一种右脑细胞生物机能倍增装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及医学技术领域，且公开了一种右脑细胞生物机能倍增装置，包括手环，手环的正面固定安装有纳米钕铁硼颗粒，所述手环的正面固定安装有锗金属圆形能量块，所述锗金属圆形能量块的表面套接有电磁线圈环，所述手环的右侧固定连接有环带，所述手环的正面开设有位于纳米钕铁硼颗粒左侧的限位孔。该右脑细胞生物机能倍增装置，通过笔杆上部的控制装置供电，并经过导线连接负责给手环供电和向手环输出控制信号，对手腕关节、阳池穴、神门穴、外关穴、太渊穴、掌心劳宫穴和拇指少商穴的磁场激发，解决了是现实生活中，大多数情况下，人类左脑的使用和开发相对于右脑来说要多得多，造成左脑负担过大，因此不方便大脑的开发利用的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种右脑细胞生物机能倍增装置
本专利技术涉及医学
，具体为一种右脑细胞生物机能倍增装置。
技术介绍
大脑是生物体内结构和功能最复杂的组织，是接受外界信号、产生感觉、形成意识、进行逻辑思维和发出指令产生行为的指挥部，它掌管着人类每天的语言、思维、感觉、情绪、运动等高级活动，人脑也是极为精巧和完善的信息处理系统，是人体内外环境信息获得、存储、处理、加工和整合的中枢，人的大脑分为左右两个半球，我们习惯于称它们为左脑和右脑，左脑主要负责人类的理性、语言、文字和分析等，右脑主要负责音乐、形象、经验和直观等认识，因而右脑感觉更强，我们常说的创造性思维也更多是右脑的产物，右脑开发就是使用各种适合右脑工作的方法来激活右脑，使右脑的巨大潜能得到发挥。开发右脑中隐藏的丰富想象力、无穷的创造力、高速的右脑记忆能力、快速的理解力和正确的直觉能力，利用右脑，不仅能够中和缓解我们左脑的压力，更为重要的是对我们的逻辑思维可以进行多源组合而产生更多的思维出路，这也就是全脑思维的真正意义，因为右脑的参与，将具有单一性和直线型的思维模式实现了本质上的变化，产生更高级的思想而输出人类真正的智慧，但是现实生活中，大多数情况下，人类左脑的使用和开发相对于右脑来说要多得多，造成左脑负担过大，因此不方便大脑的开发利用，现提出一种右脑细胞生物机能倍增装置。
技术实现思路
(一)解决的技术问题针对现有技术的不足，本专利技术提供了一种右脑细胞生物机能倍增装置，具备有利于右脑细胞的激活和开发利用等优点，解决了是现实生活中，大多数情况下，人类左脑的使用和开发相对于右脑来说要多得多，造成左脑负担过大，因此不方便大脑的开发利用的问题。(二)技术方案为实现上述有利于右脑细胞的激活和开发利用的目的，本专利技术提供如下技术方案：一种右脑细胞生物机能倍增装置，包括手环，手环的正面固定安装有纳米钕铁硼颗粒，所述手环的正面固定安装有锗金属圆形能量块，所述锗金属圆形能量块的表面套接有电磁线圈环，所述手环的右侧固定连接有环带，所述手环的正面开设有位于纳米钕铁硼颗粒左侧的限位孔，所述手环的左侧固定连接有导线，所述导线远离手环的一端固定连接有笔杆，所述笔杆的正面固定安装有控制装置，所述笔杆的内壁套接有橡胶环，所述笔杆的内壁固定安装有位于橡胶环内部的压力传感器，所述橡胶环的底部设置有太赫兹能量珠，所述笔杆的右侧活动连接有笔头优选的，所述纳米钕铁硼颗粒的数量为四个，所述纳米钕铁硼颗粒分为两组，两组纳米钕铁硼颗粒分别位于锗金属圆形能量块的左右两侧。