN管的基极和集电极和所述第二NPN管的基极，集电极接所述第二PMOS管的栅极和所述第四PMOS管的栅极和漏极和第六PMOS管的栅极，发射极接地；所述第五PMOS管的栅极接所述第三PMOS管的栅极和所述第一PMOS管的栅极和所述第二PMOS管的漏极和所述第二NPN管的集电极，漏极接所述第六PMOS管的源极，源极接电源电压VCC；所述第六PMOS管的栅极接所述第四PMOS管的栅极和漏极和所述第二PMOS管的栅极和所述第三NPN管的集电极，漏极接所述第二电阻的一端，源极接所述第五PMOS管的漏极；所述第二电阻的一端接所述第六PMOS管的漏极，另一端接所述电池的正极；所述电池的正极接所述第二电阻的一端，负极接地。...

【技术特征摘要】
1.电池充电装置，其特征在于：包括第一电阻、第一NPN管、第一PMOS管、第二PMOS管、第二NPN管、第三PMOS管、第四PMOS管、第三NPN管、第五PMOS管、第六PMOS管、第二电阻和电池；所述第一电阻的一端接电源电压VCC，另一端接所述第一NPN管的基极和集电极和所述第二NPN管的基极和所述第三NPN管的基极；所述第一NPN管的基极和集电极接在一起再接所述第一电阻的一端和所述第二NPN管的基极和所述第三NPN管的基极，发射极接地；所述第一PMOS管的栅极接所述第二PMOS管的漏极和所述第二NPN管的集电极和所述第三PMOS管的栅极和所述第五PMOS管的栅极，漏极接所述第二PMOS管的源极，源极接电源电压VCC；所述第二PMOS管的栅极接所述第四PMOS管的栅极和漏极和所述第三NPN管的集电极和所述第六PMOS管的栅极，漏极接所述第一PMOS管的栅极和所述第三PMOS管的栅极和所述第五PMOS管的栅极和所述第二NPN管的集电极，源极接所述第一PMOS管的漏极；所述第二NPN管的基极接所述第一电阻的一端和所述第一NPN管的基极和集电极和所述第三NPN管的基极，集电极接所述第一PMOS管的栅极和所述第三PMOS管的栅极和所...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈孙园，
申请(专利权)人：杭州宽福科技有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33