红外线接收芯片电路及红外线接收系统技术方案

本实用新型专利技术提供了一种红外线接收芯片电路，包括红外线感应二极管和芯片内部系统；所述芯片内部系统包括依次电连接的输入端、电磁波反射单元、预放大器、增益可变放大器、带通滤波器、比较器、积分器、施密特触发器、第一晶体管、输出端以及连接于比较器的输出与增益可变放大器的输入之间的自动增益控制单元；第一晶体管的栅极端连接至所述施密特触发器的输出，其源极端连接至接地端，其漏极连接至所述输出端且所述第一晶体管的漏极通过串联一过压电阻连接至电源端。本实用新型专利技术还提供一种包括所述红外线接收芯片电路的红外线接收系统。与相关技术相比，本实用新型专利技术的红外线接收芯片电路和红外线接收系统抗干扰性强、可靠性好且准确性高。

【技术实现步骤摘要】
红外线接收芯片电路及红外线接收系统
本技术涉及芯片
，尤其涉及一种红外线接收芯片电路及红外线接收系统。
技术介绍
随着信息时代的发展，各种无线通讯成为主流。红外线接收芯片电路即为其中无线通讯中信号接收的主要部分。相关技术的红外线接收芯片电路中是通过自动增益控制模块读取比较器输出的数字信号并判断是否为噪声或有用信号。所述红外线接收芯片电路在外部干扰信号强度比较弱时，尤其是电磁波干扰，干扰信号不会在所述红外线接收芯片内产生较大波形失真的情况下，所述红外线接收芯片内部的带通滤波器可以有效滤除大部分的干扰信号。但当外部干扰信号强度较强，会导致信号在芯片内部放大链路上波形幅值过大，导致波形失真。而波形失真会产生谐波低频分量，部分低频分量会落在所述红外线接收芯片电路的带通范围内，进而导致该红外线接收芯片电路的输出端出现噪声误输出，增加信号传输误码率。因此，实有必要提供一种新的红外线接收芯片电路及红外线接收系统解决上述问题。
技术实现思路
针对以上现有技术的不足，本技术提出一种抗干扰性能强，可靠性好且准确率高的红外线接收芯片电路及红外线接收系统。为了解决上述技术问题，本技术提供了一种红外线接收芯片电路，包括用于接收红外线载波信号并将其转换为载波电信号的红外线感应二极管以及用于将所述载波电信号进行信号优化处理并输出的芯片内部系统；所述芯片内部系统包括依次电连接的输入端、电磁波反射单元、预放大器、增益可变放大器、带通滤波器、比较器、积分器、施密特触发器、第一晶体管、输出端以及连接于所述比较器的输出与所述增益可变放大器的输入之间的自动增益控制单元；所述第一晶体管的栅极端连接至所述施密特触发器的输出，所述第一晶体管的源极端连接至接地端，所述第一晶体管的漏极连接至所述输出端且所述第一晶体管的漏极通过串联一过压电阻连接至电源端；所述电磁波反射单元用于接收所述载波电信号，并对所述载波电信号进行电磁波干扰信号反射处理。优选的，所述电磁波反射单元包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻、第一电容、第二电容、第三电容、第四电容、第五电容以及第二晶体管；所述第一电阻的第一端连接至所述红外线感应二极管的输出，所述第一电阻的第二端分别连接至所述第二电阻的第一端和所述第三电阻的第一端；所述第二电阻的第二端分别连接至所述第五电阻的第一端和第二电容的第一端；所述第三电阻的第二端分别连接至所述第四电阻的第一端、所述第六电阻的第一端以及所述第一电容的第一端；所述第四电阻的第二端连接至所述第二晶体管的源极端；所述第五电阻的第二端分别连接至所述第七电阻的第二端、所述第一电容的第二端、所述第三电容的第二端以及所述第五电容的第一端；所述第六电阻的第二端分别连接所述第七电阻的第一端、所述第二电容的第二端、所述第三电容的第一端、所述第四电容的第一端；所述第四电容的第二端连接至所述预放大器的正输入端，所述第五电容的第二端连接至所述预放大器的负输入端；所述第二晶体管的漏极端连接至电源端，所述第二晶体管的栅极端连接至所述第二晶体管的漏极端。优选的，所述第一晶体管和所述第二晶体管均为NMOS晶体管。优选的，所述红外线接收芯片电路还包括增益抑制单元，所述增益抑制单元连接于所述增益可变放大器与所述带通滤波器之间，用于将经所述增益可变放大器处理后的所述载波电信号进行波形失真增益抑制处理。优选的，所述增益抑制单元包括第八电阻、第六电容、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管以及第七晶体管；所述第三晶体管的源极端、所述第六晶体管的源极端以及所述第七晶体管的源极端分别连接至所述增益可变放大器的正输出端；所述第四晶体管的源极端、所述第五晶体管的源极端、所述第七晶体管的源极端以及所述第六电容的负端分别连接至所述增益可变放大器的负输出端；所述第三晶体管的栅极端分别连接至所述第三晶体管的漏极端、所述第六晶体管的栅极端、所述第四晶体管的漏极端、所述第四晶体管的栅极端；所述第六晶体管的漏极端分别连接至所述第五晶体管的栅极端、所述第五晶体管的漏极端以及所述第八电阻的第一端；所述第八电阻的第二端分别连接至所述第六电容的正极端和所述第七晶体管的栅极端；所述第七晶体管的源极端和所述第七晶体管的漏极端分别连接至所述带通滤波器的输入。优选的，所述第三晶体管和所述第六晶体管均为PMOS晶体管；所述第四晶体管、所述第五晶体管以及所述第七晶体管均为NMOS晶体管。本技术还提供一种红外线接收系统，包括本技术提供的上述红外线接收芯片电路。与相关技术相比，本技术的红外线接收芯片电路及红外线接收系统通过在所述预放大器的前端增设电磁波反射单元，通过所述电磁波反射单元接收所述载波电信号并对所述载波电信号进行电磁波干扰信号反射处理，有效的反射进入到所述红外线接收芯片电路的电磁波干扰信号，进而避免了所述红外线接收芯片电路的输出因外部电磁波信号干扰而输出错误信号的问题，提高了所述红外线接收芯片电路及红外线接收系统的抗干扰能力，特别是抗电磁波干扰能力，进而增加了其可靠性和准确性。另外，所述红外线接收芯片电路还在所述增益可变放大器与所述带通滤波器之间增设所述增益抑制单元，用于将经所述增益可变放大器处理后的所述载波电信号进行波形失真增益抑制处理，从另一方面提高了所述红外线接收芯片电路及红外线接收系统的抗干扰能力，特别是抗WIFI干扰能力，进一步提高了所述红外线接收芯片电路及红外线接收系统的综合抗干扰能力和可靠性。附图说明下面结合附图详细说明本技术。通过结合以下附图所作的详细描述，本技术的上述或其他方面的内容将变得更清楚和更容易理解。附图中：图1为本技术红外线接收芯片电路的结构框图；图2为图1中电磁波反射单元的电路结构图；图3为图1中增益抑制单元的电路结构图。具体实施方式下面结合附图详细说明本技术的具体实施方式。在此记载的具体实施方式/实施例为本技术的特定的具体实施方式，用于说明本技术的构思，均是解释性和示例性的，不应解释为对本技术实施方式及本技术范围的限制。除在此记载的实施例外，本领域技术人员还能够基于本申请权利要求书和说明书所公开的内容采用显而易见的其它技术方案，这些技术方案包括采用对在此记载的实施例的做出任何显而易见的替换和修改的技术方案，都在本技术的保护范围之内。请参见图1所示，本技术提供了一种红外线接收芯片电路100，本技术提供了一种红外线接收芯片电路100，包括红外线感应二极管1和与所述红外线感应二极管1电连接的芯片内部系统2。所述红外线感应二极管1用于接收红外线载波信号并将其转换为载波电信号。所述芯片内部系统2用于将所述载波电信号进行信号优化处理并输出。具体的，所述芯片内部系统2包括依次电连接的输入端IN、电磁波反射单元21、预放大器(Pre-amplifier，Pre-amp)22、增益可变放大器(variablegainamplifier，VGA)23、增益抑制单元24、带通滤波器(bandpassfilter，BPF)25、比较器(Comparator)26、积分器(Integrator)27、施密特触发器(Schmitttrigger)28、第一晶体管M1、输出端OUT，以及连接于所述比较本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种红外线接收芯片电路，包括用于接收红外线载波信号并将其转换为载波电信号的红外线感应二极管以及用于将所述载波电信号进行信号优化处理并输出的芯片内部系统，其特征在于，所述芯片内部系统包括依次电连接的输入端、电磁波反射单元、预放大器、增益可变放大器、带通滤波器、比较器、积分器、施密特触发器、第一晶体管、输出端以及连接于所述比较器的输出与所述增益可变放大器的输入之间的自动增益控制单元；所述第一晶体管的栅极端连接至所述施密特触发器的输出，所述第一晶体管的源极端连接至接地端，所述第一晶体管的漏极连接至所述输出端且所述第一晶体管的漏极通过串联一过压电阻连接至电源端；所述电磁波反射单元用于接收所述载波电信号，并对所述载波电信号进行电磁波干扰信号反射处理。

