一种正多边形柱体阳极及电沉积制备大面积金属微结构的方法技术

本发明专利技术专利公开了一种正多边形柱体阳极及电沉积制备大面积金属微结构的方法，正多边形柱体阳极由横截面为正多边形的柱体阳极和带镂空图案阵列的电绝缘掩膜构成。采用正多边形柱体阳极在槽液中电沉积制备大面积金属微结构的方法包括，先将正多边形柱体阳极紧密贴合导电基底上方，使电解液液面仅能浸没正多边形柱体阳极最下方的掩膜镂空图案阵列；然后，电沉积电源正极接正多边形柱体阳极，负极接导电基底，在电化学作用下，导电基底上电沉积出复制于掩膜镂空图案阵列的微结构阵列；通过顺时针或逆时针旋转正多边形柱体阳极，在不同位置获得多列复制于不同掩膜表面的微结构阵列，从而实现对大面积金属微结构的模块化成型。

【技术实现步骤摘要】
一种正多边形柱体阳极及电沉积制备大面积金属微结构的方法
本专利技术属于电化学加工
，涉及一种正多边形柱阳极及制备金属微结构的方法，尤其涉及采用正多边形柱体阳极电沉积制备大面积金属微结构的方法。
技术介绍
在高清平板显示、高效太阳能电池板、LED图形化、晶圆级微纳光学器件等领域，随着科技产品向高性能化、高精度化、高集成化方向发展，对于大面积微结构阵列有着非常巨大的产业需求。这些产品其共同特征是需要在大尺寸基材或者基底上高效、低成本制造出大面积复杂微结构阵列。但是，现有的微纳米制造技术（诸如电子束光刻、光学光刻、激光干涉光刻、全息光刻、自组装等）无论在技术层面（非平整衬底大面积微纳图形化、复杂微纳结构制造），还是在图形化的生产成本、效率、一致性、良品率等方面都还难以满足工业级规模化生产的实际要求。相比而言，电化学沉积加工技术具有适用材料广、低温成型、易于控性控形、不受尺寸限制等优点，受到业界的广泛关注。目前，已发展出掩膜电沉积、即膜沉积、electrochemicalfabrication（EFAB）、局域生长电沉积等技术类型。其中，掩膜电沉积借助于高精度的电绝缘掩膜，能实现微细金本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种正多边形柱体阳极，其特征在于：包括正多边形柱体阳极（6）和掩膜（5）；所述的掩膜（5）设有镂空图案阵列（4）；所述的掩膜（5）紧密贴合在正多变形柱体阳极（6）的表面上；所述的正多变形柱体阳极（6）可绕其中心轴线作旋转运动。

【技术特征摘要】
1.一种正多边形柱体阳极，其特征在于：包括正多边形柱体阳极（6）和掩膜（5）；所述的掩膜（5）设有镂空图案阵列（4）；所述的掩膜（5）紧密贴合在正多变形柱体阳极（6）的表面上；所述的正多变形柱体阳极（6）可绕其中心轴线作旋转运动。2.根据权利要求1所述的一种正多边形柱体阳极，其特征在于：所述的正多边形柱体阳极（6）的边数N为4～8。3.根据权利要求1所述的一种正多边形柱体阳极，其特征在于：所述的正多边形柱体阳极（6）的边长为5~20mm。4.根据权利要求1所述的一种正多边形柱体阳极，其特征在于：所述的正多边形柱体阳极（6）的材质为钛或铂金属。5.根据权利要求1所述的一种正多边形柱体阳极，其特征在于：所述的掩膜（5）的材质为耐酸碱腐蚀的电绝缘固体材料。6.根据权利要求1所述的一种正多边形柱体阳极，其特征在于：所述的掩膜（5）的厚度为0.01~0.3mm。7.一种电沉积制备大面积金属微结构的方法，其特征在于：包含以下步骤：S1、将导电基底（3）水平置于电解液槽（8）中，把正多边形柱体阳极（6）置于导电基底（3）上，并使正多边形柱体阳极（6）的一面与导电基底（3）平行且接触；S2、向电解液槽（8）中填充电解液...

【专利技术属性】
技术研发人员：明平美，王伟，李欣潮，闫亮，郑兴帅，张新民，张峻中，孔泽宇，秦歌，
申请(专利权)人：河南理工大学，
类型：发明
国别省市：河南,41