一种高压兆伏级平板型低电感脉冲电容器制造技术

本发明专利技术涉及一种应用于高压兆伏级平板型低电感脉冲电容器。其通过设计多层介质薄膜袋，通过双向套装工艺，将沿面闪络的问题转化为介质体击穿的问题，大大提高了脉冲电容器的输出脉冲电压指标。其结构包括绝缘腔体、设置在绝缘腔体内的电容器底座、绝缘薄膜、下电极、环形绝缘支撑板、中间电极、上电极以及高压屏蔽环；电容器底座固定在绝缘腔体底部，电容器底座上表面设置下电极；下电极和上电极之间设置有N个中间电极以及2N+2个环形绝缘支撑板；其中,中间电极上均套装有介质薄膜袋，且套装介质薄膜袋的中间电极真空度为1kpa，气压为0.1Mpa；上电极的上表面安装高压屏蔽环；绝缘腔体内的真空度为100pa，气压为1.6Mpa。

A High Voltage Megavolt Flat Plate Low Inductance Pulse Capacitor

The present invention relates to a high voltage megavolt level flat plate low inductance pulse capacitor. Through the design of multi-layer dielectric film bag and two-way package technology, the problem of flashover along the surface is transformed into the problem of dielectric breakdown, which greatly improves the output pulse voltage index of the pulse capacitor. The structure includes an insulating cavity, a capacitor base arranged in the insulating cavity, an insulating film, a lower electrode, a ring insulating support plate, an intermediate electrode, an upper electrode and a high voltage shielding ring; a capacitor base is fixed at the bottom of the insulating cavity, and a lower electrode is arranged on the upper surface of the capacitor base; and an N is arranged between the lower electrode and the upper electrode. There are two intermediate electrodes and 2N+2 annular insulating supporting plates. The middle electrodes are all equipped with dielectric film bags, and the vacuum of the middle electrodes is 1 kPa and the pressure is 0.1 Mpa. The upper surface of the upper electrodes is equipped with a high-voltage shielding ring. The vacuum in the insulating chamber is 100 Pa and the pressure is 1.6 Mpa.

【技术实现步骤摘要】
一种高压兆伏级平板型低电感脉冲电容器
本专利技术涉及一种电容器，主要涉及一种应用于高压兆伏级平板型低电感脉冲电容器。
技术介绍
脉冲功率技术是在时间尺度上对能量进行压缩来获得高功率脉冲。高压快前沿双指数脉冲常采用两级压缩电路来实现，也就是通过Marx电路、中储电路和峰化电路两级脉冲压缩来实现。Marx电路产生几百纳秒的脉冲，中储电路产生几十纳秒脉冲，峰化电路产生几纳秒脉冲。峰化电容器是脉冲功率源的核心部件，为了获得脉冲快前沿，必须减小峰化输出回路的电感。也就是减小输出回路中峰化电容器和输出开关的电感，即减小这两个元件的几何尺寸，但峰化电容器必须能够承受高达几MV的脉冲高压，因此峰化电容器设计的关键在于如何平衡绝缘与电感之间的关系。
技术实现思路
为了解决
技术介绍
中的问题，本专利技术是针对高压MV级低电感、低阻抗脉冲电容器耐压高、体积小等设计难题和问题，提出了一种高压兆伏级平板型低电感脉冲电容器，其通过设计多层介质薄膜袋，通过双向套装工艺，将沿面闪络的问题转化为介质体击穿的问题，可大大提高脉冲电容器的输出脉冲电压指标。本专利技术采用的技术方案：本专利技术提供了一种高压兆伏级平板型低电感脉冲本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高压兆伏级平板型低电感脉冲电容器，其特征在于：包括绝缘腔体、设置在绝缘腔体内的电容器底座、绝缘薄膜、下电极、环形绝缘支撑板、中间电极、上电极以及高压屏蔽环；电容器底座固定在绝缘腔体底部，电容器底座上表面设置下电极；下电极和上电极之间设置有N个中间电极以及2N+2个环形绝缘支撑板；其中,中间电极上均套装有介质薄膜袋，且套装介质薄膜袋的中间电极真空度为1kpa，气压为0.1Mpa；下电极上端面的边缘处、上电极下端面的边缘处以及中间电极上、下两个端面的边缘处均开设有环形气隙凹槽，且环形气隙凹槽的深度与环形绝缘支撑板的厚度相同；下电极上端面的环形气隙凹槽以及上电极下端面的环形气隙凹槽上均卡装一...

【技术特征摘要】
1.一种高压兆伏级平板型低电感脉冲电容器，其特征在于：包括绝缘腔体、设置在绝缘腔体内的电容器底座、绝缘薄膜、下电极、环形绝缘支撑板、中间电极、上电极以及高压屏蔽环；电容器底座固定在绝缘腔体底部，电容器底座上表面设置下电极；下电极和上电极之间设置有N个中间电极以及2N+2个环形绝缘支撑板；其中,中间电极上均套装有介质薄膜袋，且套装介质薄膜袋的中间电极真空度为1kpa，气压为0.1Mpa；下电极上端面的边缘处、上电极下端面的边缘处以及中间电极上、下两个端面的边缘处均开设有环形气隙凹槽，且环形气隙凹槽的深度与环形绝缘支撑板的厚度相同；下电极上端面的环形气隙凹槽以及上电极下端面的环形气隙凹槽上均卡装一个环形绝缘支撑板；中间电极上、下两个端面上均卡装一个环形绝缘支撑板；下电极与第一个中间电极之间、每个中间电极之间以及第N个中间电极与上电极之间均设置有绝缘薄膜；上电极的上表面安装高压屏蔽环；绝缘腔体内的真空度为100pa，气压为1.6Mpa。2.根据权利要求1所述的高压兆...

【专利技术属性】
技术研发人员：王海洋，谢霖燊，张国伟，何小平，孙楚昱，贾伟，李俊娜，陈志强，郭帆，
申请(专利权)人：西北核技术研究所，
类型：发明
国别省市：陕西,61