【技术实现步骤摘要】
半导体装置封装
本专利技术涉及半导体装置封装，且更确切地说，涉及具有减小的物理大小和厚度的半导体装置封装。
技术介绍
由于多种电子组件的集成密度的连续改进，半导体行业经历了快速的增长。由于对小型化、更高速度和更低功率消耗的需求的连续地增长，已经开发了堆叠装置封装(例如,三维(3D)装置封装)作为进一步减少装置封装的物理大小的方式。在堆叠装置封装中，有源组件(例如，逻辑电路、存储器、处理器电路等等)和无源组件(例如，电容器、电感器、电阻器等等)是在单独的半导体晶片上制造的。有源组件和无源组件安装在彼此的顶部上以进一步减少装置封装的横向形状因数。堆叠结构可以减少封装装置的面积，但是封装装置的总体厚度和大小可能以另外的方式增大。
技术实现思路
在一些实施例中，半导体装置封装包含介电层、第一RDL、第二RDL、电感器、第一电子组件和第二电子组件。介电层包含第一表面和与第一表面相对的第二表面。第一RDL邻近于介电层的第一表面，并且第一RDL包含多个第一导电零件。第二RDL邻近于介电层的第二表面，并且第二RDL包含多个第二导电零件。电感器安置于介电层中。电感器包含多个感应柱，其中...
【技术保护点】
1.一种半导体装置封装，其包括：介电层，其包括第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；第一再分布层RDL，其邻近于所述介电层的所述第一表面，所述第一RDL包括多个第一导电零件；第二RDL，其邻近于所述介电层的所述第二表面，所述第二RDL包括多个第二导电零件；电感器，其安置于所述介电层中，所述电感器包括多个感应柱，其中穿过所述介电层安置所述感应柱中的每一个，并且所述感应柱中的每一个在所述第一RDL的所述第一导电零件中的相应一个与所述第二RDL的所述第二导电零件中的相应一个之间互连；以及第一电子组件和第二电子组件，其在所述第一RDL与所述第二RDL之间且通过所述电感器电连接到彼此。
【技术特征摘要】
2017.05.18 US 15/599,3791.一种半导体装置封装，其包括：介电层，其包括第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；第一再分布层RDL，其邻近于所述介电层的所述第一表面，所述第一RDL包括多个第一导电零件；第二RDL，其邻近于所述介电层的所述第二表面，所述第二RDL包括多个第二导电零件；电感器，其安置于所述介电层中，所述电感器包括多个感应柱，其中穿过所述介电层安置所述感应柱中的每一个，并且所述感应柱中的每一个在所述第一RDL的所述第一导电零件中的相应一个与所述第二RDL的所述第二导电零件中的相应一个之间互连；以及第一电子组件和第二电子组件，其在所述第一RDL与所述第二RDL之间且通过所述电感器电连接到彼此。2.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其中所述第一电子组件包括有源组件，并且所述第二电子组件包括无源组件。3.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其中所述介电层包括聚合物介电层，并且所述聚合物介电层的材料包括光固化材料。4.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其进一步包括穿过所述介电层安置且电连接到所述第一RDL和所述第二RDL的多个连接柱。5.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其中所述第一RDL进一步包括绝缘层，并且所述绝缘层的硬度大于所述介电层的硬度。6.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其进一步包括在所述第一RDL或所述第二RDL上方的第三电子组件，其中所述第三电子组件安置成与所述第一电子组件和所述第二电子组件相对。7.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其进一步包括在所述第一RDL或所述第二RDL上方的导线，其中所述导线在所述导线的一端处电连接到所述第一导电零件或所述第二导电零件中的一个，并且在所述导线的另一端处电连接到所述第一导电零件或所述第二导电零件中的另一个。8.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其进一步包括由所述介电层围绕的模制层，所述模制层囊封所述第一电子组件和所述第二电子组件。9.一种半导体装置封装，其包括：介电层，其包括第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；第一电子组件和第二电子组件，其安...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈建桦，林弘毅，孔政渊，李德章，林轩宇，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71
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