镍(II)负载混合相硫化镉材料的制备及光催化活化饱和碳氢键的应用制造技术

本发明专利技术公开了一种镍(II)负载混合相硫化镉复合材料Ni(II)/CdS，是将硫化镉、氯化镍分别均匀分散在去离子水中，溶解后将两种溶液混合，是将硫化镉（CdS）、氯化镍（NiCl2·6H2O）分别均匀分散在去离子水中，溶解后将两种溶液混合，在40~80℃下搅拌反应0.5~3h，反应完成后用去离子水洗涤，干燥，即得目标产物Ni(II)/CdS。本发明专利技术通过Ni（II）对混晶CdS修饰后的Ni(II)/CdS具有优异的光催化性能，用于催化氧化甲苯成苯甲醛的反应，具有较高的催化速率（可达216.70μmolh

【技术实现步骤摘要】
镍(II)负载混合相硫化镉材料的制备及光催化活化饱和碳氢键的应用
本专利技术涉及一种镍(II)负载混合相硫化镉复合材料Ni(II)/CdS的制备方法，主要用于光催化剂活化饱和碳氢键的反应中。
技术介绍
选择性活化碳氢化合物中的饱和C-H（sp3）键生成高附加值的化学品对化学合成和转化具有重要的现实意义。然而，选择对环境友好的氧气作为氧源，对选择性氧化C-H键通常是非常难控制的。在热力学非均相催化中，往往涉及使用过渡金属颗粒和苛刻的反应条件（如高温和高压）。饱和碳-氢键（sp3）的选择性氧化在温和的条件下是化学合成工业方面的主要挑战。在工业中碳氢键（sp3）的氧化过程，由于饱和碳氢键的热力学能较强且动态惰性，通常需要高温、高压、有毒试剂以及重金属离子的参与。从绿色化学的角度出发，开发一种环境友好型的烷烃选择性氧化途径是很重要的。报道指出，在温和条件下，不同的半导体光催化作用于活化C-H键，使用价格低和含量丰富的氧作为氧源，从而降低了对环境的污染，符合一直以来倡导绿色化学这一理念。已经有报道出，光催化剂半导体已经被应用于选择性催化氧化C-H键，例如BiOBr/TiO2，Bi2MoO6-B本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种镍(II)负载混合相硫化镉复合材料的制备方法，是将硫化镉、氯化镍（NiCl2·6H2O）分别均匀分散在去离子水中，溶解后将两种溶液混合，在60~80℃下搅拌反应1~3h，反应液用去离子水洗涤，干燥，即得目标产物Ni(II)/CdS。

【技术特征摘要】
1.一种镍(II)负载混合相硫化镉复合材料的制备方法，是将硫化镉、氯化镍（NiCl2·6H2O）分别均匀分散在去离子水中，溶解后将两种溶液混合，在60~80℃下搅拌反应1~3h，反应液用去离子水洗涤，干燥，即得目标产物Ni(II)/CdS。2.如权利要求1所述镍(II)负载混合相硫化镉复合材...

【专利技术属性】
技术研发人员：佘厚德，李良善，孙毅东，苏碧桃，王其召，王磊，黄静伟，
申请(专利权)人：西北师范大学，
类型：发明
国别省市：甘肃,62