一种用于提高中子纯度的准直器制造技术

本发明专利技术公开了一种用于提高中子纯度的准直器，其包括有呈四棱锥台形状的准直器壳体，准直器壳体包括大端密封板、小端密封板以及第一、二、三、四密封侧板，准直器壳体内部的壳体腔室内嵌装内部挡板组件，内部挡板组件包括至少两个从前至后依次间隔布置的内部挡板，各内部挡板左端边缘部分别与第二密封侧板内表面连接，各内部挡板右端边缘部分别与第四密封侧板内表面连接；内部挡板组件将准直器壳体的壳体腔室隔成气体流通通道，第一密封侧板上端部开设小端气流通孔，第三密封侧板下端部开设大端气流通孔；相邻的两个平行内部挡板施加电场并形成一平行板电容器。本发明专利技术具有结构设计新颖、功能多样的优点，且能够有效地提高中子纯度。

【技术实现步骤摘要】
一种用于提高中子纯度的准直器
本专利技术涉及散裂中子源
，尤其涉及一种用于提高中子纯度的准直器。
技术介绍
利用散裂中子源产生具有高能量的中子，并通过中子导管将高能量的中子传递到多物理谱仪，然后再进行一系列的物理实验。其中，中子在中子导管里传递会有能量的损失也要防止辐射，中子导管要最大化的传递中子并减少在传递过程中能量的损失，中子导管内部通过不停的将中子反射、传递，最终使中子传递到多物理谱仪上进行试验。中子源出射的中子通过中子准直器实现准直效果，以约束中子沿预期方向的纵向与横向角度发散度从而形成中子束；同时，作为最内层的束线部件，中子准直器需要屏蔽来自准直器外部的杂散中子，防止其进入中子束内影响束线质量。准直器对通过的中子兼具准直一控制中子束发散度和屏蔽一实现中子束内外隔绝的功能，是任何中子束工程和科研装置的核心部件。需进一步指出，现有技术中存在形式各样的中子准直器结构；然而，对于现有的中子准直器而言，其普遍存在设计不合理、功能较为单一的缺陷，且能够有效地提高中子纯度。
技术实现思路
本专利技术的目的在于针对现有技术的不足而提供一种用于提高中子纯度的准直器，该用于提高中子纯度的准直本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于提高中子纯度的准直器，其特征在于：包括有呈四棱锥台形状的准直器壳体（1），准直器壳体（1）包括有分别呈正方形形状的大端密封板（11）、小端密封板（12），小端密封板（12）位于大端密封板（11）的上端侧，大端密封板（11）与小端密封板（12）平行间隔布置且大端密封板（11）的中心与小端密封板（12）的中心竖向对齐，准直器壳体（1）于大端密封板（11）与小端密封板（12）之间设置有四个密封侧板，四个密封侧板依次为第一密封侧板（13）、第二密封侧板（14）、第三密封侧板（15）以及第四密封侧板（16），第一密封侧板（13）与第三密封侧板（15）正对布置且第一密封侧板（13）位于第三密封...

【技术特征摘要】
1.一种用于提高中子纯度的准直器，其特征在于：包括有呈四棱锥台形状的准直器壳体（1），准直器壳体（1）包括有分别呈正方形形状的大端密封板（11）、小端密封板（12），小端密封板（12）位于大端密封板（11）的上端侧，大端密封板（11）与小端密封板（12）平行间隔布置且大端密封板（11）的中心与小端密封板（12）的中心竖向对齐，准直器壳体（1）于大端密封板（11）与小端密封板（12）之间设置有四个密封侧板，四个密封侧板依次为第一密封侧板（13）、第二密封侧板（14）、第三密封侧板（15）以及第四密封侧板（16），第一密封侧板（13）与第三密封侧板（15）正对布置且第一密封侧板（13）位于第三密封侧板（15）的前端侧，第二密封侧板（14）与第四密封侧板（16）正对布置且第二密封侧板（14）位于第四密封侧板（16）的左端侧，准直器壳体（1）的内部成型有由大端密封板（11）、小端密封板（12）、第一密封侧板（13）、第二密封侧板（14）、第三密封侧板（15）、第四密封侧板（16）共同围装而成且密封的壳体腔室（17）；准直器壳体（1）的壳体腔室（17）内嵌装有内部挡板组件（2），内部挡板组件（2）包括有至少两个从前至后依次间隔布置的内部挡板（21），各内部挡板（21）的左端边缘部...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙振忠，贾学军，陈海彬，刘宇，何利帆，
申请(专利权)人：东莞理工学院，
类型：发明
国别省市：广东,44