一种基于电磁波的QLED驱动方法技术

本发明专利技术公开了一种基于电磁波的QLED驱动方法，所述QLED包括自下而上设置的底电极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层以及顶电极，在所述底电极和顶电极之间设置有一驱动电路，在QLED不工作时，通过所述驱动电路输出任意波形的反向驱动信号。通过添加任意波形的反向电流或反向电压，改变了QLED缺陷势阱的势垒，消除限制和/或聚集于势阱中的电荷，减小限制电荷的密度，从而进一步达到增加QLED器件寿命的目的。

【技术实现步骤摘要】
一种基于电磁波的QLED驱动方法
本专利技术涉及显示
，特别涉及一种基于电磁波的QLED驱动方法。
技术介绍
量子点发光二极管(QLED)作为一种新兴的高效电致发光器件，近年来受到了广泛的关注。QLED的工作原理与有机发光二极管(OLED)非常接近，都是外电路通过正负两个电极分别向器件内注入电子和空穴，注入的载流子通过载流子注入层和传输层到达发光层复合发光。不同的是，在OLED中，发光层主要采用具有共轭结构的有机分子，尽管这类材料有着良好的发光特性，但是稳定性欠佳。而在QLED中，发光层由无机量子点材料来担当，相比于共轭有机分子材料，无机量子点具有更强的化学稳定性，因此，用其制备的发光器件具有更长的使用寿命。除此之外，QLED的电致发光光谱具有更窄的半高宽，它在色纯度上要优于OLED。鉴于QLED具有上述优异性能，其市场前景十分可观。然而，QLED的寿命一直是制约其广泛应用的瓶颈，实际应用中发现除了对材料、器件、制备工艺的优化以外，驱动QLED也是一种可以减缓QLED光强衰减，增强QLED使用寿命的方法。QLED是一般需要空穴传输层、量子点发光层、电子传输层构成。由于每层的能级不同，因此存在能级差，在QLED的工作中，电荷会聚集在有能级差的界面，特别是与量子点发光层接触的界面，导致量子点的发光特性受到极大影响，进一步降低了发光光强。另一方面，在每种材料内部，例如量子点的表面，传输层材料分子之间都存在大量的缺陷，这些缺陷也是限制载流子的原因。随着QLED的工作时间增加，越来越多的电荷限制到缺陷中，极大的降低发光光强。因而现有技术还有待改进和提高。专利技术内容鉴于上述现有技术的不足之处，本专利技术的目的在于提供一种基于电磁波的QLED驱动方法，可达到消除限制和/或聚集于势阱中的电荷，减小限制电荷的密度，增加QLED器件寿命的目的。为了达到上述目的，本专利技术采取了以下技术方案：一种基于电磁波的QLED驱动方法，所述QLED包括自下而上设置的底电极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层以及顶电极，在所述底电极和顶电极之间设置有一驱动电路，在QLED不工作时，通过所述驱动电路输出任意波形的反向驱动信号。所述的基于电磁波的QLED驱动方法中，所述反向驱动信号的波形包括正弦波、方波、三角波或斜波中的至少一种。所述的基于电磁波的QLED驱动方法中，所述反向驱动信号为反向电压，所述反向电压小于QLED的击穿电压。具体的，所述反向电压的时间占周期的百分比为1%-99%，所述反向电压的频率不小于60HZ，所述反向电压的幅度为-0.1V~-10V。所述的基于电磁波的QLED驱动方法中，所述反向驱动信号为反向电流，所述反向电流小于QLED的击穿电流。具体的，所述反向电流的时间占周期的百分比为1%-99%，所述反向电流的频率不小于60HZ，所述反向电流的幅度为-0.0001Am/cm-2~-1Am/cm-2。所述的基于电磁波的QLED驱动方法中，所述反向驱动信号为交替出现的任意波形的反向电压和任意波形的反向电流，所述反向电压小于QLED的击穿电压，所述反向电流小于QLED的击穿电流，所述反向电压小于QLED的击穿电压，所述反向电流小于QLED的击穿电流。具体的，所述反向电压的波形包括正弦波、方波、三角波或斜波中的至少一种，所述反向电流的波形包括正弦波、方波、三角波或斜波中的至少一种。具体的，所述反向电压和反向电流的时间之和占周期的百分比为1%-99%，所述反向电压的频率不小于60HZ，所述反向电压的幅度为-0.1V~-10V，所述反向电流的频率不小于60HZ，所述反向电流的幅度为-0.0001Am/cm-2~-1Am/cm-2。相较于现有技术，本专利技术提供的基于电磁波的QLED驱动方法，所述QLED包括自下而上设置的底电极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层以及顶电极，在所述底电极和顶电极之间设置有一驱动电路，在QLED不工作时，通过所述驱动电路输出任意波形的反向驱动信号。通过添加任意波形的反向电流或反向电压，改变了QLED缺陷势阱的势垒，消除限制和/或聚集于势阱中的电荷，减小限制电荷的密度，从而进一步达到增加QLED器件寿命的目的。附图说明图1为本专利技术提供的QLED驱动方法中，QLED器件的结构示意图。