一种QLED器件及其反向电压驱动模式制造技术

本发明专利技术公开了一种QLED器件及其反向电压驱动模式，其中，所述QLED器件的反向电压驱动模式为在每个驱动周期内，当QLED器件不工作时，向所述QLED器件发射至少一个反向驱动信号，所述反向驱动信号为反向电压信号，通过在QLED器件不工作时，向其发射一个反向电压信号，改变缺陷势阱的势垒，以加速限制和聚集于势阱中的电荷的消除，从而达到延长QLED器件寿命的目的。

【技术实现步骤摘要】
一种QLED器件及其反向电压驱动模式
本专利技术涉及显示
，特别涉及一种QLED器件及其反向电压驱动模式。
技术介绍
量子点发光二极管（QLED）是具有高显示性能和印刷显示适应性的下一代显示技术，然而QLED的寿命一直是制约其广泛应用的瓶颈。除了对材料、器件、制备工艺的优化以外，驱动QLED也是一种可以减缓QLED光强衰减，增强QLED使用寿命的方法。QLED是一般需要空穴传输层、量子点发光层、电子传输层构成。由于每层的能级不同，因此存在能级差，在QLED的工作中，电荷会聚集在有能级差的界面，特别是与量子点发光层接触的界面，能够很大的影量子点的发光特性。从而减低发光光强。另一方面，在每种材料内部，例如量子点的表面，传输层材料分子之间都存在大量的缺陷，这些缺陷也是限制载流子的原因。随着QLED的工作时间增加，越来越多的电荷限制到缺陷中，作为淬灭光子的中心，极大的减低发光光强。因此如何消除限制和聚集在势阱中的电荷，提高QLED器件寿命的问题还亟待解决。因而现有技术还有待改进和提高。
技术实现思路
鉴于上述现有技术的不足之处，本专利技术的目的在于提供一种QLED器件及其反向电压驱动模式，通过在QLED器件不工作时，向其发射一个反向电压信号，改变缺陷势阱的势垒，以加速限制和聚集于势阱中的电荷的消除，从而达到延长QLED器件寿命的目的。为了达到上述目的，本专利技术采取了以下技术方案：一种QLED器件的反向电压驱动模式，其中，在每个驱动周期内，当QLED器件不工作时，向所述QLED器件发射至少一个反向驱动信号，所述反向驱动信号为反向电压信号。所述的QLED器件的反向电压驱动模式中，所述驱动周期内还设置有空置驱动信号，在驱动QLED器件工作的正向驱动信号结束后或者空置驱动信号结束后立即向QLED器件发射所述反向驱动信号。所述的QLED器件的反向电压驱动模式中，所述正向驱动信号为任意波形的电压信号或电流信号。所述的QLED器件的反向电压驱动模式中，所述反向驱动信号的波形为方波、三角波、斜波、正弦波中的至少一种。所述的QLED器件的反向电压驱动模式中，所述反向电压信号的最大值小于QLED器件的击穿电压。所述的QLED器件的反向电压驱动模式中，每个驱动周期内，所有反向驱动信号的持续时间之和占每个驱动周期的时间百分比为1%～99%。所述的QLED器件的反向电压驱动模式中，每个驱动周期内，所述空置驱动信号的持续时间占每个驱动周期的时间百分比为1%～99%。所述的QLED器件的反向电压驱动模式中，所述反向驱动信号的频率大于60Hz。所述的QLED器件的反向电压驱动模式中，所述反向电压信号的幅值为-0.1V～-10V。一种QLED器件，其至少包括依次叠层设置的底电极、发光层和顶电极，所述底电极和顶电极之间连接一驱动电路，所述驱动电路的工作模式为如上所述的反向电压驱动模式。相较于现有技术，本专利技术提供的QLED器件及其反向电压驱动模式中，所述QLED器件的反向电压驱动模式为在每个驱动周期内，当QLED器件不工作时，向所述QLED器件发射至少一个反向驱动信号，所述反向驱动信号为反向电压信号，通过在QLED器件不工作时，向其发射一个反向电压信号，以加速限制和聚集于势阱中的电荷的消除，从而达到延长QLED器件寿命的目的。附图说明图1为本专利技术实施例1中的驱动信号波形图。图2为本专利技术实施例1中反向驱动与正常驱动的寿命衰减曲线对比图。图3为本专利技术实施例2中的驱动信号波形图。图4为本专利技术实施例2中反向驱动与正常驱动的寿命衰减曲线对比图。图5为本专利技术实施例3中的驱动信号波形图。图6为本专利技术实施例3中反向驱动与正常驱动的寿命衰减曲线对比图。图7为本专利技术实施例4中的驱动信号波形图。图8为本专利技术实施例4中反向驱动与正常驱动的寿命衰减曲线对比图。图9为本专利技术实施例5中的驱动信号波形图。图10为本专利技术实施例5中反向驱动与正常驱动的寿命衰减曲线对比图。图11为本专利技术实施例6中的驱动信号波形图。图12为本专利技术实施例6中反向驱动与正常驱动的寿命衰减曲线对比图。图13为本专利技术实施例7中的驱动信号波形图。图14为本专利技术实施例7中反向驱动与正常驱动的寿命衰减曲线对比图。