偏振态可调谐的太赫兹波发射器制造技术

本发明专利技术实施例提供了一种偏振态可调谐的太赫兹波发射器，将超材料层设置在铁磁纳米薄膜层上，超材料层上刻蚀有周期性的“十”字型镂空结构；通过样品架带动铁磁纳米薄膜层旋转，进而带动超材料层旋转，对太赫兹波的偏振态进行调制。本发明专利技术实施例中将调制偏振态的超材料层集成在太赫兹波发射器内，使从太赫兹发射器出射的太赫兹波的偏振态可控，而不需要在使用其他外部元件实现太赫兹波的偏振态的调制。可实现片上集成的窄带线偏振太赫兹波发射器、窄带椭圆偏振太赫兹波发射器和窄带圆偏振太赫兹波发射器；不仅可实现弱场太赫兹偏振可控的发射器，而且也可用于偏振可调控的强场太赫兹发生器。

Terahertz Wave Launcher with Polarization Tunable

The embodiment of the present invention provides a terahertz wave transmitter with tunable polarization, which sets the metamaterial layer on the ferromagnetic nano-film layer and etches the periodic \ten\ hollow structure on the metamaterial layer, and drives the ferromagnetic nano-film layer to rotate through the sample holder, and then drives the metamaterial layer to rotate to terahertz wave. Polarization is modulated. In the embodiment of the present invention, the hypermaterial layer modulating polarization state is integrated in the terahertz wave transmitter, so that the polarization state of the terahertz wave emitted from the terahertz transmitter can be controlled without using other external elements to realize the modulation of the polarization state of the terahertz wave. The integrated narrow-band linear polarized terahertz wave transmitter, narrow-band elliptically polarized terahertz wave transmitter and narrow-band circularly polarized terahertz wave transmitter can be realized on chip, and the weak-field terahertz polarization controllable transmitter can be realized, as well as the strong-field terahertz generator with polarization controllable.

【技术实现步骤摘要】
偏振态可调谐的太赫兹波发射器
本专利技术实施例涉及太赫兹脉冲产生
，更具体地，涉及偏振态可调谐的太赫兹波发射器。
技术介绍
太赫兹辐射在电磁波谱上位于远红外和毫米波之间，该频段的特殊位置赋予了该频段特殊的性质，比如太赫兹频率对应生物大分子的振动能级和转动能级，对应水分子的氢键能量和范德瓦尔斯力的能量，许多生物分子在这个频段都具有指纹光谱，可应用在物质鉴别和识别；太赫兹频段意味着更大的信息容量，为通信遥感、航空航天提供更好的通信手段。太赫兹辐射在物理、化学、材料、生物、医学等各个领域均具有广泛的应用前景。目前，各种基于光学和电子学的太赫兹辐射源应运而生，产生了各种基于电学的低频窄带太赫兹辐射源和高频宽带太赫兹辐射源。随着超快激光技术的发展，基于飞秒激光技术的太赫兹辐射源能够获得更为小型化、更可靠、更稳定以及成本更低的太赫兹辐射源，可满足实验研究和部分应用的需要，因此，基于超快激光技术的太赫兹辐射源获得了快速的发展。但是太赫兹技术并未取得大量的实际应用，阻碍太赫兹科学与技术发展和应用的关键依然在于高效率、低成本、高稳定性的太赫兹辐射源、高灵敏度的太赫兹探测器，以及各种太赫兹功能器件本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种偏振态可调谐的太赫兹波发射器，其特征在于，包括：铁磁纳米薄膜层、超材料层和可旋转的样品架；所述铁磁纳米薄膜层固定在所述样品架上，且所述铁磁纳米薄膜层处于恒定磁场内；所述超材料层设置在所述铁磁纳米薄膜层上，所述超材料层上刻蚀有周期性的“十”字型镂空结构；所述样品架带动所述铁磁纳米薄膜层以及所述超材料层旋转；泵浦激光沿垂直于所述铁磁纳米薄膜层的方向依次透过所述铁磁纳米薄膜层和所述超材料层，产生基于所述超材料层旋转控制偏振态的太赫兹波。

【技术特征摘要】
1.一种偏振态可调谐的太赫兹波发射器，其特征在于，包括：铁磁纳米薄膜层、超材料层和可旋转的样品架；所述铁磁纳米薄膜层固定在所述样品架上，且所述铁磁纳米薄膜层处于恒定磁场内；所述超材料层设置在所述铁磁纳米薄膜层上，所述超材料层上刻蚀有周期性的“十”字型镂空结构；所述样品架带动所述铁磁纳米薄膜层以及所述超材料层旋转；泵浦激光沿垂直于所述铁磁纳米薄膜层的方向依次透过所述铁磁纳米薄膜层和所述超材料层，产生基于所述超材料层旋转控制偏振态的太赫兹波。2.根据权利要求1所述的偏振态可调谐的太赫兹波发射器，其特征在于，所述太赫兹波的偏振态由所述样品架的旋转角度确定。3.根据权利要求1所述的偏振态可调谐的太赫兹波发射器，其特征在于，所述铁磁纳米薄膜层具体包括：铁磁纳米薄膜本体和衬底；所述铁磁纳米薄膜本体生长在所述衬底的第一表面上；相应地，所述超材料层设置在所述衬底的第二表面上，或者设置在所述铁磁纳米薄膜本体远离所述衬底的表面上。4.根据权利要求3所述的偏振态可调谐的太赫兹波发射器，其特征在于，所述铁磁纳米薄膜本体具体包括：金属层和铁磁层；所述金属层设置在所述铁磁层上方、所述铁磁层下方或者所述铁磁层的上方和下方。5.根据权利要求3...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴晓君，聂天晓，肖猛，孔德胤，
申请(专利权)人：北京航空航天大学，
类型：发明
国别省市：北京,11