一种过热监测的LED驱动电路制造技术

本发明专利技术公开了一种过热监测的LED驱动电路。一种过热监测的LED驱动电路包括第一电阻、第一PNP管、第二电阻、第三电阻、第一比较器、第一NMOS管、第一PMOS管、第四电阻、第五电阻、第二PMOS管和LED灯。利用本发明专利技术可以防止温度过热使得整个电路损坏或者老化加快。

【技术实现步骤摘要】
一种过热监测的LED驱动电路
本专利技术涉及LED驱动装置，尤其涉及到一种过热监测的LED驱动电路。
技术介绍
在LED驱动过程中，温度过热会使得整个电路损坏或者老化加快，为此设计了一种过热监测的LED驱动电路。
技术实现思路
本专利技术旨在解决现有技术的不足，提供一种过热监测的LED驱动电路。一种过热监测的LED驱动电路，包括第一电阻、第一PNP管、第二电阻、第三电阻、第一比较器、第一NMOS管、第一PMOS管、第四电阻、第五电阻、第二PMOS管和LED灯：所述第一电阻的一端接电源电压VCC，另一端接所述第一PNP管的发射极和所述第一比较器的正输入端；所述第一PNP管的基极接地，集电极接地，发射极接所述第一电阻的一端和所述第一比较器的正输入端；所述第二电阻的一端接电源电压VCC，另一端接所述第三电阻的一端和所述第一比较器的负输入端；所述第三电阻的一端接所述第二电阻的一端和所述第一比较器的负输入端，另一端接地；所述第一比较器的正输入端接所述第一电阻的一端和所述第一PNP管的发射极，负输入端接所述第二电阻的一端和所述第三电阻的一端，输出端接所述第一NMOS管的栅极；所述第一NMOS管的栅极接所述第一比较器的输出端，漏极接所述第四电阻的一端和所述第五电阻的一端，源极接地；所述第一PMOS管的栅极和漏极接在一起再接所述第四电阻的一端和所述第二PMOS管的栅极，源极接电源电压VCC；所述第四电阻的一端接所述第一PMOS管的栅极和漏极和所述第二PMOS管的栅极，另一端接所述第一NMOS管的漏极和所述第五电阻的一端；所述第五电阻的一端接所述第四电阻的一端和所述第一NMOS管的漏极，另一端接地；所述第二PMOS管的栅极接所述第四电阻的一端和所述第一PMOS管的栅极和漏极，漏极接所述LED灯的P极，源极接电源电压VCC；所述LED灯的P极接所述第二PMOS管的漏极，N极接地。当所述第一NMOS管的栅极为高电平时，所述第五电阻被短路，所述第一PMOS管、所述第四电阻和所述第一NMOS管构成电流产生电路，该电流等于电源电压VCC减去所述第一PMOS管的阈值电压再除以所述第四电阻的电阻值；当所述第一NMOS管的栅极为低电平时，所述第一PMOS管、所述第四电阻和所述第五电阻构成电流产生电路，该电流等于电源电压VCC减去所述第一PMOS管的阈值电压再除以所述第四电阻和所述第五电阻的两个电阻值之和；显然当所述第一NMOS管的栅极为低电平时的电流小些，也即是驱动所述LED灯的电流就会小些；正常情况下，所述第一比较器的正输入端B点电压高于负输入端A点电压，所述第一比较器的输出端为高电平；当温度过热时，所述第一PNP管的BE结电压会随着温度升高而降低，这样所述第一比较器的正输入端B点电压就会低于负输入端A点电压，使得所述第一比较器输出端为低电平。附图说明图1为本专利技术的一种过热监测的LED驱动电路的电路图。具体实施方式以下结合附图对本
技术实现思路
进一步说明。一种过热监测的LED驱动电路，如图1所示，包括第一电阻101、第一PNP管102、第二电阻103、第三电阻104、第一比较器105、第一NMOS管106、第一PMOS管107、第四电阻108、第五电阻109、第二PMOS管110和LED灯111：所述第一电阻101的一端接电源电压VCC，另一端接所述第一PNP管102的发射极和所述第一比较器105的正输入端；所述第一PNP管102的基极接地，集电极接地，发射极接所述第一电阻101的一端和所述第一比较器105的正输入端；所述第二电阻103的一端接电源电压VCC，另一端接所述第三电阻104的一端和所述第一比较器105的负输入端；所述第三电阻104的一端接所述第二电阻103的一端和所述第一比较器105的负输入端，另一端接地；所述第一比较器105的正输入端接所述第一电阻101的一端和所述第一PNP管102的发射极，负输入端接所述第二电阻103的一端和所述第三电阻104的一端，输出端接所述第一NMOS管106的栅极；所述第一NMOS管106的栅极接所述第一比较器105的输出端，漏极接所述第四电阻108的一端和所述第五电阻109的一端，源极接地；所述第一PMOS管107的栅极和漏极接在一起再接所述第四电阻108的一端和所述第二PMOS管110的栅极，源极接电源电压VCC；所述第四电阻108的一端接所述第一PMOS管107的栅极和漏极和所述第二PMOS管110的栅极，另一端接所述第一NMOS管106的漏极和所述第五电阻109的一端；所述第五电阻109的一端接所述第四电阻108的一端和所述第一NMOS管106的漏极，另一端接地；所述第二PMOS管110的栅极接所述第四电阻108的一端和所述第一PMOS管107的栅极和漏极，漏极接所述LED灯111的P极，源极接电源电压VCC；所述LED灯111的P极接所述第二PMOS管110的漏极，N极接地。