一种带侧面保护的COB封装光电芯片的制作方法技术

本发明专利技术公开了一种带侧面保护的COB封装光电芯片的制作方法，通过对晶圆光电器件的切割、侧面的绝缘处理、COB封装、电极连接、成品切割得到COB封装完成的成品光电芯片。本发明专利技术方法制作出的COB封装光电芯片，在芯片的两侧面带有绝缘胶保护，保证了导电银浆不会和芯片的侧面硅接触，杜绝了正面电极和芯片的背面电极形成短路，本发明专利技术方法工艺简单，可实现自动化生产，可以大大降低产品成本，具有非常大的市场应用前景。

【技术实现步骤摘要】
一种带侧面保护的COB封装光电芯片的制作方法
：本专利技术涉及光电芯片的生产领域，具体的是一种带侧面保护的COB封装光电芯片的制作方法。
技术介绍
：硅光电倍增器往往用于成像应用，需要将单个SiPM器件按四边拼接成大规模阵列，传统压焊引线的方法会造成压焊电极所在的一边有较宽的缝隙“死区”(对光信号不敏感)，由于SiPM多应用于弱光探测，在使用中，高的探测效率至关重要。因此，在SiPM的封装中，需要尽可能提高有效探测面积的占比。目前，日本滨松的MPPC器件、爱尔兰的SensL的SiPM等部分封装形式采用的是将信号汇集到器件中央，在器件中央采用光刻、干法刻蚀(或激光烧蚀)等方法打穿SiPM，即采用TSV过孔硅工艺，然后采用绝缘沉淀等方法将电极引入背面，此工艺能有效提高有源区的占比，然而工艺复杂，成本较高。
技术实现思路
：本专利技术的目的是为了解决现有技术的不足，提供了一种带侧面保护的COB封装光电芯片的制作方法。本专利技术采用的技术方案为：一种带侧面保护的COB封装光电芯片的制作方法，其特征在于：具体包括以下步骤：1).准备待加工的晶圆光电器件和PCB板，晶圆光电器件的正反面均设有电极、分本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种带侧面保护的COB封装光电芯片的制作方法，其特征在于：具体包括以下步骤：1).准备待加工的晶圆光电器件和PCB板，晶圆光电器件的正反面均设有电极、分别为正面电极和背面电极；2).对晶圆光电器件的电极面作半切割，使用工具沿晶圆光电器件的正面电极所在面预留的纵向划片道进行不全切割，形成切割槽，要求切割槽的宽度在200‑300微米之间，切割深度的要求为：晶圆厚度>切割槽深度≥晶圆厚度的1/2；3).向切割槽内注入绝缘灌封胶，要求绝缘灌封胶与晶圆光电器件表面齐平，然后根据绝缘灌封胶的固化条件进行固化，形成带有绝缘保护的绝缘切割槽；4).使用工具在绝缘切割槽的中分线处对晶圆光电器件进行纵向的全切...

【技术特征摘要】
1.一种带侧面保护的COB封装光电芯片的制作方法，其特征在于：具体包括以下步骤：1).准备待加工的晶圆光电器件和PCB板，晶圆光电器件的正反面均设有电极、分别为正面电极和背面电极；2).对晶圆光电器件的电极面作半切割，使用工具沿晶圆光电器件的正面电极所在面预留的纵向划片道进行不全切割，形成切割槽，要求切割槽的宽度在200-300微米之间，切割深度的要求为：晶圆厚度>切割槽深度≥晶圆厚度的1/2；3).向切割槽内注入绝缘灌封胶，要求绝缘灌封胶与晶圆光电器件表面齐平，然后根据绝缘灌封胶的固化条件进行固化，形成带有绝缘保护的绝缘切割槽；4).使用工具在绝缘切割槽的中分线处对晶圆光电器件进行纵向的全切割，使切割线两侧均预留相同厚度的绝缘灌封胶作为保护层；再沿晶圆光电器件正面电极所在面预留的横向划片道对晶圆光电器件作横向的全切割，将晶圆光电器件分割成单颗光电芯片，得到两侧带有绝缘保护的单颗光电芯片；5).设计带树脂槽和若干芯片槽的PCB板，每两个相邻的芯片槽之间预留空间作为划片分割槽使用，若干芯片槽在树脂槽底面呈矩形阵列布置、芯片槽尺寸对应单颗光电芯片设置，每个芯片槽侧的树脂槽底面对应设置一个银浆孔、芯片槽底部开设贯穿的注胶孔；6).通过滴注导电胶在芯片槽底部的注胶孔内，注胶孔内的导电胶电连两个导电金属板，其中一个导电金属板位于芯片槽底面、另一个导电金属板位于PCB板底部；7).向芯片槽槽底滴注导电胶，使单颗光电芯片的背面电极...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩意，张远兵，陈佩，简兴，朱立政，
申请(专利权)人：安徽科技学院，
类型：发明
国别省市：安徽,34