焊料合金和使用其的接合结构体制造技术

技术编号:19552509 阅读:25 留言:0更新日期:2018-11-24 22:10
一种焊料合金,其中,Sb的含有率为3wt%以上且30wt%以下,Te的含有率为0.01wt%以上且1.5wt%以下,Au的含有率为0.005wt%以上且1wt%以下,所述焊料合金包含Ag和Cu中的至少一者,Ag和Cu中的至少一者的含有率为0.1wt%以上且20wt%以下,并且Ag与Cu的含有率之和为0.1wt%以上且20wt%以下,余量为Sn。

Solder alloys and bonding structures using them

A solder alloy in which the content of Sb is more than 3wt% and less than 30wt%, Te is more than 0.01wt% and less than 1.5wt%, Au is more than 0.005wt% and less than 1wt%. The solder alloy contains at least one of Ag and Cu, and at least one of Ag and Cu is more than 0.1wt% and 20wt%. The sum of Ag and Cu content is more than 0.1wt% and less than 20wt%, and the remainder is Sn.

【技术实现步骤摘要】
焊料合金和使用其的接合结构体
本专利技术涉及用于电源模块等的焊料合金和使用其的接合结构体。
技术介绍
作为现有的焊料合金和使用其的接合结构体,例如日本特许第4147875号中记载了一种钎料和使用该钎料组装而成的半导体装置,所述钎料的特征在于,其包含5质量%以上且20质量%以下的Sb、0.01质量%以上且5质量%以下的Te,余量由Sn、任意的添加物和不可避免的杂质组成。
技术实现思路
日本特许第4147875号中记载的焊料合金通过向Sn中添加Te、Ag、Cu、Fe、Ni而提高了接合可靠性,但其温度循环试验仅实施到500个循环。因此,就需要能够耐受1000个循环以上的温度循环试验这一程度的可靠性的车载等目的而言,其接合可靠性有可能不充分。本专利技术是为了解决上述现有课题而进行的,其目的在于,提供使焊料接合部的耐裂纹性提高、实现高可靠性的焊料合金。本专利技术的焊料合金中,Sb的含有率为3wt%以上且30wt%以下,Te的含有率为0.01wt%以上且1.5wt%以下,Au的含有率为0.005wt%以上且1wt%以下,Ag和Cu中的至少一种元素的含有率为0.1wt%以上且20wt%以下,并且,Ag与Cu的含有率之和为0.1wt%以上且20wt%以下,余量为Sn。根据本专利技术,可提供使焊料接合部的耐裂纹性提高、实现高可靠性的焊料合金、以及使用其的接合结构体。附图说明图1是本专利技术的一个实施方式中的接合结构体的制造方法的说明图。图2是本专利技术的一个实施方式中的接合结构体的说明图。具体实施方式在说明实施方式之前,先简单说明现有的问题点。日本特许第4147875号中记载的焊料合金通过向Sn中添加Te、Ag、Cu、Fe、Ni而提高了接合可靠性,但其温度循环试验仅实施到500个循环。因此,就需要能够耐受1000个循环以上的温度循环试验这一程度的可靠性的车载等目的而言,其接合可靠性有可能不充分。本专利技术是为了解决上述现有课题而进行的,其目的在于,提供使焊料接合部的耐裂纹性提高、实现高可靠性的焊料合金。本专利技术的焊料合金中,Sb的含有率为3wt%以上且30wt%以下,Te的含有率为0.01wt%以上且1.5wt%以下,并且,Au的含有率为0.005wt%以上且1wt%以下,所述焊料合金包含Ag和Cu中的至少一者,Ag和Cu中的至少一者的含有率为0.1wt%以上且20wt%以下,并且,Ag与Cu的含有率之和为0.1wt%以上且20wt%以下,余量为Sn。本说明书中,“含有率”是指各元素的重量相对于焊料合金整体的重量的比例,使用wt%(重量百分比)的单位来表示。本说明书中,“焊料合金”是指:在其金属组成实质上由列举的金属构成的条件下,也可以包含不可避免地混入的微量金属(例如小于0.005wt%)。焊料合金可以具有任意的形态,例如可以单独用于焊接,或者与除了金属之外的其它成分(例如助焊剂等)一同用于焊接。本专利技术的焊料合金中,以具有规定含有率的方式添加了Te,因此因Te在Sn中固溶而发生伸长率的提高。进而,本专利技术的焊料合金中,以具有规定含有率的方式添加了Te和Au这两者,因此在高温下,离子半径不同的Au与固溶于Sn的Te复杂地进行置换,并产生位错,从而发生高温下的伸长率的提高。因此,本专利技术的焊料合金与仅添加Te的SnSb系焊料相比,具有高温下的更优异的伸长率。由此,能够吸收在热循环时产生的反复应力,从而能够实现接合结构体的高可靠性。