The preparation of a high density Nb_ZnO material. The invention belongs to non-metallic elements and their compounds. The invention discloses a new technology for preparing Nb ZnO material. By mixing (0.005 1 at%) Nb2O5 and ZnO powders fully, forming and sintering, densities exceed 99.8%, bending strength exceeds 100 MPa, and resistivity is less than 2 x 10.
【技术实现步骤摘要】
一种高密度Nb-ZnO材料的制备
本专利技术属于无机非金属元素及其化合物。
技术介绍
ZnO薄膜作为透明导电氧化物薄膜是一种被广泛研究的功能材料。ZnO透明导电膜性能稳定、制备简单、成本低廉,是新一代透明导电膜,有可能替代昂贵的ITO,在薄膜,在平板显示、太阳能电池、节能玻璃、智能玻璃等领域有广泛的应用前景。透明导电ZnO薄膜的制备方法主要有:物理气相沉积、化学气相沉积、溶胶-凝胶等各种方法。由于物理气相沉积制备的薄膜与基体的结合强度高、沉积效率高、工艺成熟稳定而被广泛应用。而用物理气相沉积制备薄膜需要使用高密度靶材,通过能量束轰击靶材将其气化,再沉积到基体表面形成透明导电膜。Nb2O5掺杂ZnO能大幅度降低ZnO靶材的烧结温度,促进其烧结的致密化,提高靶材的密度、强度及导电性,从而提高镀膜质量。
技术实现思路
本专利技术公开了一种高密度Nb-ZnO材料的制备。把(0.001-1at%)的Nb2O5、ZnO粉末,按水∶料比为3∶1制成混合料浆,湿磨72h,干燥过筛,粉末预烧后加入5wt%的PEG-2000溶液,继续湿磨2h后,干燥过筛,然后造粒、成型、烧结。在1100℃-1250℃温度下烧结,可制备出致密度超过99.8%,抗弯强度超过100MPa,电阻率小于2×10-2Ω·cm的Nb-ZnO(NZO)靶材,这种NZO靶材,可经济、高效的制成各种复杂形状。NZO透明导电薄膜有性能稳定、制备简单、成本低廉等优势,在光电学性能平板显示领域得到了极其广泛的应用,是新一代透明导电膜,最有可能替代昂贵的ITO,在薄膜太阳能电池和low-E玻璃等领域,正显示出巨大的应用前景 ...
【技术保护点】
1.一种高密度Nb‑ZnO材料的制备,实验采用球磨(加成型剂)‑卸料‑干燥‑过筛‑干压成型‑烧结的制备工艺流程,可制备出密度达5.59g/cm3,抗弯强度大于100MPa,电阻率小于2.0×10‑2Ω·cm的高性能靶材。
【技术特征摘要】
1.一种高密度Nb-ZnO材料的制备,实验采用球磨(加成型剂)-卸料-干燥-过筛-干压成型-烧结的制备工艺流程,可制备出密度达5.59g/cm3,抗弯强度大于100MPa,电阻率小于2.0×10-2Ω·cm的高性能靶材。2.对权利要求1所述的Nb-ZnO粉体的烧结,既可采用常...
【专利技术属性】
技术研发人员:沈金城,尚福亮,王晨,肖超,董磊,朱佐祥,彭伟,高玲,杨海涛,
申请(专利权)人:深圳大学,
类型:发明
国别省市:广东,44
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