图15为本专利技术提供的QLED器件的结构示意图。具体实施方式鉴于现有技术QLED器件寿命短等缺点，本专利技术的目的在于提供一种QLED器件及其反向电压驱动模式，通过在QLED器件不工作时，向其发射一个反向电压驱动信号，改变缺陷势阱的势垒，以加速限制和聚集于势阱中的电荷的消除，从而达到延长QLED器件寿命的目的。为使本专利技术的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下参照附图并举实施例对本专利技术进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。本专利技术提供的QLED器件的反向电压驱动模式，主要通过在每个驱动周期内，当QLED器件不工作时，向所述QLED器件发射至少一个反向驱动信号，以达到加速消除限制和聚集于势阱中的电荷的目的，从而延长QLED器件的寿命，其中所述反向驱动信号为反向电压信号。采用反向电压信号可使QLED器件处于一定的反向电场，在反向电场下，聚集在界面负极的电荷会被反向电场驱赶到QLED器件外，通过调节反向电场的强度，改变缺陷势阱的势垒，使限制于势阱中的电荷更可能逃脱，从而减小限制电荷的密度，在调节反向电场强度时，所述反向电压信号的最大值需小于QLED器件的击穿电压，以保证器件的正常使用。因此，采用反向电压信号能实现限制和聚集于势阱中的电荷消除，提高器件寿命，进一步地，该反向电压驱动模式可应用嵌入到QLED的主动驱动或被动驱动的电路中，即主动驱动面板和被动驱动面板均可采用该反向电压驱动模式，从而实现整体的提高QLED显示设备的使用寿命。进一步地，所述驱动周期内还设置有一空置驱动信号，即此时没有驱动信号输出，QLED器件此时同样不工作，因此可在驱动QLED器件工作的正向驱动信号结束后立即向QLED器件发射所述反向驱动信号，或者也可以在所述空置信号结束后立即向QLED器件发射所述反向驱动信号，具体可根据器件的特点进行灵活选择。本专利技术中，所述正向驱动信号可为任意波形的电压信号或电流信号，具体可根据实际驱动要求进行选择。具体地，本专利技术中所述反向驱动信号的波形为方波、三角波、斜波、正弦波中的至少一种，即每个驱动周期内向QLED器件发射的至少一个反向驱动信号可以为单一波形的反向驱动信号，当每个驱动周期内的反向驱动信号数量大于1时，也可采用不同波形的组合，例如每个驱动周期内向QLED器件发射一个方波反向电压信号和一个三角波反向电压信号，具体可根据实际器件要求进行调整，以达到最佳的器件效果。优选地，每个驱动周期内，所有反向驱动信号的持续时间之和占每个驱动周期的时间百分比为1%～99%，当设置有空置驱动信号时，所述空置驱动信号的持续时间占每个驱动周期的时间百分比为1%～99%，当然每个驱动周期内所有反向驱动信号的持续时间与空置驱动信号的持续时间之和小于99%。具体实施时，所述反向电压信号的时间、频率以及幅度均可进行调整，以达到最佳的效果，最大限度延长器件寿命，具体所述反向电压信号的频率大于60Hz，时间范围为0.1ms～999ms，幅度范围为-0.1V～-10V，可根据实际情况选择的合适本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种QLED器件的反向电压驱动模式，其特征在于，在每个驱动周期内，当QLED器件不工作时，向所述QLED器件发射至少一个反向驱动信号，所述反向驱动信号为反向电压信号。

【技术特征摘要】
1.一种QLED器件的反向电压驱动模式，其特征在于，在每个驱动周期内，当QLED器件不工作时，向所述QLED器件发射至少一个反向驱动信号，所述反向驱动信号为反向电压信号。2.根据权利要求1所述的QLED器件的反向电压驱动模式，其特征在于，所述驱动周期内还设置有空置驱动信号，在驱动QLED器件工作的正向驱动信号结束后或者空置驱动信号结束后立即向QLED器件发射所述反向驱动信号。3.根据权利要求2所述的QLED器件的反向电压驱动模式，其特征在于，所述正向驱动信号为任意波形的电压信号或电流信号。4.根据权利要求1或2所述的QLED器件的反向电压驱动模式，其特征在于，所述反向驱动信号的波形为方波、三角波、斜波、正弦波中的至少一种。5.根据权利要求1或2所述的QLED器件的反向电压驱动模式，其特征在于，所述反向电压信号的最大值小于QLE...

【专利技术属性】
技术研发人员：向超宇，李乐，钱磊，杨一行，曹蔚然，
申请(专利权)人：TCL集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44