优选的，所述笔杆的正面开设有安装孔，所述控制装置位于笔杆的内部。优选的，所述控制装置包括电池组和电磁控制电路，电池组为直流供电组，电磁控制电路为感应电路，且电池组和电磁控制电路位于笔杆的内部。优选的，所述橡胶环的底部固定连接有柔性橡胶杆，所述太赫兹能量珠固定安装在柔性橡胶杆的底部。优选的，橡胶环在拇指、中指和食指位置均呈凹陷状，在拇指、中指和食指位置凹陷处内嵌压力传感器。优选的，所述橡胶环延伸6cm处固定连接柔性橡胶杆，太赫兹能量珠为0.5mmHz。优选的，所述环带的正面开设有均匀分布的卡孔，且卡孔的数量为四个。(三)有益效果与现有技术相比，本专利技术提供了一种右脑细胞生物机能倍增装置，具备以下有益效果：该右脑细胞生物机能倍增装置，通过笔杆上部的控制装置供电，并经过导线连接负责给手环供电和向手环输出控制信号，对手腕关节、阳池穴、神门穴、外关穴、太渊穴、掌心劳宫穴和拇指少商穴的磁场激发，经过纳米工艺处理后的纳米钕铁硼颗粒排列磁场所产生的磁力波对手腕关节穴位的调节功能受电磁场强控制，电磁场强通过电磁线圈环根据使用者握笔力度和书写速度进行自动调节，在电磁线圈作用下的纳米钕铁硼颗粒，在调节周边钕铁硼的磁能相位的同时，对阳池穴和外关穴实现非接触式按摩和理疗功效，促使三焦经气血在此吸热后化为阳热之气与右脑量子波的属性相合，加速对右脑细胞生理机能的唤醒，实现快速开发右脑的功能，太赫兹能量珠在掌心跟随着书写运动轨迹对劳宫穴实现超微波能量扰动，促进大脑供血和血液循环，为大脑提供能量，笔杆上部的电子电磁控制电路，电磁控制电路接收来自于橡胶环内嵌压力传感器的压力信号进行运算分析，处理解析为70Hz为基础的+10Hz或-10Hz的心率频率，所生成的频率转换成控制电流，控制手环的电磁线圈和锗能量块的能量强度，使用者使用左手执笔在书写部分上书写反向文字，加强对右脑的开发，解决了是现实生活中，大多数情况下，人类左脑的使用和开发相对于右脑来说要多得多，造成左脑负担过大，因此不方便大脑的开发利用的问题。附图说明图1为本专利技术提出的一种右脑细胞生物机能倍增装置结构示意图；图2为本专利技术提出的一种右脑细胞生物机能倍增装置的使用图。图中：1手环、2纳米钕铁硼颗粒、3锗金属圆形能量块、4电磁线圈环、5环带、6限位孔、7导线、8笔杆、9控制装置、10橡胶环、11压力传感器、12太赫兹能量珠、13笔头。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。请参阅图1-2，一种右脑细胞生物机能倍增装置，包括手环1，手环1的正面固定安装有纳米钕铁硼颗粒2，纳米钕铁硼颗粒2的数量为四个，纳米钕铁硼颗粒2分为两组，两组纳米钕铁硼颗粒2分别位于锗金属圆形能量块3的左右两侧，手环1的正面固定安装有锗金属圆形能量块3，锗金属圆形能量块3的表面套接有电磁线圈环4，手环1的右侧固定连接有环带5，环带5的正面开设有均匀分布的卡孔，且卡孔的数量为四个，手环1的正面开设有位于纳米钕铁硼颗粒2左侧的限位孔6，手环1的左侧固定连接有导线7，导线7远离手环1的一端固定连接有笔杆8，笔杆8的正面固定安装有控制装置9，笔杆8的正面开设有安装孔，控制装置9位于笔杆8的内部，控制装置9包括电池组和电磁控制电路，电池组为直流供电组，电磁控制电路为