一种高红外透过率AlON透明陶瓷的快速制备方法技术

本发明专利技术涉及一种高红外透过率AlON透明陶瓷的快速制备方法，属于透明陶瓷材料制备领域。一种高红外透过率AlON透明陶瓷的快速制备方法，所述方法包括下述工艺步骤：将具有双峰粒度分布特征的AlON混合粉体置于模具中，将模具置于放电等离子体烧结炉中，真空条件下进行烧结过程，整个烧结过程中保持向粉体施加50～100MPa的压强，所述烧结过程为：将烧结炉以150～300℃/min的升温速率升温至1500～1700℃后保温0.5～5min，后随炉冷却至室温，得AlON透明陶瓷块体。该方法升温速度快、保温时间短、烧结温度低且降温速度快，制备效率非常高，节能效果好，可显著降低AlON透明陶瓷的制备成本。

【技术实现步骤摘要】
一种高红外透过率AlON透明陶瓷的快速制备方法
本专利技术涉及一种高红外透过率AlON透明陶瓷的快速制备方法，属于透明陶瓷材料制备领域。
技术介绍
立方尖晶石结构的AlON陶瓷在近紫外-可见-红外波段(0.2-6.0μm)都具有良好的透光性，同时其还拥有非常优异的力学性能，AlON透明陶瓷的综合性能可与蓝宝石相媲美，是一种理想的结构功能一体化多晶透明陶瓷材料。AlON透明陶瓷可广泛用于高速飞行器的信号探测窗口、先进载运装备的透明观测窗口、透明装甲等领域，具有广阔的发展前景与应用价值。两步法，即：首先合成AlON粉体，再进行致密化烧结制备AlON透明陶瓷，是制备高透过率AlON透明陶瓷的有效手段。近年来，研究人员多采用无压烧结、热压烧结以及热等静压烧结等技术制备AlON透明陶瓷，目前采用这些技术已经能够制备出具有较高透过率的AlON透明陶瓷。但是，这些传统陶瓷烧结技术在AlON透明陶瓷烧结方面的应用，至今仍然存在烧结温度高(≥1820℃)、保温时间长(≥2.5h)等诸多问题。放电等离子体烧结(SPS)技术又称为场辅助烧结技术，是一种非常有效的粉体快速致密化烧结方法，可具有高达600℃/本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高红外透过率AlON透明陶瓷的快速制备方法，其特征在于：所述方法包括下述工艺步骤：将具有双峰粒度分布特征的AlON混合粉体置于模具中，将模具置于放电等离子体烧结炉中，真空条件下进行烧结过程，整个烧结过程中保持向粉体施加50～100MPa的压强，所述烧结过程为：将烧结炉以150～300℃/min的升温速率升温至1500～1700℃后保温0.5～5min，后随炉冷却至室温，得AlON透明陶瓷块体，其中，所述具有双峰粒度分布特征的AlON粉体的颗粒粒度为0.9～15μm，其由60～85wt.％粗颗粒粉体和15～40wt.％细颗粒粉体组成；所述粗颗粒粉体和细颗粒粉体的划分界限值为1.2～1.6...

【技术特征摘要】
1.一种高红外透过率AlON透明陶瓷的快速制备方法，其特征在于：所述方法包括下述工艺步骤：将具有双峰粒度分布特征的AlON混合粉体置于模具中，将模具置于放电等离子体烧结炉中，真空条件下进行烧结过程，整个烧结过程中保持向粉体施加50～100MPa的压强，所述烧结过程为：将烧结炉以150～300℃/min的升温速率升温至1500～1700℃后保温0.5～5min，后随炉冷却至室温，得AlON透明陶瓷块体，其中，所述具有双峰粒度分布特征的AlON粉体的颗粒粒度为0.9～15μm，其由60～85wt.％粗颗粒粉体和15～40wt.％细颗粒粉体组成；所述粗颗粒粉体和细颗粒粉体的划分界限值为1.2～1.6μm，粒度不小于划分界限值的粉体为粗颗粒粉体，粒度小于划分界限值的粉体为细颗粒粉体。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述具有双峰粒度分布特征的AlON混合粉体由纯相AlON粉体和烧结助剂Y2O3组成，其中，烧结助剂Y2O3的重量为纯相AlON粉体的0.4～0.6％。3.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：单英春，徐久军，韩晓光，孙先念，李平，
申请(专利权)人：大连海事大学，
类型：发明
国别省市：辽宁,21