摄像装置、摄像装置的制造方法和电子装置制造方法及图纸

本技术涉及一种能够在像素中设置电容元件的情况下防止成像装置的灵敏度降低的成像装置，成像装置的制造方法和电子装置。成像装置包括在像素中的光电转换元件和累积由光电转换元件产生的电荷的电容元件。电容元件包括：第一电极，包括多个沟槽；多个第二电极，每个第二电极的横截面积小于连接到像素中的晶体管的栅极的触点，并且埋入每个沟槽中；以及第一绝缘膜，设置在第一电极和每个沟槽中的第二电极之间。本技术例如可以应用于背面照射型CMOS图像传感器。

Manufacturing method and electronic device of camera device and camera device

The technology relates to an imaging device, a manufacturing method and an electronic device which can prevent the sensitivity of the imaging device from decreasing when capacitive elements are set in the pixels. The imaging device includes a photoelectric conversion element in a pixel and a capacitive element that accumulates the charge generated by the photoelectric conversion element. Capacitive elements include: a first electrode, including a plurality of grooves; a plurality of second electrodes, each of which has a cross-sectional area less than the contact of the gate connected to the transistor in the pixel and is embedded in each groove; and a first insulating film, which is arranged between the first electrode and the second electrode in each groove. For example, the technology can be applied to CMOS image sensor with backside irradiation.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】摄像装置、摄像装置的制造方法和电子装置
本技术涉及一种成像装置，成像装置的制造方法和电子装置。具体地，本技术涉及一种成像装置，其优选地用于提供用于在像素中累积电荷的电容元件的成像装置、制造成像装置的方法和电子装置。
技术介绍
已经提出了一种能够通过在像素中提供累积从光电二极管溢出的电荷的电容元件来扩大成像装置的动态范围的成像装置(例如，参见专利文献1)。引用列表专利文件专利文献1：日本专利申请公开号2005-328493
技术实现思路
技术问题然而，在像素中提供电容元件相应地减小了光电二极管的光接收面积，导致成像装置的灵敏度降低。因此，本技术旨在在像素中提供电容元件的情况下防止成像装置的灵敏度降低。技术方案在本技术的第一方面，一种成像装置包括像素中的：光电转换元件；以及电容元件，配置为累积由所述光电转换元件产生的电荷，其中，所述电容元件包括：第一电极，包括多个第一沟槽；多个第二电极，每个所述第二电极的横截面积小于连接到像素中的晶体管的栅极的触点，并且埋入每个所述第一沟槽中；以及第一绝缘膜，在每个所述第一沟槽中设置在所述第一电极和所述第二电极之间。所述第一电极可以设置在布线层中与所述光电转本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种成像装置，包括像素中的：光电转换元件；以及电容元件，配置为累积由所述光电转换元件产生的电荷，其中，所述电容元件包括：第一电极，其中形成多个第一沟槽，多个第二电极，每个所述第二电极的横截面积小于连接到所述像素中的晶体管的栅极的触点，并且埋入每个所述第一沟槽中，以及第一绝缘膜，在每个所述第一沟槽中设置在所述第一电极和所述第二电极之间。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.03.31 JP 2016-0700581.一种成像装置，包括像素中的：光电转换元件；以及电容元件，配置为累积由所述光电转换元件产生的电荷，其中，所述电容元件包括：第一电极，其中形成多个第一沟槽，多个第二电极，每个所述第二电极的横截面积小于连接到所述像素中的晶体管的栅极的触点，并且埋入每个所述第一沟槽中，以及第一绝缘膜，在每个所述第一沟槽中设置在所述第一电极和所述第二电极之间。2.根据权利要求1所述的成像装置，其中，所述第一电极设置在布线层中与所述光电转换元件垂直重叠的位置，所述布线层与所述光电转换元件的入射表面侧相对设置。3.根据权利要求2所述的成像装置，其中，所述第一电极连接到所述像素的负电源侧，以及每个所述第二电极连接到所述像素的正电源侧。4.根据权利要求2所述的成像装置，其中，所述第一电极连接到所述像素的正电源侧，以及每个所述第二电极连接到所述像素的负电源侧。5.根据权利要求1所述的成像装置，其中，所述第一电极设置在不与所述光电转换元件垂直重叠的位置。6.根据权利要求5所述的成像装置，其中，所述第一电极设置在其中设置有所述光电转换元件的半导体衬底中。7.根据权利要求6所述的成像装置，其中，所述电容元件还包括：第三电极，包括多个第二沟槽，所述第三电极设置在堆叠在所述半导体衬底中的布线层中与所述第一电极垂直交叠的位置，并且电连接到每个所述第二电极，多个第四电极，每个所述第四电极的横截面积小于所述触点，埋入每个所述第二沟槽中，并且电连接到所述第一电极，第二绝缘膜，在每个所述第二沟槽中设置在所述第三电极和所述第四电极之间。8.根据权利要求5所述的成像装置，其中，所述第一电极设置在布线层中。9.根据权利要求8所述的成像装置，还包括：第三电极，在其中设置有所述光电转换元件的半导体衬底中，设置在与所述第一电极垂直交叠的位置，并且电连接到每个所述第二电极；以及第二绝缘膜，设置在所述第一电极和所述第二电极之间。10.根据权利要求1所述的成像装置，其中，每个所述第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：水田恭平，
申请(专利权)人：索尼公司，
类型：发明
国别省市：日本,JP