一种石膏磨用陶瓷研磨体的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种石膏磨用陶瓷研磨体的制备方法，包括以下方法步骤，a，粉料选择使用BaO、TiC、Mo2C、ZrO2、Cr2C3、TaC作为原料，并配置浓度为80％‑90％的醋酸作为溶剂，将其倒入并与原料混合，然后充分浸渍3小时‑6小时后进行混合，时间控制在0.5小时以内，作为研磨介质；b，将步骤a中的原料进行烘干，并与焦炭混合，选择球体进行充分的研磨，球料比为3:5，球磨转速为300‑450rpm，球磨时间为30‑48小时；c，将球磨后的混合物料过筛，筛孔为50‑150目；d，取过筛后的混合物料放入模具中，350‑550MPa压力下制成坯料；e，将取出坯料进行加热，加热成型过后的坯料进行冷却，冷却过后进行切割，最后进行磨削和抛光。本发明专利技术制作的研磨体，硬度较高，并且使用寿命较长。

【技术实现步骤摘要】
一种石膏磨用陶瓷研磨体的制备方法
本专利技术涉及陶瓷加工
，尤其是一种石膏磨用陶瓷研磨体的制备方法。
技术介绍
石膏是单斜晶系矿物，是主要化学成分为硫酸钙(CaSO4)的水合物。石膏是一种用途广泛的工业材料和建筑材料。可用于水泥缓凝剂、石膏建筑制品、模型制作、医用食品添加剂、硫酸生产、纸张填料、油漆填料等。石膏及其制品的微孔结构和加热脱水性，使之具优良的隔音、隔热和防火性能。石膏属单斜晶系，解理度很高，容易裂开成薄片。将石膏加热至100-200℃，失去部分结晶水，可得到半水石膏。它是一种气硬性胶凝材料，具有α和β两种形态，都呈菱形结晶，但物理性能不同。α型半水石膏结晶良好、坚实；β型半水石膏是片状并有裂纹的晶体，结晶很细，比表面积比α型半水石膏大得多。石膏在进行加工过程中，经常需要进行研磨，传统的研磨设备有金属研磨体、陶瓷研磨体，陶瓷由于其更加耐高温且稳定，使用较多，但是传统的陶瓷研磨体，研磨产品加工不够精细，硬度较差，长期使用容易破碎，针对以上的问题，在此我们提出一种石膏磨用陶瓷研磨体的制备方法。
技术实现思路
本专利技术为解决上述现象，采用以下改性的技术方案，一种石膏磨用陶瓷研本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种石膏磨用陶瓷研磨体的制备方法，其特征在于：包括以下方法步骤，a，粉料选择使用BaO、TiC、Mo2C、ZrO2、Cr2C3、TaC作为原料，并配置浓度为80％‑90％的醋酸作为溶剂，将其倒入并与原料混合，然后充分浸渍3小时‑6小时后进行混合，时间控制在0.5小时以内，作为研磨介质；b，将步骤a中的原料进行烘干，并与焦炭混合，选择球体进行充分的研磨，球料比为3:5，球磨转速为300‑450rpm，球磨时间为30‑48小时；c，将球磨后的混合物料过筛，筛孔为50‑150目；d，取过筛后的混合物料放入模具中，350‑550MPa压力下制成坯料；e，将取出坯料进行加热，加热成型过后的坯料进行冷...

【技术特征摘要】
1.一种石膏磨用陶瓷研磨体的制备方法，其特征在于：包括以下方法步骤，a，粉料选择使用BaO、TiC、Mo2C、ZrO2、Cr2C3、TaC作为原料，并配置浓度为80％-90％的醋酸作为溶剂，将其倒入并与原料混合，然后充分浸渍3小时-6小时后进行混合，时间控制在0.5小时以内，作为研磨介质；b，将步骤a中的原料进行烘干，并与焦炭混合，选择球体进行充分的研磨，球料比为3:5，球磨转速为300-450rpm，球磨时间为30-48小时；c，将球磨后的混合物料过筛，筛孔为50-150目；d，取过筛后的混合物料放入模具中，350-550MPa压力下制成坯料；e，将取出坯料进行加热，加热成型过后的坯料进行冷却，冷却过后进行切割，最后进行磨削和抛光，完成石膏磨用陶瓷研磨体的加工生产。2.根据权利要求1所述的一种石膏磨用陶瓷研磨体的制备方法，其特征在于，步骤e中，在对坯料进行加热过程，首先在室温下预热6-10分钟，当温度达到300-400℃时通入惰性氩气，保持20ml/min的输送速度均匀送入，升温至1200-1450℃时进行保温控温，保温控温时间为20-40min。3.根据权利要求1所述的一种石膏磨用陶瓷研磨体的制备方法，其特征在于，步骤b中，在焦炭混合研磨的过程中，可以持...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴锦铭，
申请(专利权)人：佛山市华强协兴陶瓷有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44