阶梯式改变氧化电位制备纳米锥阵SERS衬底的方法技术

本发明专利技术公开了一种阶梯式改变氧化电位制备纳米锥阵SERS衬底的方法，包括以下步骤：(1)通过改变阳极氧化电位制备表面带有尖端纳米结构的AAO模板；(2)在制得的AAO模板表面溅射Au或Ag纳米粒子，Au或Ag纳米粒子聚集在暴露出的AAO模板的锥形孔的孔壁上端面，形成纳米柱阵列；同时AAO模板的锥形孔的内壁获得纳米颗粒。本发明专利技术的优点在于，通过控制阳极氧化电位制备AAO模板，进而溅射Au或Ag纳米粒子制得SERS衬底，极大地简化了SERS衬底的制备过程，并保持SERS衬底具有较高的活性。

【技术实现步骤摘要】
阶梯式改变氧化电位制备纳米锥阵SERS衬底的方法
本专利技术属于光谱分析检测
，具体涉及一种阶梯式改变氧化电位制备纳米锥阵SERS衬底的方法。
技术介绍
表面增强拉曼散射(SERS)因其具有高灵敏度、快速响应和指纹特征信号等优点而广泛应用于界面、生物学和分析科学等领域，特别是在快速痕量分析，其具有其他方法无法比拟的优势。要获得高SERS灵敏度和可重复的SERS信号，最重要的是制备一种结构均匀并具有高活性的大面积纳米阵列的衬底。目前使用最广泛的是以AAO模板为基础制备的纳米阵列，是因为其具有孔径可控、面积大、阵列均匀同一、技术成熟等优点。以AAO模板辅助电沉积法或粒子溅射法已经制备出很多纳米结构，例如可以调节大小的银纳米阵列、银纳米棒束及金、银纳米住等。SERS技术在化学、生物、医药和环境等领域起到越来越重要的作用。当前制约SERS的大规模应用的主要问题在于：(1)以AAO模板为基础制备衬底，具有过程复杂、费时费力、不易控制等缺点，虽适合实验室研究，但难以工业化生产；(2)同一衬底难以在同时在不同的激发波长下获得最佳SERS信号；(3)检测的样品主要是溶液或透明样品，难以直接检测本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.阶梯式改变氧化电位制备纳米锥阵SERS衬底的方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)通过改变阳极氧化电位制备表面带有尖端纳米结构的AAO模板，AAO模板的表面尖端纳米结构形成锥形孔状；(2)在制得的AAO模板表面溅射Au或Ag纳米粒子，Au或Ag纳米粒子聚集在暴露出的AAO模板的锥形孔的孔壁上端面，形成纳米柱阵列；同时AAO模板的锥形孔的内壁获得纳米颗粒。

【技术特征摘要】
1.阶梯式改变氧化电位制备纳米锥阵SERS衬底的方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)通过改变阳极氧化电位制备表面带有尖端纳米结构的AAO模板，AAO模板的表面尖端纳米结构形成锥形孔状；(2)在制得的AAO模板表面溅射Au或Ag纳米粒子，Au或Ag纳米粒子聚集在暴露出的AAO模板的锥形孔的孔壁上端面，形成纳米柱阵列；同时AAO模板的锥形孔的内壁获得纳米颗粒。2.根据权利要求1所述的阶梯式改变氧化电位制备纳米锥阵SERS衬底的方法，其特征在于，所述步骤(1)制备AAO模板的具体方法为：A、对标准铝片进行前处理，得到铝基底；B、将步骤A制得的铝基底置于0.2-0.3mol/L的草酸溶液中，在直流电压下进行阳极氧化，所述阳极氧化的电位从初始电位阶逐步降低至终止电位，所述初始电位为38-45V，所述终止电位为28-33V，电压的下降幅度为2.8-3.5V/次，且每个电位的持续时间为30-50s；然后在浓度为4-6vol％的磷酸溶液中扩孔6-8min；C、将步骤B处理后的铝基底置于0.2-0.3mol/L的草酸溶液中，在固定电位的直流电压下阳极氧化20-25min，该固定电位为32-34V；然后在浓度为4-6vol％的磷酸溶液中扩孔6-8min，制得AAO模板。3.根据权利要求2所述的阶梯式改变氧化电位制备纳米锥阵SERS衬底的方法，其特征在于，所述步骤B进行1-5次。4....

【专利技术属性】
技术研发人员：黄青，闫彬，朱储红，穆罕默德，
申请(专利权)人：中国科学院合肥物质科学研究院，
类型：发明
国别省市：安徽,34