【技术实现步骤摘要】
电感装置
本案是有关于一种基本电子组件,且特别是有关于一种电感装置。
技术介绍
一般8字形电感常因结构不对称而影响其抵消耦合的效能。详细而言,若构成8字形电感的两个线圈于结构上没有完全对称,则会让每个线圈产生的磁场偏移,诸如因两线圈的结构不对称,而使磁场偏向两线圈的一侧。如此,会影响8字形电感的效能。
技术实现思路
本案内容之一目的是在提供一种电感装置,藉以改善先前技术的问题。为达上述目的,本案内容的一技术态样是关于一种电感装置,其包含第一电感单元与第二电感单元。第一电感单元包含第一线圈与第二线圈。第一线圈绕设成复数圈。第二线圈与第一线圈相应绕设为复数圈。第一线圈及/或第二线圈于第一端点处、第二端点处、第一侧与第二侧分别交错绕设。第二电感单元包含第三线圈与第四线圈。第三线圈绕设成复数圈。第四线圈与第三线圈相应绕设为复数圈。第三线圈及/或第四线圈于第三端点处、第四端点处、第三侧与第四侧分别交错绕设。第一电感单元的第二线圈与第二电感单元的第三线圈于第二端点及/或第三端点处交错绕设。因此,根据本案的
技术实现思路
,本案实施例提供一种电感装置,藉由电感装置的两个电感单元的对称设计,以改善一般8字形电感常因结构不对称而影响其抵消耦合的效能问题。在参阅下文实施方式后,本案所属
中具有通常知识者当可轻易了解本案的基本精神及其他专利技术目的,以及本案所采用的技术手段与实施态样。附图说明为让本案的上述和其他目的、特征、优点与实施例能更明显易懂,所附图式的说明如下:图1是依照本案一实施例绘示一种电感装置的示意图。图2是依照本案另一实施例绘示一种电感装置的示意图。图3是依照本案再一 ...
【技术保护点】
1.一种电感装置,包含:一第一电感单元,包含:一第一端点及一第二端点,分别设置于该第一电感单元的相对两侧,其中以该第一端点与该第二端点之间的一第一中心连线为基准,该第一中心连线的相对两侧包含一第一侧与一第二侧;一第一线圈,绕设成复数圈;以及一第二线圈,与该第一线圈相应绕设为复数圈,其中该第一线圈及/或该第二线圈于该第一端点处、该第二端点处、该第一侧与该第二侧分别交错绕设;以及一第二电感单元,包含:一第三端点及一第四端点,分别设置于该第二电感单元的相对两侧,其中以该第三端点与该第四端点之间的一第二中心连线为基准,该第二中心连线的相对两侧包含一第三侧与一第四侧;一第三线圈,绕设成复数圈;以及一第四线圈,与该第三线圈相应绕设为复数圈,其中该第三线圈及/或该第四线圈于该第三端点处、该第四端点处、该第三侧与该第四侧分别交错绕设;其中该第一电感单元的该第一线圈耦接于该第二电感单元的该第四线圈,该第一电感单元的该第二线圈耦接于该第二电感单元的该第三线圈。
【技术特征摘要】
1.一种电感装置,包含:一第一电感单元,包含:一第一端点及一第二端点,分别设置于该第一电感单元的相对两侧,其中以该第一端点与该第二端点之间的一第一中心连线为基准,该第一中心连线的相对两侧包含一第一侧与一第二侧;一第一线圈,绕设成复数圈;以及一第二线圈,与该第一线圈相应绕设为复数圈,其中该第一线圈及/或该第二线圈于该第一端点处、该第二端点处、该第一侧与该第二侧分别交错绕设;以及一第二电感单元,包含:一第三端点及一第四端点,分别设置于该第二电感单元的相对两侧,其中以该第三端点与该第四端点之间的一第二中心连线为基准,该第二中心连线的相对两侧包含一第三侧与一第四侧;一第三线圈,绕设成复数圈;以及一第四线圈,与该第三线圈相应绕设为复数圈,其中该第三线圈及/或该第四线圈于该第三端点处、该第四端点处、该第三侧与该第四侧分别交错绕设;其中该第一电感单元的该第一线圈耦接于该第二电感单元的该第四线圈,该第一电感单元的该第二线圈耦接于该第二电感单元的该第三线圈。2.如权利要求1所述的电感装置,其中该第一线圈与该第二线圈分别包含一第一端与一第二端,该第一线圈与该第二线圈的该些第一端位于该第一电感单元的该第一端点或该第二端点,该第一线圈与该第二线圈的该些第二端位于该第一电感单元的该第一端点或该第二端点,其中该第三线圈与该第四线圈分别包含一第一端与一第二端,该第三线圈与该第四线圈的该些第一端位于该第二电感单元的该第三端点或该第四端点,该第三线圈与该第四线圈的该些第二端位于该第二电感单元的该第三端点或该第四端点。3.如权利要求2所述的电感装置,其中该第一电感单元包含一第一圈、一第二圈与一第三圈,其中该第一线圈自该第一端起始沿着该第一圈绕设至该第一侧交错绕设至该第二圈,再沿着该第二圈绕设至该第二端点处交错绕设至该第三圈,其中该第一线圈沿着该第三圈绕设至该第一端点处交错绕设至该第二圈,再沿着该第二圈绕设至该第一侧交错绕设至该第一圈。4.如权利要求3所述的电感装置,其中该第二线圈自该第一端点起始沿着该第一圈绕设至该第二侧交错绕设至该第二圈,再沿着该第二圈绕设至该第二端点处交错绕设至该第三圈,其中该第二线圈沿着该第三圈绕设至该第一端点处交错绕设至该第二圈...
【专利技术属性】
技术研发人员:颜孝璁,罗正玮,简育生,叶达勋,
申请(专利权)人:瑞昱半导体股份有限公司,
类型:发明
国别省市:中国台湾,71
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