此外,本专利技术的焊料合金包含Ag和Cu中的至少一者,因此析出Ag与Sn的金属间化合物或者Cu与Sn的金属间化合物。由于金属间化合物析出而使接合强度提高,能够实现接合结构体的高可靠性。一个实施方式的接合结构体中,半导体元件与电路基板借助焊料接合层进行了接合,所述焊料接合层包含Sb、Te、Au、选自Ag和Cu中的至少一者、以及Sn,在半导体元件的金属层与焊料接合层的界面处、以及电路基板的镀层与焊料接合层的界面处形成有SnNi合金或SnCu合金。由于上述实施方式的接合结构体的焊料接合层包含Te和Au,因此高温和室温下的伸长率得以改善,热循环中的耐裂纹性优异。因此,本专利技术的接合结构体可实现高可靠性。以下,针对本专利技术的焊料合金的实施方式,使用附图进行说明。<焊料合金105>焊料合金105是包含Sb、Te、Au、选自Ag和Cu中的至少一者,且余量为Sn的合金。焊料合金105中的Sb的含有率为3wt%以上且30wt%以下。通过使焊料合金中的Sb的含有率处于这样的范围,能够改善焊料接合部的热疲劳特性。此外,通过使焊料合金105中的Sb的含有率为15wt%以上且30wt%以下,能够有效地发生Sb在Sn中的固溶,能够有效地改善焊料合金105的强度和伸长率。焊料合金105中的Te的含有率为0.01wt%以上且1.5wt%以下,Au的含有率为0.005wt%以上且1wt%以下,余量为Sn。此处,焊料合金105中的Au也可通过对包含Sb、Te、选自Ag和Cu中的至少一者且余量为Sn的焊料合金105的表面实施镀敷来提供。这种情况下,在焊料合金105熔融时,Au熔入至焊料合金105。本专利技术的焊料合金中,以具有规定含有率的方式添加了Te和Au这两者,因此在高温下,离子半径不同的Au与固溶于Sn的Te复杂地进行置换,并产生位错,由此产生高温下的伸长率的提高。因此,本专利技术的焊料合金与仅添加Te的SnSb系焊料相比,具有高温下的更优异的伸长率。因此,能够吸收在热循环时产生的反复应力,使耐裂纹性提高,从而能够实现接合结构体的高可靠性。此外,焊料合金105中的选自Ag和Cu中的至少一者的含有率为0.1wt%以上且20wt%以下,更优选为1wt%以上且15wt%以下,并且Ag与Cu的含有率之和处于0.1wt%以上且20wt%以下的范围。通过使Ag和Cu中的至少一者的含有率为0.1wt%以上且20wt%以下,能够使Ag与Sn的金属间化合物或者Cu与Sn的金属间化合物有效地析出。由此,能够提高焊料合金的接合强度,能够实现接合结构体的高可靠性。此外,通过使Ag和Cu中的至少一者处于这样的范围,Ag与Sn的金属间化合物或者Cu与Sn的金属间化合物促进固溶于Sn的Te、Sb和Au等的转移,因此与仅添加Te的情况相比,能够提高焊料合金在高温下的伸长率。此外,通过使Ag和Cu中的至少一者处于这样的范围,会析出Ag与Sn的金属间化合物Ag3Sn或者Cu与Sn的金属间化合物Cu6Sn5,因此能够提高高温下的强度、提高耐裂纹性。焊料合金105的尺寸可因所制造的接合结构体而异,例如可以使用10mm见方、具有0.05mm以上且0.5mm以下的厚度的焊料合金105。通过使焊料合金105的厚度为0.5mm以下,所形成的焊料接合部的热阻不会变高,能够使半导体元件101的热高效地逸散。通过使焊料合金105的厚度为0.05mm以上,能够抑制焊料接合时产生空隙,能够降低焊料接合部的热阻。接下来,针对本专利技术的实施方式的接合结构体,使用附图进行说明。<半导体元件101>图1中,半导体元件101包含:硅芯片102、形成于硅芯片102的下表面的电阻层103、以及形成于电阻层103的下表面的金属层104。从制造容易性出发,硅芯片102优选纵向长度为10m本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种焊料合金,其中,Sb的含有率为3wt%以上且30wt%以下,Te的含有率为0.01wt%以上且1.5wt%以下,Au的含有率为0.005wt%以上且1wt%以下,所述焊料合金包含Ag和Cu中的至少一者,Ag和Cu中的至少一者的含有率为0.1wt%以上且20wt%以下,并且Ag与Cu的含有率之和为0.1wt%以上且20wt%以下,余量为Sn。

【技术特征摘要】
2017.05.11 JP 2017-0949711.一种焊料合金,其中,Sb的含有率为3wt%以上且30wt%以下,Te的含有率为0.01wt%以上且1.5wt%以下,Au的含有率为0.005wt%以上且1wt%以下,所述焊料合金包含Ag和Cu中的至少一者,Ag和Cu中的至少一者的含有率为0.1wt%以上且20wt%以下,并且Ag与Cu的含有率之和为0.1wt%以上且20wt%以下,余量为Sn。2...

【专利技术属性】
技术研发人员:酒井一树古泽彰男北浦秀敏日根清裕
申请(专利权)人:松下知识产权经营株式会社
类型:发明
国别省市:日本,JP

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