当所述第一NMOS管106的栅极为高电平时，所述第五电阻109被短路，所述第一PMOS管107、所述第四电阻108和所述第一NMOS管106构成电流产生电路，该电流等于电源电压VCC减去所述第一PMOS管107的阈值电压再除以所述第四电阻108的电阻值；当所述第一NMOS管106的栅极为低电平时，所述第一PMOS管107、所述第四电阻108和所述第五电阻109构成电流产生电路，该电流等于电源电压VCC减去所述第一PMOS管107的阈值电压再除以所述第四电阻108和所述第五电阻109的两个电阻值之和；显然当所述第一NMOS管106的栅极为低电平时的电流小些，也即是驱动所述LED灯111的电流就会小些；正常情况下，所述第一比较器105的正输入端B点电压高于负输入端A点电压，所述第一比较器105的输出端为高电平；当温度过热时，所述第一PNP管102的BE结电压会随着温度升高而降低，这样所述第一比较器105的正输入端B点电压就会低于负输入端A点电压，使得所述第一比较器105输出端为低电平。对上述所提供的实施方式的说明，仅是本专利技术的优选实施方式的说明，对本
的技术人员来说能够根据以上说明进行实现或使用本专利技术。应当指出，对于本
的技术人员来说，在不脱离本专利技术技术原理的前提下，还可以做出若干改进和变形，任何不超出本专利技术实质精神范围内的专利技术创造，应视为本专利技术的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种过热监测的LED驱动电路，其特征在于：包括第一电阻、第一PNP管、第二电阻、第三电阻、第一比较器、第一NMOS管、第一PMOS管、第四电阻、第五电阻、第二PMOS管和LED灯；所述第一电阻的一端接电源电压VCC，另一端接所述第一PNP管的发射极和所述第一比较器的正输入端；所述第一PNP管的基极接地，集电极接地，发射极接所述第一电阻的一端和所述第一比较器的正输入端；所述第二电阻的一端接电源电压VCC，另一端接所述第三电阻的一端和所述第一比较器的负输入端；所述第三电阻的一端接所述第二电阻的一端和所述第一比较器的负输入端，另一端接地；所述第一比较器的正输入端接所述第一电阻的一端和所述第一PNP管的发射极，负输入端接所述第二电阻的一端和所述第三电阻的一端，输出端接所述第一NMOS管的栅极；所述第一NMOS管的栅极接所述第一比较器的输出端，漏极接所述第四电阻的一端和所述第五电阻的一端，源极接地；所述第一PMOS管的栅极和漏极接在一起再接所述第四电阻的一端和所述第二PMOS管的栅极，源极接电源电压VCC；所述第四电阻的一端接所述第一PMOS管的栅极和漏极和所述第二PMOS管的栅极，另一端接所述第一NMOS管的漏极和所述第五电阻的一端；所述第五电阻的一端接所述第四电阻的一端和所述第一NMOS管的漏极，另一端接地；所述第二PMOS管的栅极接所述第四电阻的一端和所述第一PMOS管的栅极和漏极，漏极接所述LED灯的P极，源极接电源电压VCC；所述LED灯的P极接所述第二PMOS管的漏极，N极接地。...

【技术特征摘要】
1.一种过热监测的LED驱动电路，其特征在于：包括第一电阻、第一PNP管、第二电阻、第三电阻、第一比较器、第一NMOS管、第一PMOS管、第四电阻、第五电阻、第二PMOS管和LED灯；所述第一电阻的一端接电源电压VCC，另一端接所述第一PNP管的发射极和所述第一比较器的正输入端；所述第一PNP管的基极接地，集电极接地，发射极接所述第一电阻的一端和所述第一比较器的正输入端；所述第二电阻的一端接电源电压VCC，另一端接所述第三电阻的一端和所述第一比较器的负输入端；所述第三电阻的一端接所述第二电阻的一端和所述第一比较器的负输入端，另一端接地；所述第一比较器的正输入端接所述第一电阻的一端和所述第一PNP管的发射极，负输入端接所述第二电阻的一端和所述第三...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈孙园，
申请(专利权)人：杭州宽福科技有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33