通过层转移进行LC过滤器层堆叠以制作3D复用器结构制造技术

一种三维(3D)复用器结构可以包括第一二维(2D)电感器电容器(LC)滤波器层。第一2D LC滤波器层可以包括第一2D螺旋电感器和(诸)第一电容器。该3D复用器结构还可以包括第二2D LC滤波器层。第二2D LC滤波器层可以包括第二2D螺旋电感器和(诸)第二电容器，其直接堆叠在第一2D LC滤波器上并且可通信地耦合到第一2D LC滤波器。

LC filter layer stacking by layer transfer to fabricate 3D multiplexer structure

A three-dimensional (3D) multiplexer structure may include a first two-dimensional (2D) inductor capacitor (LC) filter layer. The first 2D LC filter layer may include a first 2D spiral inductor and a first capacitor. The 3D multiplexer structure can also include a second 2D LC filter layer. The second 2D LC filter layer may comprise a second 2D spiral inductor and (or) a second capacitor directly stacked on the first 2D LC filter and communicatively coupled to the first 2D LC filter.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】通过层转移进行LC过滤器层堆叠以制作3D复用器结构
本公开一般涉及集成电路(IC)。更具体地，本公开涉及针对使用不同工艺技术的三维(3D)复用器设计使用层转移工艺进行的电感器电容器(LC)滤波器层堆叠。背景对于无线通信，共用器可以帮助处理载波聚集系统中所承载的信号。在载波聚集系统中，以高频带频率和低频带频率两者来传达信号。在芯片组中，共用器通常被插在天线和调谐器(或射频(RF)开关)之间以确保高性能。通常，共用器设计包括电感器和电容器。共用器能够通过使用具有高品质(Q)因数的电感器和电容器来获得高性能。共用器的较高性能还可通过减少各组件间的电磁耦合来获得，这可通过对各组件的几何设计和方向的布置来达成。可通过测量特定频率处的插入损耗和抑制(例如，以分贝(dB)来表达的量)来量化共用器性能。共用器制造工艺可与标准半导体工艺(诸如，用于制造压控电容器(变抗器)、开关阵列电容器、或其他类似电容器的工艺)兼容。在单个基板上制造共用器设计的组件可以是有益的。在单个基板上的制造还可以实现通过各种不同的参数进行调谐的可调谐共用器。以有效且成本高效的方式制造高性能共用器是有问题的。增加共用器中的电本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种三维(3D)复用器结构，包括：第一二维(2D)电感器电容器(LC)滤波器层，其包括第一2D螺旋电感器和至少一个第一电容器；以及第二2D LC滤波器层，其包括第二2D螺旋电感器和至少一个第二电容器，所述第二2D LC滤波器层直接堆叠在所述第一2D LC滤波器上并且可通信地耦合到所述第一2D LC滤波器。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.03.31 US 15/088,0191.一种三维(3D)复用器结构，包括：第一二维(2D)电感器电容器(LC)滤波器层，其包括第一2D螺旋电感器和至少一个第一电容器；以及第二2DLC滤波器层，其包括第二2D螺旋电感器和至少一个第二电容器，所述第二2DLC滤波器层直接堆叠在所述第一2DLC滤波器上并且可通信地耦合到所述第一2DLC滤波器。2.如权利要求1所述的3D复用器结构，其特征在于，所述第二2D螺旋电感器包括铜迹线。3.如权利要求1所述的3D复用器结构，其特征在于，所述第一2DLC滤波器包括高频带滤波器，而所述第二2DLC滤波器包括低频带滤波器。4.如权利要求3所述的3D复用器结构，其特征在于，进一步包括耦合到所述高频带滤波器的导电凸块的中频带滤波器。5.如权利要求3所述的3D复用器结构，其特征在于，所述3D复用器结构的包括所述低频带滤波器的一侧是所述3D复用器结构的远离系统板的背侧。6.如权利要求1所述的3D堆叠式复用器结构，其特征在于，所述第一2DLC滤波器层和所述第二2DLC滤波器层被堆叠以将所述第一2D螺旋电感器布置成远离所述第二2D螺旋电感器。7.如权利要求1所述的3D堆叠式复用器结构，其特征在于，所述第一2DLC滤波器层和所述第二2DLC滤波器层背对背、背对面、面对背、或面对面地堆叠。8.如权利要求1所述的3D堆叠式复用器结构，其特征在于，所述3D堆叠式复用器结构被集成到射频(RF)前端模块中，所述RF前端模块被纳入到以下至少一者中：音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、个人数字助理(PDA)、位置固定的数据单元、移动电话以及便携式计算机。9.一种构造三维(3D)复用器结构的方法，包括：在基板上制造第一二维(2D)电感器电容器(LC)滤波器层，其包括第一2D螺旋电感器和至少一个第一电容器；在所述基板上制造第二LC滤波器层，其包括第二2D螺旋电感器和至少一个第二电容器；从所述第一2DLC滤波器层和所述第二2DLC滤波器层移除所述基板；以及直接在所述第一2DLC滤波器上堆叠所述第二2DLC滤波器。10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，使用双侧印刷工艺直接在无源基板面板的第一表面上制造所述第一2DLC滤波器并且直接在所述无源基板面板的第二表面上制造所述第二2DLC滤波器，所述第二表面与所述第一表面相对。11.如权利要求9所述的方法，其特征在于，直接在无源基板面板的表面上与所述第二2DLC滤波器并排地制造所述第一2DLC滤波器。12.如权利要求11所述的方法，其特征在于，直接在所述第一2DLC滤波器上堆叠所述第二2DLC滤波器包括：将所述无源基板面板从与所述第二2DLC滤波器并排地制造的所述第一2DLC滤波器剥离；以及根据所述第一2DLC滤波器和所述第二2DLC滤波器的背对背集成来将所述第二2DLC滤波器的背侧叠到所述第一2DLC滤波器的背侧上。13.如权利要求9所述的方法，其特征在于，移除所述基板包括使用蚀刻工艺或机械剥离工艺来移除所述第一2DLC滤波器和所述第二2DLC滤波器。14.如权利要求9所述的方法，其特征在于，使用第一工艺来制造所述第一2DLC滤波器，并且使用与所述第一工艺不同的第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：C·H·尹，D·F·伯蒂，C·左，D·D·金，M·F·维纶茨，N·S·慕达卡特，R·P·米库尔卡，
申请(专利权)人：高通股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国,US