多叉指静电保护器件制造技术

本发明专利技术提供一种多叉指静电保护器件，包括衬底，衬底上设有深N阱，深N阱内设有第一P阱、第二P阱、第三P阱，第二P阱位于第一P阱和第三P阱的中间，第一P阱内设有第一P+注入区、第一N+注入区、第二N+注入区，第一P阱与第二P阱之间设有第二P+注入区、第三N+注入区、第三P+注入区，第二P阱内设有第四P+注入区、第四N+注入区、N+/P+掺杂注入区、第五N+注入区、第五P+注入区，第四P+注入区以及第五P+注入区均与深N阱跨接，N+/P+掺杂注入区内设有多个交替设置的N+注入区和P+注入区，该多叉指静电保护器件以N+/P+掺杂注入区为对称中心对称设置。本发明专利技术能够解决导通不均匀的问题。

【技术实现步骤摘要】
多叉指静电保护器件
本专利技术涉及集成电路静电防护
，特别是涉及一种多叉指静电保护器件。
技术介绍
LDMOS(LaterallyDiffusedMetalOxideSemiconductor，横向扩散金属氧化物半导体)器件广泛应用于电源管理芯片，如DC-DC转换器、AC-DC转换器等。随着集成电路向高速、高压方向发展，LDMOS器件的静电保护能力弱成为限制其发展的瓶颈。因此，如何提高LDMOS器件的静电保护能力(Electro-Staticdischarge，ESD)，成为研究的热点。SCR(SiliconControlledRectifier，可控硅器件)由于具有较强的静电泄放能力，常被用于嵌入到LDMOS器件中，形成LDMOS-SCR器件，以提升LDMOS器件的抗静电能力。其中，基于SCR的多叉指可控硅静电保护器件得到发展和应用，请参阅图5至图7，现有的多叉指可控硅静电保护器件，其存在导通不均匀的问题，当中间两个叉指的SCR触发后，会使阳极电压拉低，钳位在较低的电压，从而导致外层叉指无法导通，当中间两个叉指的二次击穿电压低于触发电压时，会导致其他叉指根本无法导通，导致四个本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种多叉指静电保护器件，其特征在于，包括衬底，所述衬底上设有深N阱，所述深N阱内设有第一P阱、第二P阱、第三P阱，所述第二P阱位于所述第一P阱和所述第三P阱的中间，所述第一P阱内设有第一P+注入区、第一N+注入区、第二N+注入区，所述第一P阱与所述第二P阱之间设有第二P+注入区、第三N+注入区、第三P+注入区，所述第二P阱内设有第四P+注入区、第四N+注入区、N+/P+掺杂注入区、第五N+注入区、第五P+注入区，所述第四P+注入区以及所述第五P+注入区均与所述深N阱跨接，所述N+/P+掺杂注入区内设有多个交替设置的N+注入区和P+注入区，所述第二P阱与所述第三P阱之间设有第六P+注入区、第...

【技术特征摘要】
1.一种多叉指静电保护器件，其特征在于，包括衬底，所述衬底上设有深N阱，所述深N阱内设有第一P阱、第二P阱、第三P阱，所述第二P阱位于所述第一P阱和所述第三P阱的中间，所述第一P阱内设有第一P+注入区、第一N+注入区、第二N+注入区，所述第一P阱与所述第二P阱之间设有第二P+注入区、第三N+注入区、第三P+注入区，所述第二P阱内设有第四P+注入区、第四N+注入区、N+/P+掺杂注入区、第五N+注入区、第五P+注入区，所述第四P+注入区以及所述第五P+注入区均与所述深N阱跨接，所述N+/P+掺杂注入区内设有多个交替设置的N+注入区和P+注入区，所述第二P阱与所述第三P阱之间设有第六P+注入区、第六N+注入区、第七P+注入区，所述第三P阱内设有第七N+注入区、第八N+注入区、第八P+注入区，所述第一P+注入区、所述第一N+注入区、所述N+/P+掺杂注入区连接阴极，所述第二N+注入区、所述第二P+注入区、第三N+注入区、第三P+注入区、第四P+注入区、第四N+注入区连接阳极，所述多叉指静电保护器件以所述N+/P+掺杂注入区为对称中心对称设置。2.根据权利要求1所述的多叉指静电保护器件，其特征在于，所述第一N+注入区与所述第二N+注入区之间设有第一薄栅氧化层，所述第一薄栅氧化层上覆盖有第一多晶硅...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈卓俊，曾云，彭伟，金湘亮，吴志强，张云，
申请(专利权)人：湖南大学，
类型：发明
国别省市：湖南,43