发光元件制造技术

一种发光元件，包括基板、主动元件、第一遮光层、透明电极、第二遮光层、光转换层、电致发光结构以及顶电极。主动元件位于基板上。第一遮光层位于主动元件上，且具有第一开口。透明电极位于第一遮光层上，且电性连接主动元件。第二遮光层位于透明电极上，且具有对应第一开口的第二开口。光转换层实质上位于第一开口中。电致发光结构实质上位于第二开口中。透明电极位于第一开口与第二开口之间。电致发光结构位于顶电极以及透明电极之间。

【技术实现步骤摘要】
发光元件
本专利技术是有关于一种发光元件，且特别是有关于一种具有遮光层的发光元件。
技术介绍
在现有技术中，发光元件(例如显示面板)通常包括具有发光结构(例如发光二极管)的阵列基板以及相对于阵列基板的彩色滤光基板。由于显示面板中的发光结构发出的光线为球面光，因此相邻的发光结构容易互相干扰，并导致漏光与混光的问题。为了减少漏光与混光的问题，通常会增加设置于彩色滤光基板上的黑色矩阵(Blackmatrix,BM)的厚度，借此减少发光结构之间的互相干扰。然而，此举会导致显示面板的整体厚度上升增加，且改善混光的效果有限。因此，目前亟需一种能改善前述问题的方法。
技术实现思路
本专利技术提供一种发光元件，可以改善漏光与混光的问题。本专利技术的至少一实施例提供一种发光元件，包括基板、主动元件、第一遮光层、透明电极、第二遮光层、光转换层、电致发光结构以及顶电极。主动元件位于基板上。第一遮光层位于主动元件上，且具有第一开口。透明电极位于第一遮光层上，且电性连接主动元件。第二遮光层位于透明电极上，且具有对应第一开口的第二开口。光转换层实质上位于第一开口中。电致发光结构实质上位于第二开口中。透明电极位于第一开口与第二开口之间。电致发光结构位于顶电极以及透明电极之间。本专利技术的至少一实施例提供一种发光元件，包括基板、主动元件、第一遮光层、透明电极、第二遮光层、光转换层、电致发光结构以及顶电极。主动元件位于基板上。第一遮光层位于主动元件上，且具有一第一开口。第一开口的深度约为4微米至10微米。透明电极位于第一遮光层上，且电性连接主动元件。第二遮光层位于透明电极上，且具有对应第一开口的第二开口。第二开口的深度约为0.5微米至2微米。第一开口朝向透明电极处的宽度W11与第二开口朝向透明电极处的宽度W21的关系为80％≦W21/W11≦130％。光转换层实质上位于第一开口中。电致发光结构实质上位于第二开口中。透明电极位于第一开口与第二开口之间并接触于光转换层以及电致发光结构。电致发光结构位于顶电极以及透明电极之间。本专利技术的目的之一为，改善发光元件漏光的问题。本专利技术的目的之一为，改善发光元件混光的问题。为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附图式作详细说明如下。附图说明图1A是依照本专利技术的一实施例的一种发光元件的上视示意图。图1B是沿着图1A中剖面线AA’的剖面示意图。图2是依照本专利技术的一实施例的一种发光元件的剖面示意图。其中，附图标记：10、20：发光元件AA’：线B1：第一遮光层B1A：第一部分B1B：第二部分B2：第二遮光层B3：第三遮光层C：光转换层CH1、CH2：通道层CL：信号线D1、D2：漏极DL：数据线E1：透明电极E2：顶电极G1、G2：栅极H1、H2：接触窗I1、I2、I3、I4、I5：绝缘层I3A：厚部I3B：薄部L：电致发光结构O1：第一开口O2：第二开口Q：发光层S1、S2：源极SB：基板SL：扫描线T1、T2：主动元件TL1、TL2：传输层Vs1、Vs2、Vd1、Vd2：通孔d1、d2：厚度具体实施方式图1A是依照本专利技术的一实施例的一种发光元件的上视示意图，其中为了方便说明，图1A省略绘示了发光元件中的部分构件。图1B是沿着图1A中剖面线AA’的剖面示意图。请参考图1A与图1B，发光元件10包括基板SB、主动元件T1、第一遮光层B1、透明电极E1、第二遮光层B2、光转换层C、电致发光结构L以及顶电极E2。在一些实施例中，发光元件10还包括主动元件T2、扫描线SL、数据线DL、信号线CL、绝缘层I1、绝缘层I2、绝缘层I3、绝缘层I4以及绝缘层I5。扫描线SL相交于数据线DL以及信号线CL。在本实施例中，是以扫描线SL的延伸方向与数据线DL的延伸方向不平行为例。扫描线SL与数据线DL一般是使用金属材料，然而本专利技术不限于此。在其他实施例中，扫描线SL与数据线DL也可以使用其他导电材料(例如：金属材料的氮化物、金属材料的氧化物、金属材料的氮氧化物或其它合适的材料)或是金属材料与其它材料的堆栈层。在本实施例中，数据线DL与信号线CL可由同一图案化工艺所形成，但本专利技术不以此为限。主动元件T1与主动元件T2位于基板SB上。在一些实施例中，主动元件T1与基板SB之间以及主动元件T2与基板SB之间还具有绝缘层I1与绝缘层I2，但本专利技术不以此为限。主动元件T1具有源极S1、漏极D1、栅极G1以及通道层CH1。通道层CH1位于基板SB上。栅极G1重迭于通道层CH1，绝缘层I3例如为栅极绝缘层，且位于栅极G1与通道层CH1之间。绝缘层I4覆盖栅极G1以及绝缘层I3，绝缘层I4例如为层间绝缘层，且位于源极S1与栅极G1之间以及漏极D1与栅极G1之间。漏极D1与源极S1位于绝缘层I4上。通孔Vd1位于绝缘层I3与绝缘层I4中，通孔Vs1位于绝缘层I3与绝缘层I4中。漏极D1通过通孔Vd1电性连接至通道层CH1，而源极S1通过通孔Vs1电性连接至通道层CH1。漏极D1电性连接至电致发光结构L。在本实施例中，主动元件T1的栅极G1电性连接至主动元件T2，且主动元件T1的源极S1电性连接至信号线CL，但本专利技术不以此为限。在其他实施例中，主动元件T1的栅极G1电性连接至扫描线SL，且主动元件T1的源极S1电性连接至数据线DL。在本实施例中，主动元件T1是以顶部栅极型薄膜晶体管为例来说明，但本专利技术不限于此。在其他实施例中，上述的主动元件T1也可是以底部栅极型薄膜晶体管。主动元件T2具有源极S2、漏极D2、栅极G2以及通道层CH2。通道层CH2位于基板SB上。栅极G2重迭于通道层CH2，且与通道层CH2之间夹有绝缘层(例如绝缘层I3)，绝缘层I3例如位于栅极G2与通道层CH2之间。绝缘层(例如绝缘层I4)覆盖栅极G2以及绝缘层I3，绝缘层I4例如位于源极S2与栅极G2之间以及漏极D2与栅极G2之间。漏极D2与源极S2位于绝缘层I4上，通孔Vd2位于绝缘层I3与绝缘层I4中，通孔Vs2位于绝缘层I3与绝缘层I4中。漏极D2通过通孔Vd2电性电接至通道层CH2，而源极S2通过通孔Vs2电性电接至通道层CH2。在本实施例中，主动元件T2是以顶部栅极型薄膜晶体管为例来说明，但本专利技术不限于此。根据其他实施例，上述的主动元件T2也可是以底部栅极型薄膜晶体管。在本实施例中，主动元件T2的漏极D2电性连接至主动元件T1的栅极G1。举例来说，主动元件T2的漏极D2通过接触窗H1电性连接至主动元件T1的栅极G1，接触窗H1位于绝缘层I4中。栅极G2电性连接至扫描线SL，源极D2电性连接至数据线DL。在本实施例中，发光元件10是以包含两个主动元件为例，但本专利技术不以此为限。在其他实施例中，发光元件可以包含一个或三个以上的主动元件。第一遮光层B1位于主动元件T1上，且具有第一开口O1。第一开口O1可贯穿第一遮光层B1。第一开口O1的深度d1约为4微米至10微米。在一些实施例中，第一开口O1的深度d1可小于第一遮光层B1的厚度。在一些实施例中，第一遮光层B1的材料包括光刻胶，可以借由黄光工艺形成第一开口O1，但本专利技术不以此为限。在其他实施例中，第一遮光层B1还可以是其他遮光材料。在本实施例中，第一遮光层B1包括第一部分B1A以及第二部分B1B。第一本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光元件，其特征在于，包括：一基板；一主动元件，位于该基板上；一第一遮光层，位于该主动元件上，且具有一第一开口；一透明电极，位于该第一遮光层上，且电性连接该主动元件；一第二遮光层，位于该透明电极上，且具有对应该第一开口的一第二开口；一光转换层，位于该第一开口中；一电致发光结构，位于该第二开口中，其中该透明电极位于该第一开口与该第二开口之间；以及一顶电极，该电致发光结构位于该顶电极以及该透明电极之间。