图2为本专利技术第一实施例中，驱动信号的波形图。图3为本专利技术第一实施例中，采用反向驱动信号与正常驱动的寿命衰减曲线对比图。图4为本专利技术第二实施例中，驱动信号的波形图。图5为本专利技术第二实施例中，采用反向驱动信号与正常驱动的寿命衰减曲线对比图。图6为本专利技术第三实施例中，驱动信号的波形图。图7为本专利技术第三实施例中，采用反向驱动信号与正常驱动的寿命衰减曲线对比图。图8为本专利技术第四实施例中，驱动信号的波形图。图9为本专利技术第四实施例中，采用反向驱动信号与正常驱动的寿命衰减曲线对比图。图10为本专利技术第五实施例中，驱动信号的波形图。图11为本专利技术第五实施例中，采用反向驱动信号与正常驱动的寿命衰减曲线对比图。图12为本专利技术第六实施例中，驱动信号的波形图。图13为本专利技术第六实施例中，采用反向驱动信号与正常驱动的寿命衰减曲线对比图。图14为本专利技术第七实施例中，驱动信号的波形图。图15为本专利技术第七实施例中，采用反向驱动信号与正常驱动的寿命衰减曲线对比图。图16为本专利技术第八实施例中，驱动信号的波形图。图17为本专利技术第八实施例中，采用反向驱动信号与正常驱动的寿命衰减曲线对比图。图18为本专利技术第九实施例中，驱动信号的波形图。图19为本专利技术第九实施例中，采用反向驱动信号与正常驱动的寿命衰减曲线对比图。具体实施方式本专利技术提供一种基于电磁波的QLED驱动方法，可消除限制和/或聚集于势阱中的电荷，减小限制电荷的密度，从而进一步达到增加QLED器件寿命的目的。为使本专利技术的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下参照附图并举实施例对本专利技术进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。请参阅图1，其为本专利技术提供的基于电磁波的QLED驱动方法中，QLED器件的结构示意图，所述QLED包括自下而上设置的底电极10、空穴注入层20、空穴传输层30、量子点发光层40、电子传输层50以及顶电极60，由于每层的能级不同，因此存在能级差，在QLED的工作中，电荷会聚集在有能级差的界面，特别是与量子点发光层40接触的界面，另一方面，在每种材料内部，例如量子点的表面，传输层材料分子之间都存在大量的缺陷，这些缺陷也会限制载流子，本专利技术基于此，在所述底电极10和顶电极60之间设置有一驱动电路70，在QLED不工作时，通过所述驱动电路70输出使被限制和/或聚集的电荷消除的反向驱动信号，通过该反向驱动信号加速被限制和/或聚集的电荷的消除，从而进一步达到增加QLED器件寿命的目的。具体实施时，本专利技术中，所述反向驱动信号的波形为电磁波，正向驱动信号可以为任意波形的电压或电流，同时所述反向驱动信号可以为连续的信号，紧跟着正向驱动信号或者在所述反向驱动信号中间存在空置驱动信号，所述反向驱动信号紧跟着正向驱动信号或空置驱动信号均可，另外，所述反向驱动信号也可为任意波形，包括正弦波、方波、三角波或斜波中的至少一种，所述反向驱动信号可以是反向本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于电磁波的QLED驱动方法，所述QLED包括自下而上设置的底电极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层以及顶电极，其特征在于，在所述底电极和顶电极之间设置有一驱动电路，在QLED不工作时，通过所述驱动电路输出任意波形的反向驱动信号。

【技术特征摘要】
1.一种基于电磁波的QLED驱动方法，所述QLED包括自下而上设置的底电极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层以及顶电极，其特征在于，在所述底电极和顶电极之间设置有一驱动电路，在QLED不工作时，通过所述驱动电路输出任意波形的反向驱动信号。2.根据权利要求1所述的基于电磁波的QLED驱动方法，其特征在于，所述反向驱动信号的波形包括正弦波、方波、三角波或斜波中的至少一种。3.根据权利要求2所述的基于电磁波的QLED驱动方法，其特征在于，所述反向驱动信号为反向电压，所述反向电压小于QLED的击穿电压。4.根据权利要求3所述的基于电磁波的QLED驱动方法，其特征在于，所述反向电压的时间占周期的百分比为1%-99%，所述反向电压的频率不小于60HZ，所述反向电压的幅度为-0.1V~-10V。5.根据权利要求2所述的基于电磁波的QLED驱动方法，其特征在于，所述反向驱动信号为反向电流，所述反向电流小于QLED的击穿电流。6.根据权利要求5所述的基于...

【专利技术属性】
技术研发人员：向超宇，李乐，钱磊，杨一行，曹蔚然，
申请(专利权)人：TCL集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44