量子点电致发光器件制造技术

本发明专利技术涉及一种量子点电致发光器件。该量子点电致发光器件包括阳极层、复合功能层以及发光层；所述复合功能层位于所述阳极层和所述发光层之间，且所述复合功能层与所述发光层相接触；其中，所述复合功能层包括至少一种给体分子材料以及至少一种受体分子材料，所述给体分子材料包含至少一种供空穴基团，所述受体分子材料包含至少一种供电子基团，所述给体分子材料与所述受体分子材料形成激基复合物；所述发光层包含至少一种量子点材料。上述量子点电致发光器件，能够提高电流效率，进而提高该量子点电致发光器件的发光效率。

【技术实现步骤摘要】
量子点电致发光器件
本专利技术涉及显示
，特别是涉及一种量子点电致发光器件。
技术介绍
利用量子点电致发光特性制作的量子点发光二极管(QuantumDotLightEmittingDiode，QLED)器件作为一种新兴的发光器件，近年来受到了广泛的关注。与传统的有机发光二极管(OLED)相比，QLED具有更加优异的色纯度、亮度和可视角等特点。量子点电致发光器件的激励机制有两种：一种是让空穴和电子直接注入到量子点发光层，在量子点发光层内复合成激子发光；另一种是通过能量传递的方式，即在载流子传输层形成的激子将能量直接传递给量子点，使其发光。由于量子点的发光属于荧光，只能利用单线态激子，三线态的能量无法利用，导致量子点电致发光器件的发光效率普遍偏低。
技术实现思路
基于此，有必要针对传统的量子点电致发光器件的发光效率低的问题，提供一种量子点电致发光器件。一种量子点电致发光器件，包括阳极层、复合功能层以及发光层；所述复合功能层位于所述阳极层和所述发光层之间，且所述复合功能层与所述发光层相接触；其中，所述复合功能层包括至少一种给体分子材料以及至少一种受体分子材料，所述给体分子材料包含至少一种本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种量子点电致发光器件，其特征在于，包括阳极层、复合功能层以及发光层；所述复合功能层位于所述阳极层和所述发光层之间，且所述复合功能层与所述发光层相接触；其中，所述复合功能层包括至少一种给体分子材料以及至少一种受体分子材料，所述给体分子材料包含至少一种供空穴基团，所述受体分子材料包含至少一种供电子基团，所述给体分子材料与所述受体分子材料形成激基复合物；所述发光层包含至少一种量子点材料。

【技术特征摘要】
1.一种量子点电致发光器件，其特征在于，包括阳极层、复合功能层以及发光层；所述复合功能层位于所述阳极层和所述发光层之间，且所述复合功能层与所述发光层相接触；其中，所述复合功能层包括至少一种给体分子材料以及至少一种受体分子材料，所述给体分子材料包含至少一种供空穴基团，所述受体分子材料包含至少一种供电子基团，所述给体分子材料与所述受体分子材料形成激基复合物；所述发光层包含至少一种量子点材料。2.根据权利要求1所述的量子点电致发光器件，其特征在于，所述给体分子材料的最高占有轨道能级≥5.0eV；所述受体分子材料的最低未占有轨道能级≤3.2eV。3.根据权利要求2所述的量子点电致发光器件，其特征在于，所述给体分子材料与所述受体分子材料的最高占有轨道能级差≥0.3eV；所述给体分子材料与所述受体分子材料的最低未占有轨道能级差≥0.3eV。4.根据权利要求3所述的量子点电致发光器件，其特征在于，所述给体分子材料与所述受体分子材料的最高占有轨道能级差为0.3eV-5eV。5.根据权利要求1-4中任一项所述的量子点电致发光器件，其特征在于，所述给体分子材料与所述受体分子材料的三线态能级均大于2.6eV，且所述给体分子材料与所述受体分子材料的三线态能级均大于所述激基复合物的三线态能级。6.根据权利要求1-4中任一项所述的量子点电致发光器件，其特征在于，所述给体分子材料选自4,4...

【专利技术属性】
技术研发人员：魏雄伟，李哲，黄航，宋晶尧，付东，
申请(专利权)人：广东聚华印刷显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44