导电叠层结构及其制造方法、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提出了一种导电叠层结构及其制造方法、显示装置，通过在基材上制备出诱导配向结构，以利用所述诱导配向结构引导纳米银线的形成方向，使得纳米银线在预设的方向上交叉搭接，并构成纳米银线薄膜。本方法能够在保证纳米银线薄膜低雾度的前提下，提高纳米银线薄膜的导电性，使得制备出的导电叠层结构具有更优的触控性能以及更佳的应用前景。

【技术实现步骤摘要】
导电叠层结构及其制造方法、显示装置
本专利技术涉及触控
，尤其涉及一种导电叠层结构及其制造方法、显示装置。
技术介绍
纳米银线(SNW，slivernanowire)是直径在纳米(1×10-9m)量级的金属银材料的一维结构，由于纳米银线具有良好的导电率、化学性能、抗菌性能和较小的线宽等优点，并且制备成本低，目前已实现了在多个领域的应用。尤其在触控领域中，由于制备出的纳米银线薄膜具有非常高的导电性和透明度，且弯曲性能优异，近年来纳米银线已逐渐成为了替代ITO的热门材料，并且极可能成为未来柔性触屏领域的主要材料。纳米银线薄膜实际上是由众多纳米银线拼接随机分布，并借由分子间作用力搭接在一起实现导电，导电率是纳米银线薄膜应用于导电叠层结构时的一项关键参数。而导电率又与纳米银线的搭接状况有着直接关联，目前的工艺中常通过提高纳米银线的浓度以提高搭接概率，但是过高的纳米银线浓度又会引发雾度问题，导致制造出的纳米银线薄膜及导电叠层结构的透明度下降。因此，现有的工艺下产出纳米银线薄膜在导电性和雾度上存在限制，制约了采用纳米银线薄膜制造出的导电叠层结构的导电性能、触控性能以及应用前景，故需要一种能够有效改善上述问题的结构与方法。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种导电叠层结构及其制造方法、显示装置，以解决现有的纳米银线薄膜无法同时满足低雾度和高导电率要求而导致导电叠层结构性能及应用前景受限的问题。本专利技术提出的一种导电叠层结构，包括：一基材；诱导配向结构，形成在所述基材上；纳米银线薄膜，形成在所述基材上并覆盖所述诱导配向结构；其中，所述纳米银线薄膜包括经由所述诱导配向结构引导在预设的方向上交叉搭接的多条纳米银线。优选地，所述诱导配向结构包括沟槽，所述沟槽至少包括多个沿第一方向延伸的第一沟槽和多个沿第二方向延伸的第二沟槽，所述第一沟槽与所述第二沟槽相互交叉。优选地，所述沟槽的宽度为纳米银线的宽度的1倍至100倍范围。优选地，所述诱导配向结构包括多个呈阵列式排布的点结构，所述点结构的材料为对银的亲和性优于所述基材对银的亲和性。优选地，呈阵列式排布的所述点结构中相邻的点结构之间的最小间距小于等于所述纳米银线薄膜中纳米银线长度的均值或纳米银线长度的中位数。优选地，所述多条纳米银线粘附在一个或多个点结构上，并以所述点结构作为锚定点，多条所述纳米银线在所述锚定点上相互搭接。以及，本专利技术还相应地提供了一种导电叠层结构的制造方法，包括：提供一基材；在所述基材上形成诱导配向结构；在所述基材上形成一纳米银线薄膜，所述纳米银线薄膜中的纳米银线经由所述诱导配向结构引导，以在预设的方向上交叉搭接。优选地，所述诱导配向结构包括沟槽，所述沟槽至少包括多个沿第一方向延伸的第一沟槽和多个沿第二方向延伸的第二沟槽，所述第一沟槽与所述第二沟槽相互交叉，以及，所述沟槽的形成方法包括：采用毛刷或滚轮在所述基材上沿着所述第一方向进行摩擦，以在所述基材上形成所述第一沟槽；采用毛刷或滚轮在所述基材上沿着所述第二方向进行摩擦，以在所述基材上形成所述第二沟槽。优选地，所述诱导配向结构包括若干个呈阵列式排布的点结构，以及，所述点结构通过刻蚀工艺或丝网印刷工艺形成。此外，本专利技术还相应地提供了一种显示装置，所述显示装置包括了上述的导电叠层结构，故具有更好的导电性能和触控性能。本专利技术提出了一种导电叠层结构及其制造方法、显示装置，通过在基材上制备出诱导配向结构，以利用所述诱导配向结构引导纳米银线的形成方向，使得纳米银线在预设的方向上交叉搭接，并形成纳米银线薄膜。采用本专利技术所提出的导电叠层结构及其制造方法，可以使得制成的纳米银线薄膜中纳米银线在预设的方向上有更高的概率形成搭接，从而在保证纳米银线薄膜低雾度的前提下，提高了纳米银线薄膜的导电性，使得制备出的导电叠层结构具有更优的导电性能、触控性能以及更佳的应用前景。附图说明图1是本专利技术实施例一中导电叠层结构的制造方法的流程示意图；图2是本专利技术实施例一中沟槽的结构示意图；图3是本专利技术实施例一中沟槽引导的纳米银线的结构示意图；图4是本专利技术实施例二中阵列式排布的点结构的结构示意图；图5是本专利技术实施例二中点结构引导的纳米银线的结构示意图。具体实施方式承如
技术介绍
中所述，目前的纳米银线薄膜难以同时满足低雾度和高导电性的要求，导致其应用于导电叠层结构上时导电叠层结构的触控性能受限。这是由于纳米银线薄膜的导电性与其中的纳米银线的搭接状况有关。纳米银线的搭接状况越密集，导电性也就会相应地提高。不过，纳米银线薄膜中纳米银线的形成具有一定的随机性，即，导致纳米银线薄膜中存在沿着各个方向搭接的纳米银线，而现有工艺并不能够有效地控制纳米银线的形成方向。故目前，欲提高纳米银线的搭接状况，一种有效的手段即是通过提高制备过程中纳米银线溶液的浓度，从而提高纳米银线的搭接概率。但是，采用这种方法形成的纳米银线薄膜，不仅可能会增大纳米银线的粒径，还会由于各个方向的纳米银线相互层叠，导致阻碍了光线的穿通，使得纳米银线薄膜的雾度也随之上升，即，导致纳米银线薄膜的透明度下降。由此可见，现有方法制备出的纳米银线薄膜存在导电性及雾度之间的矛盾，难以同时符合高导电性和低雾度要求，故基于以上方法制备出的纳米银线薄膜的性能受到限制。为了解决现有技术中存在的问题，以下结合附图和具体实施例对本专利技术提出的一种导电叠层结构及其制造方法、显示装置作进一步详细说明。根据下面说明，本专利技术的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本专利技术实施例的目的。实施例一由于本专利技术所提出的导电叠层结构的结构与其制造方法联系密切，故为了便于解释与理解，本实施例中将导电叠层结构的结构和制造方法相结合，同时进行说明。图1是本专利技术实施例一中导电叠层结构的制造方法的流程示意图，图2是本专利技术实施例一中沟槽的结构示意图，图3是本专利技术实施例一中沟槽引导的纳米银线的结构示意图，以下参图1至图3所示，对本专利技术所提出的一种导电叠层结构及其制造方法做详细说明。首先，参考图1和图2所示，执行步骤S1，提供一基材100；具体而言，所述基材100例如可以为玻璃基材或PET塑料(聚对苯二甲酸类塑料)，从而在所述基材100上制备纳米银线薄膜可以用作透明导电薄膜。此外，所述基材100并不仅限于以上材料，本领域技术人员可根据需要相应变更基材100的材质，故本实施例中不作具体限定。其次，参考图1和图2所示，执行步骤S2，在所述基材100上形成诱导配向结构；具体而言，通过在基材100上形成诱导配向结构，以利用所述诱导配向结构对后续形成在基材100上的纳米银线的形成方向进行引导，从而提高纳米银线薄膜在预设方向上的搭接概率。为此，本实施例中提供一种诱导配向结构为沟槽。所述沟槽之所以能够起到引导纳米银线的形成方向的作用，是由于沟槽相对于平坦的基材表面具有更大的比表面积，从而能够向纳米银线提供更大的分子间作用力，因此，纳米银晶体更容易吸附并固定在沟槽中，从而在沟槽中开始纳米银线的形成过程，并且沟槽与纳米银线一样，均为一维结构，因此更容易引导纳米银线向着沟槽的长度延伸方向形成。作为优选的方案，参考图2所示，当所述诱导配向结构为沟槽时，所述沟槽至少包括多个沿第一方向延伸的第一沟槽101和多个沿本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种导电叠层结构，其特征在于，包括：一基材；诱导配向结构，形成在所述基材上；纳米银线薄膜，形成在所述基材上并覆盖所述诱导配向结构；其中，所述纳米银线薄膜包括经由所述诱导配向结构引导在预设的方向上交叉搭接的多条纳米银线。