感应电路，且电池组和电磁控制电路位于笔杆8的内部，笔杆8的内壁套接有橡胶环10，笔杆8的内壁固定安装有位于橡胶环10内部的压力传感器11，橡胶环10在拇指、中指和食指位置均呈凹陷状，在拇指、中指和食指位置凹陷处内嵌压力传感器11，橡胶环10的底部设置有太赫兹能量珠12，橡胶环10的底部固定连接有柔性橡胶杆，橡胶环10延伸6cm处固定连接柔性橡胶杆，太赫兹能量珠12为0.5mmHz，太赫兹能量珠12固定安装在柔性橡胶杆的底部，笔杆8的右侧活动连接有笔头13，通过笔杆8上部的控制装置9供电，并经过导线7连接负责给手环1供电和向手环1输出控制信号，对手腕关节、阳池穴、神门穴、外关穴、太渊穴、掌心劳宫穴和拇指少商穴的磁场激发，经过纳米工艺处理后的纳米钕铁硼颗粒2排列磁场所产生的磁力波对手腕关节穴位的调节功能受电磁场强控制，电磁场强通过电磁线圈环4根据使用者握笔力度和书写速度进行自动调节，在电磁线圈4作用下的纳米钕铁硼颗粒2，在调节周边钕铁硼的磁能相位的同时，对阳池穴和外关穴实现非接触式按摩和理疗功效，促使三焦经气血在此吸热后化为阳热之气与右脑量子波的属性相合，加速对右脑细胞生理机能的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种右脑细胞生物机能倍增装置，包括手环(1)，其特征在于：手环(1)的正面固定安装有纳米钕铁硼颗粒(2)，所述手环(1)的正面固定安装有锗金属圆形能量块(3)，所述锗金属圆形能量块(3)的表面套接有电磁线圈环(4)，所述手环(1)的右侧固定连接有环带(5)，所述手环(1)的正面开设有位于纳米钕铁硼颗粒(2)左侧的限位孔(6)，所述手环(1)的左侧固定连接有导线(7)，所述导线(7)远离手环(1)的一端固定连接有笔杆(8)，所述笔杆(8)的正面固定安装有控制装置(9)，所述笔杆(8)的内壁套接有橡胶环(10)，所述笔杆(8)的内壁固定安装有位于橡胶环(10)内部的压力传感器(11)，所述橡胶环(10)的底部设置有太赫兹能量珠(12)，所述笔杆(8)的右侧活动连接有笔头(13)。

【技术特征摘要】
1.一种右脑细胞生物机能倍增装置，包括手环(1)，其特征在于：手环(1)的正面固定安装有纳米钕铁硼颗粒(2)，所述手环(1)的正面固定安装有锗金属圆形能量块(3)，所述锗金属圆形能量块(3)的表面套接有电磁线圈环(4)，所述手环(1)的右侧固定连接有环带(5)，所述手环(1)的正面开设有位于纳米钕铁硼颗粒(2)左侧的限位孔(6)，所述手环(1)的左侧固定连接有导线(7)，所述导线(7)远离手环(1)的一端固定连接有笔杆(8)，所述笔杆(8)的正面固定安装有控制装置(9)，所述笔杆(8)的内壁套接有橡胶环(10)，所述笔杆(8)的内壁固定安装有位于橡胶环(10)内部的压力传感器(11)，所述橡胶环(10)的底部设置有太赫兹能量珠(12)，所述笔杆(8)的右侧活动连接有笔头(13)。2.根据权利要求1所述的一种右脑细胞生物机能倍增装置，其特征在于：所述纳米钕铁硼颗粒(2)的数量为四个，所述纳米钕铁硼颗粒(2)分为两组，两组纳米钕铁硼颗粒(2)分别位于锗金属圆形能量块(3)的左右两侧。3.根据权利要求1所述的一种右脑细...

【专利技术属性】
技术研发人员：邢云龙，
申请(专利权)人：邢云龙，
类型：发明
国别省市：河北,13