【技术特征摘要】
2018.04.11 TW 1071123741.一种发光元件，其特征在于，包括：一基板；一主动元件，位于该基板上；一第一遮光层，位于该主动元件上，且具有一第一开口；一透明电极，位于该第一遮光层上，且电性连接该主动元件；一第二遮光层，位于该透明电极上，且具有对应该第一开口的一第二开口；一光转换层，位于该第一开口中；一电致发光结构，位于该第二开口中，其中该透明电极位于该第一开口与该第二开口之间；以及一顶电极，该电致发光结构位于该顶电极以及该透明电极之间。2.根据权利要求1所述的发光元件，其特征在于，该第一开口朝向该透明电极处的一宽度大于该第二开口朝向该透明电极处的一宽度。3.根据权利要求1所述的发光元件，其特征在于，更包括：一第三遮光层，位于该主动元件与该基板之间，且具有对应该第一开口的一第三开口。4.根据权利要求3所述的发光元件，其特征在于，该第三遮光层的材料包含铝且厚度大于50纳米。5.根据权利要求3所述的发光元件，其特征在于，该第一开口朝向该基板处的一宽度小于该第三开口的一宽度。6.根据权利要求1所述的发光元件，其特征在于，该顶电极的至少一部分位于该第二开口中，且该电致发光结构系完全位于该第二开口内，该光转换层完全位于该第一开口内。7.根据权利要求1所述的发光元件，其特征在于，该第一开口朝向该基板处的一宽度小于该第一开口朝向该透明电极处的一宽度。8.根据权利要求1所述的发光元件，其特征在于，该主动元件包括：一通道层；一栅极，位于该通道层上；一栅极绝缘层，位于该栅极与该通道层之间；一源极与一漏极，分别电性连接至该通道层；以及一层间绝缘层，位于该源极与该栅极之间以及该漏极与该栅极之间，其中该第一遮光层包括：一第一部分覆盖该主动元件；以及一第二部分连接该第一部分，该第二部分贯穿该层间绝缘层且该第一开口贯穿该第二部分。9.根据权利要求8所述的发光元件，其特征在于，该栅极绝缘层包括：一...

【专利技术属性】
技术研发人员：江啟圣，詹钧翔，李欣浤，范铎正，蔡庭玮，蔡旻锦，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71