【技术特征摘要】
1.一种导电叠层结构，其特征在于，包括：一基材；诱导配向结构，形成在所述基材上；纳米银线薄膜，形成在所述基材上并覆盖所述诱导配向结构；其中，所述纳米银线薄膜包括经由所述诱导配向结构引导在预设的方向上交叉搭接的多条纳米银线。2.如权利要求1中所述的导电叠层结构，其特征在于，所述诱导配向结构包括沟槽，所述沟槽至少包括多个沿第一方向延伸的第一沟槽和多个沿第二方向延伸的第二沟槽，所述第一沟槽与所述第二沟槽相互交叉。3.如权利要求2中所述的导电叠层结构，其特征在于，所述沟槽的宽度为纳米银线的宽度的1倍至100倍范围。4.如权利要求1中所述的导电叠层结构，其特征在于，所述诱导配向结构包括多个呈阵列式排布的点结构，所述点结构的材料为对银的亲和性优于所述基材对银的亲和性。5.如权利要求4中所述的导电叠层结构，其特征在于，呈阵列式排布的所述点结构中相邻的点结构之间的最小间距小于等于所述纳米银线薄膜中纳米银线长度的均值或纳米银线长度的中位数。6.如权利要求5中所述的导电叠层结构，其特征在于，所述多条纳米银线粘附在一个或多...

【专利技术属性】
技术研发人员：来宇浩，
申请(专利权)人：昆山国显光电有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32