The invention discloses a pixel circuit, a display screen and an electronic device. The pixel circuit includes a driving transistor, a first switching transistor, a second switching transistor, a capacitor and a feedback circuit. One end of the first switching transistor is connected with a data line, and the other end is connected with a gate of the driving transistor through the second switching transistor. One end of the capacitor is connected with the gate of the driving transistor, and the other end is connected with a power supply. When the driving transistor is working, the feedback circuit feeds the gate voltage of the driving transistor back to the connection point of the first and second switching transistors. Without changing the CMOS process, the invention effectively solves the problems of leakage of switch transistors and parasitic diodes, and the decrease of brightness and contrast caused by leakage, and is suitable for silicon-based OLED micro-display.
【技术实现步骤摘要】
一种像素电路、显示屏及电子设备
本专利技术涉及显示
,尤其是涉及一种像素电路、显示屏及电子设备。
技术介绍
像素电路,通常被布置在以行方向排列的用于提供控制信号的扫描线Vsel和以列方向排列的用于提供数据信号的数据线Vdata相互交叉之处,通过电流或者电压驱动每个像素内的发光器件发光。结合图1和图2所示,一种像素电路结构,其包括开关晶体管T1、驱动晶体管T2,电容Cs,以及发光器件。开关晶体管T1和驱动晶体管T2可以选自PMOS、NMOS管中的一种。图1所示的像素电路中开关晶体管T1和驱动晶体管T2均为PMOS管。对于硅基OLED微显示器,像素尺寸较小,每个子像素尺寸约为9um×3um。当在硅基OLED微显示器集成更多的MOS管和电容时,电容会很小。硅基OLED微显示器的工作分为两个阶段:数据写入阶段和发光器件发光阶段。当处于数据写入阶段时,扫描线Vsel为低电平,此时开关晶体管T1闭合,数据线Vdata上的电压通过开关晶体管T1在较短的时间内写入到像素电路中并保存在电容Cs上。当处于发光器件发光阶段时,扫描线Vsel为高电平,开关晶体管T1断开,驱动晶体管 ...
【技术保护点】
1.一种像素电路,其特征在于,包括:驱动晶体管,所述驱动晶体管连接第一电源;串联相接的第一开关晶体管和第二开关晶体管,所述第一开关晶体管连接一数据线,所述第二开关晶体管连接所述驱动晶体管;电容,所述电容连接于所述驱动晶体管与所述第二开关晶体管的中间节点和第二电源之间;以及反馈电路,所述反馈电路连接于所述第一开关晶体管与所述第二开关晶体管的中间节点和所述驱动晶体管之间,用于在所述驱动晶体管工作时将所述驱动晶体管的栅极电压反馈至所述第一开关晶体管与所述第二开关晶体管的中间节点处。
【技术特征摘要】
1.一种像素电路,其特征在于,包括:驱动晶体管,所述驱动晶体管连接第一电源;串联相接的第一开关晶体管和第二开关晶体管,所述第一开关晶体管连接一数据线,所述第二开关晶体管连接所述驱动晶体管;电容,所述电容连接于所述驱动晶体管与所述第二开关晶体管的中间节点和第二电源之间;以及反馈电路,所述反馈电路连接于所述第一开关晶体管与所述第二开关晶体管的中间节点和所述驱动晶体管之间,用于在所述驱动晶体管工作时将所述驱动晶体管的栅极电压反馈至所述第一开关晶体管与所述第二开关晶体管的中间节点处。2.根据权利要求1所述的像素电路,其特征在于,所述反馈电路包括缓冲器和第三开关晶体管,所述第三开关晶体管的一端连接在第一开关晶体管与第二开关晶体管之间,另一端通过所述缓冲器与所述驱动晶体管的栅极相连接。3.根据权利要求2所述的像素电路,其特征在于,所述第一开关晶体管、第二开关晶体管和第三开关晶体管的栅极端均与一扫描线电连接。4.根据权利要求2或3所述的像素电路,其特征在于,所述第三开关晶体管为NMOS管。5.根据权利...
【专利技术属性】
技术研发人员:孙丽娜,
申请(专利权)人:深圳吉迪思电子科技有限公司,
类型:发明
国别省市:广东,44
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