【技术特征摘要】
1.一种红外线接收芯片电路，包括用于接收红外线载波信号并将其转换为载波电信号的红外线感应二极管以及用于将所述载波电信号进行信号优化处理并输出的芯片内部系统，其特征在于，所述芯片内部系统包括依次电连接的输入端、电磁波反射单元、预放大器、增益可变放大器、带通滤波器、比较器、积分器、施密特触发器、第一晶体管、输出端以及连接于所述比较器的输出与所述增益可变放大器的输入之间的自动增益控制单元；所述第一晶体管的栅极端连接至所述施密特触发器的输出，所述第一晶体管的源极端连接至接地端，所述第一晶体管的漏极连接至所述输出端且所述第一晶体管的漏极通过串联一过压电阻连接至电源端；所述电磁波反射单元用于接收所述载波电信号，并对所述载波电信号进行电磁波干扰信号反射处理。2.根据权利要求1所述的红外线接收芯片电路，其特征在于，所述电磁波反射单元包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻、第一电容、第二电容、第三电容、第四电容、第五电容以及第二晶体管；所述第一电阻的第一端连接至所述红外线感应二极管的输出，所述第一电阻的第二端分别连接至所述第二电阻的第一端和所述第三电阻的第一端；所述第二电阻的第二端分别连接至所述第五电阻的第一端和第二电容的第一端；所述第三电阻的第二端分别连接至所述第四电阻的第一端、所述第六电阻的第一端以及所述第一电容的第一端；所述第四电阻的第二端连接至所述第二晶体管的源极端；所述第五电阻的第二端分别连接至所述第七电阻的第二端、所述第一电容的第二端、所述第三电容的第二端以及所述第五电容的第一端；所述第六电阻的第二端分别连接所述第七电阻的第一端、所述第二电容的第二端、所述第三电容的第一端、所述第四电容的第一端；所述第四电容的第二端连接至所述预放大器的正输入端，所述第五电容的第...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏奎任，莫冰，朱吉涵，
申请(专利权)人：思力科深圳电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44