一种光电测速芯片制造技术

本发明专利技术公开了一种光电测速芯片，所述芯片包括第一感光检测模块、第二感光检测模块、第三感光检测模块和第四感光检测模块，且上述四个感光检测模块的形状大小相同；所述芯片还包括第一比较器、第二比较器、时序控制模块和压控振荡器；所述压控振荡器输出端连接所述时序控制模块，所述第一感光检测模块和第三感光检测模块的输出端连接所述第一比较器的正负输入端，所述第二感光检测模块和第四感光检测模块的输出端连接所述第二比较器的正负输入端，所述第一比较器和第二比较器的输出端分别输出第一输出信号和第二输出信号。本发明专利技术提供的一种光电测速芯片，结构简单占地面积较小，根据比较器的输出结构能够准确判断出码盘的转速。

【技术实现步骤摘要】
一种光电测速芯片
本专利技术涉及光电测速领域，具体涉及一种光电测速芯片。
技术介绍
光电测速芯片用于检测照射在芯片上光线的变化频率，进而获得遮挡入射光码盘的转速或码条的移动速度。广泛应用于机电产品，实现工件转速检测。例如检测电动机的转速，检测感测零件的转速等等。目前光电测速芯片产品多采用BJT工艺，使用两个感光二极管检测入射光通过码盘的明暗变化。相应的光电二极管产生的光电流发生变化，进而输出高低脉冲信号，进而计算出码盘的转速。然而，在CMOS工艺中，失调和工艺变化较大，该种电路架构在CMOS工艺下无法使用。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题时提供一种光电测速芯片，结构简单占地面积较小，根据比较器的输出结构能够准确判断出码盘的转速。为了实现上述目的，本专利技术采用如下技术方案：一种光电测速芯片，所述芯片包括依次相邻的将入射光的光强变化转换为电压变化的第一感光检测模块、第二感光检测模块、第三感光检测模块和第四感光检测模块，且上述四个感光检测模块的形状大小相同；所述芯片还包括第一比较器、第二比较器、时序控制模块和压控振荡器；所述压控振荡器输出端连接所述时序控制模块，用于产生所述芯片上本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光电测速芯片，其特征在于，所述芯片包括依次相邻的将入射光的光强变化转换为电压变化的第一感光检测模块、第二感光检测模块、第三感光检测模块和第四感光检测模块，且上述四个感光检测模块的形状大小相同；所述芯片还包括第一比较器、第二比较器、时序控制模块和压控振荡器；所述压控振荡器输出端连接所述时序控制模块，用于产生所述芯片上的时钟信号，所述时序控制模块输出控制信号Ⅰ和控制信号Ⅱ，所述控制信号Ⅰ同时连接所述第一感光检测模块、第二感光检测模块、第三感光检测模块和第四感光检测模块，所述控制信号Ⅱ同时连接所述第一比较器和第二比较器，所述第一感光检测模块和第三感光检测模块的输出端分别连接所述第一比较器的正...

【技术特征摘要】
1.一种光电测速芯片，其特征在于，所述芯片包括依次相邻的将入射光的光强变化转换为电压变化的第一感光检测模块、第二感光检测模块、第三感光检测模块和第四感光检测模块，且上述四个感光检测模块的形状大小相同；所述芯片还包括第一比较器、第二比较器、时序控制模块和压控振荡器；所述压控振荡器输出端连接所述时序控制模块，用于产生所述芯片上的时钟信号，所述时序控制模块输出控制信号Ⅰ和控制信号Ⅱ，所述控制信号Ⅰ同时连接所述第一感光检测模块、第二感光检测模块、第三感光检测模块和第四感光检测模块，所述控制信号Ⅱ同时连接所述第一比较器和第二比较器，所述第一感光检测模块和第三感光检测模块的输出端分别连接所述第一比较器的正负输入端，所述第二感光检测模块和第四感光检测模块的输出端分别连接所述第二比较器的正负输入端，所述第一比较器的输出端输出第一输出信号，所述第二比较器的输出端输出第二输出信号，且所述第一输出信号和第二输出信号的频率和时长均相同。2.根据权利要求1所述的一种光电测速芯片，其特征在于，所述压控振荡器的输入端连接正温度系数电压发生器，所述正温度系数电压发生器用于为所述压控振荡器提供与芯片上温度正相关的控制电压。3.根据权利要求1所述的一种光电测速芯片，其特征在于，所述第一感光检测模块、第二感光检测模块、第三感光检测模块和第四感光检测模块的结构相同，均包含光电二极管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管和电流源，其中，所述光电二极管的阴极与电源负极相连，阳极与所述第一NMOS管的漏极相连；所述第一NMOS管的源极与所述第二NMOS管的源极和第三NMOS管的栅极相互连接；所述第二NMOS管的漏极和第三NMOS管的漏极均与电源正极相连；所述第三NMOS管的源极与所述电流源的正极相连并作为所述的感光检测模块的输出端；所述电流源的负极与电源负极相连。4.根据权利要求3所述的一种光电测速芯片，其特征在于，所述第一NMOS管、第二NMOS管和第三NMOS管的源极和漏极可以互换。5.根据权利要求3所述的一种光电测速芯片，其特征在于，所述控制信号Ⅰ包括S1控制信号和S2控制信号，所述S1控制信号分别连接所述第一感光检测模块、第二感光检测模块、第三感光检测模块和第四感光检测模块中第一NMOS管的栅极；所述S2控制信号分别连接所述第一感光检测模块、第二感光检测模块、第三感光检测模块和第四感光检测模块中第二NMOS管的栅极。6.根据权利要求5所述的一种光电测速芯片，其特征在于，所述时序控制模块在t1时刻，S1控制信号为高电平，S2控制信号和控制信号Ⅱ为低电平；在t2时刻，S1控制信号由高电平变为低电平，同时，S2控制信号由低电平变为高...

【专利技术属性】
技术研发人员：段杰斌，李琛，王鹏飞，周涛，
申请(专利权)人：上海集成电路研发中心有限公司，成都微光集电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31